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IXFN230N20T

更新時間:2025-05-21 01:10:38

供應商
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IXFN230N20T外觀圖

IXFN230N20T

IXYS FET

MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN230N20T 概述

IXFN230N20T是由IXYS公司生產的功率MOSFET，專門用于高效電力轉換應用。該器件采用先進的溝槽技術，具備低導通電阻和高電流處理能力，適用于高頻開關電源、電機驅動和其他需要高效能轉換的工業(yè)設備中。此款MOSFET在設計上優(yōu)化了柵極電荷量，有助于降低開關損耗，提高系統(tǒng)整體效率。其堅固的封裝形式適合表面貼裝工藝，便于自動化生產流程。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器及電動汽車充電系統(tǒng)等。使用時需注意正確選擇柵極驅動電壓以確保完全開啟，并且在PCB布局階段應盡量減小源極引腳的寄生電感，避免振蕩現(xiàn)象影響性能。適當添加緩沖電路可進一步提升EMI兼容性和可靠性。

IXFN230N20T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
GigaMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
220A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫歐 @ 60A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
378nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
28000pF @ 25V
功率 - 最大
1090W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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