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NJG1128HB6
10750
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票
NJG1128HB6
168000
USB8B6/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實(shí)單價(jià)格支持/優(yōu)勢渠道
NJG1128HB6
52701
USB8B6/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
NJG1128HB6
7462
-/23+
原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803
NJG1128HB6
48000
USB8B6/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
NJG1128HB6
9800
BGA/23+
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨
NJG1128HB6
287282
USB8B6/25+
軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單
NJG1128HB6
2000
USB8B6/-
澤芯微售出每顆芯片只能是原裝83227865
NJG1128HB6
1
N/A/25+
回收此型號(hào)NJG1128HB6
NJG1128HB6
13999
BGA/2025+
公司原裝現(xiàn)貨價(jià)優(yōu)樣品免費(fèi)送
NJG1128HB6
128000
USB8B6/23+
全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單
NJG1128HB6
36000
USB8B6/23+
亞太地區(qū)一級(jí)代理，二十年BOM配單專家，原裝現(xiàn)貨
NJG1128HB6
41101
USB8B6/-
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
NJG1128HB6
5000
USB8B6/22+
原裝現(xiàn)貨，配單助手
NJG1128HB6
7462
SMD/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
NJG1128HB6
7462
SMD/2021+
100%全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨，優(yōu)勢庫存
NJG1128HB6
20000
USB8B6/21+
原廠原裝 正品/假一罰十
NJG1128HB6
8913
BGA/23+
柒號(hào)芯城，離原廠的距離只有0.07公分
NJG1128HB6
50000
-/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當(dāng)天發(fā)貨
NJG1128HB6
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費(fèi)送樣
新日本無線已研發(fā)成功njg1128hb6，并開始樣品供貨。njg1128hb6是配備旁通電路的低噪聲放大器gaas mmic ，最適用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 采用cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻電路的cmos rf ic很難內(nèi)置低噪聲放大器，因而需要外置高性能的低噪聲放大器。 而njg1128hb6則能夠解決上述問題。這款低噪聲放大器配備有旁通電路，主要用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 njg1128hb6由低噪聲放大器、旁通電路和控制用邏輯電路構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式時(shí))的低失真特性，簡化了信號(hào)接收電路的設(shè)計(jì)。 當(dāng)電場輸入處于正常狀態(tài)時(shí)，通過內(nèi)置低噪聲放大器對rf信號(hào)進(jìn)行增幅（高增益模式）。當(dāng)處于強(qiáng)電場輸入狀態(tài)時(shí)，由于無需對信號(hào)進(jìn)行增幅，因此njg1128hb6還內(nèi)置有不通過低噪聲放大器的旁通電路，使低噪聲放大器在此時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低消耗電流（低增益模式）。 上述高、低增益模式的切換，可通過控制邏輯電路以1比特控制信號(hào)得以實(shí)現(xiàn)，利用微處理器即可進(jìn)行控制。 njg1128hb6具有以下特征，適用于
新日本無線已研發(fā)成功njg1128hb6，并開始樣品供貨。njg1128hb6是配備旁通電路的低噪聲放大器gaas mmic ，最適用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 采用cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻電路的cmos rf ic很難內(nèi)置低噪聲放大器，因而需要外置高性能的低噪聲放大器。 而njg1128hb6則能夠解決上述問題。這款低噪聲放大器配備有旁通電路，主要用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 njg1128hb6由低噪聲放大器、旁通電路和控制用邏輯電路構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式時(shí))的低失真特性，簡化了信號(hào)接收電路的設(shè)計(jì)。 當(dāng)電場輸入處于正常狀態(tài)時(shí)，通過內(nèi)置低噪聲放大器對rf信號(hào)進(jìn)行增幅（高增益模式）。當(dāng)處于強(qiáng)電場輸入狀態(tài)時(shí)，由于無需對信號(hào)進(jìn)行增幅，因此njg1128hb6還內(nèi)置有不通過低噪聲放大器的旁通電路，使低噪聲放大器在此時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低消耗電流（低增益模式）。 上述高、低增益模式的切換，可通過控制邏輯電路以1比特控制信號(hào)得以實(shí)現(xiàn)，利用微處理器即可進(jìn)行控制。 njg1128hb6具有以下特征，適用于
