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NJD35N04T4G

更新時間:2025-06-18 15:14:29

供應商
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市科昂電子集團有限公司
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優(yōu)勢
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無錫固電半導體股份有限公司
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isc/無錫固電半導體
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深圳市英德州科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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北京睿宸齊芯科技有限公司
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雙極型晶體管BJT,原裝國產替代

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

華芯盛世半導體（深圳）有限公
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原廠直銷，提供一站式服務

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深圳市亨運電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

深圳市中納芯電子有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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深圳市群川盛達電子有限公司
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QCW/群川微完美代用進口質量國產價格

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NJD35N04T4G外觀圖

NJD35N04T4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NJD35N04T4G 概述

NJD35N04T4G是由Nexperia公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。這款MOSFET的最大漏源電壓為40V，連續(xù)漏極電流可達35A。其典型應用包括電機驅動、負載開關和DC-DC轉換器等需要高效功率管理的場合。在電機驅動電路中，它可以作為H橋或半H橋電路的關鍵元件來控制電機的正反轉。對于負載開關應用，能夠實現(xiàn)快速且可靠的負載連接與斷開操作。使用時應注意確保柵極驅動電壓足夠以保證MOSFET完全導通，同時注意散熱設計以避免過熱損壞。在實際電路設計中，可以將該MOSFET與其他功率器件配合使用，構建高效的電源管理系統(tǒng)。

NJD35N04T4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN - 達林頓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
350V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 20mA，2A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
2000 @ 2A，2V
功率 - 最大
45W
頻率 - 轉換
90MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)

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