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功率場效應(yīng)晶體管MOSFET
用可以在關(guān)斷所驅(qū) 動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當d較小時，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過mosfet柵極的允許電壓。當d大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓，此時應(yīng)該注意使其負電壓值不超過moafet柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。（3）集成芯片uc3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動電路電路構(gòu)成如圖11所示。其中uc3724用來產(chǎn)生高頻載波信號，載波頻率由電容ct和電阻rt決定。一般載波頻率小于600khz，4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波，經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到uc3725芯片7、8兩腳經(jīng)uc3725進行調(diào)制后得到驅(qū)動信號，uc3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時將7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動所需功率。一般來說載波頻率越高驅(qū)動延時越小，但太高抗干擾變差；隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小，uc3724發(fā)熱越少，但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄

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即為單電源工作。隔直電容c的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當d較小時，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過mosfet柵極的允許電壓。當d大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓，此時應(yīng)該注意使其負電壓值不超過moafet柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。（3）集成芯片uc3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動電路電路構(gòu)成如圖11所示。其中uc3724用來產(chǎn)生高頻載波信號，載波頻率由電容ct和電阻rt決定。一般載波頻率小于600khz，4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波，經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到uc3725芯片7、8兩腳經(jīng)uc3725進行調(diào)制后得到驅(qū)動信號，uc3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時將7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動所需功率。一般來說載波頻率越高驅(qū)動延時越小，但太高抗干擾變差；隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小，uc3724發(fā)熱越少，但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參

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