新日本無線已研發(fā)成功njg1128hb6，并開始樣品供貨。njg1128hb6是配備旁通電路的低噪聲放大器gaas mmic ，最適用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 采用cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻電路的cmos rf ic很難內(nèi)置低噪聲放大器，因而需要外置高性能的低噪聲放大器。 而njg1128hb6則能夠解決上述問題。這款低噪聲放大器配備有旁通電路，主要用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 njg1128hb6由低噪聲放大器、旁通電路和控制用邏輯電路構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式時(shí))的低失真特性，簡化了信號(hào)接收電路的設(shè)計(jì)。 當(dāng)電場輸入處于正常狀態(tài)時(shí)，通過內(nèi)置低噪聲放大器對rf信號(hào)進(jìn)行增幅（高增益模式）。當(dāng)處于強(qiáng)電場輸入狀態(tài)時(shí)，由于無需對信號(hào)進(jìn)行增幅，因此njg1128hb6還內(nèi)置有不通過低噪聲放大器的旁通電路，使低噪聲放大器在此時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低消耗電流（低增益模式）。 上述高、低增益模式的切換，可通過控制邏輯電路以1比特控制信號(hào)得以實(shí)現(xiàn)，利用微處理器即可進(jìn)行控制。 njg1128h
新日本無線已研發(fā)成功njg1128hb6，并開始樣品供貨。njg1128hb6是配備旁通電路的低噪聲放大器gaas mmic，最適用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 采用cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻電路的cmos rf ic很難內(nèi)置低噪聲放大器，因而需要外置高性能的低噪聲放大器。 而njg1128hb6則能夠解決上述問題。這款低噪聲放大器配備有旁通電路，主要用于450mhz頻帶cdma手機(jī)。 njg1128hb6由低噪聲放大器、旁通電路和控制用邏輯電路構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式時(shí))的低失真特性，簡化了信號(hào)接收電路的設(shè)計(jì)。 當(dāng)電場輸入處于正常狀態(tài)時(shí)，通過內(nèi)置低噪聲放大器對rf信號(hào)進(jìn)行增幅(高增益模式)。當(dāng)處于強(qiáng)電場輸入狀態(tài)時(shí)，由于無需對信號(hào)進(jìn)行增幅，因此njg1128hb6還內(nèi)置有不通過低噪聲放大器的旁通電路，使低噪聲放大器在此時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低消耗電流(低增益模式)。 上述高、低增益模式的切換，可通過控制邏輯電路以1比特控制信號(hào)得以實(shí)現(xiàn)，利用微處理器即可進(jìn)行
新日本無線上市了支持450mhz頻帶的cdma方式“cdma450”的手機(jī)用低噪聲放大器（lna）ic“njg1128hb6”。目前正在供應(yīng)樣品，預(yù)定2007年6月開始以每月30萬個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。樣品價(jià)格為50日元。 cdma450為新興發(fā)展中國家使用的通信方式。使用較低的頻段，每個(gè)基站覆蓋的范圍較廣。業(yè)界為進(jìn)一步降低cdma450手機(jī)的制造成本，正在改進(jìn)rf電路的芯片制造工藝技術(shù)，加快由sige雙極技術(shù)向cmos技術(shù)的轉(zhuǎn)變。不過，新日本無線表示，“使用cmos技術(shù)制造rf芯片的話，lna的性能低，因此我們采取了將單獨(dú)部件構(gòu)成的lna與使用cmos技術(shù)制造的rf芯片相組合的方法”。通過將單獨(dú)部件的lna更換為目前的lna芯片，從而能夠進(jìn)一步降低rf電路的整體制造成本。lna芯片使用gaas技術(shù)制造。 lna芯片的三階輸入截點(diǎn)（iip3）最小為+8dbm（在輸入信號(hào)的頻率范圍為460～470mhz的情況下），增益為標(biāo)準(zhǔn)15db（在輸入信號(hào)的頻率范圍為460～470mhz的情況下），噪音指數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)1.4db。通過設(shè)計(jì)旁通電路，使得在輸入信號(hào)較強(qiáng)時(shí)，不通過lna電路進(jìn)行
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