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IXFH8N65

更新時間:2025-06-16 18:12:19

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IXFH8N65 概述

IXFH8N65是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有650V的擊穿電壓能力，適用于高壓應用場合。其最大連續(xù)漏極電流為8A，在需要高電壓和中等電流的應用中表現(xiàn)出色。此款MOSFET常用于開關電源、不間斷電源(UPS)、電機驅動以及工業(yè)控制等領域。它具備低導通電阻和快速開關特性，有助于提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。在電路設計中，應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計滿足要求。對于高頻應用，需關注其寄生電容對電路性能的影響。 IXFH8N65能夠幫助工程師設計出高效、可靠的電力電子系統(tǒng)。

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