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鎖存繼電器的CMOS電路分析
dd/2.這個(gè)動作使繼電器線圈有一個(gè)可忽略的偏移/誤差電壓，以及運(yùn)放的高開環(huán)增益。 ic1e與ic1f級分別通過電容c5和c3交流耦合。電容從ic1c和ic1d的步進(jìn)輸出，為ic1e與ic1f的輸入端提供一個(gè)脈沖。在這些事件后，ic1e和ic1f的輸出端最終返回到自己的均衡狀態(tài)，這有助于防止繼電器線圈內(nèi)形成一個(gè)反向場，并且轉(zhuǎn)換回去。圖2顯示了脈沖的形狀與時(shí)序。 r3/c3和r4/c4建立時(shí)間常數(shù)，并粗略地將這些脈沖尾部的總長度設(shè)為500ms.這個(gè)時(shí)間足以滿足繼電器線圈的保持要求，如松下tq2-l-5v是3ms或更低。如果繼電器線圈首先在一個(gè)異步位置發(fā)現(xiàn)自己，則必要時(shí)可在按一次開關(guān)后，重新調(diào)整自己。電源的串聯(lián)電阻r5用于降低ic1f的vdd,限制線性偏置級ic1e和ic1f的空閑電流。這只電阻代表著在這兩級所需耗散功率與通過運(yùn)放切換繼電器的可用電壓擺幅之間的一種折衷。電路運(yùn)行在一個(gè)9v電源下，采用圖1中的元件值時(shí)，ic1f的vdd約為5.5v.切換之間的總電流大約為8 ma. 來源:qick
鎖存繼電器的CMOS電路
，以及運(yùn)放的高開環(huán)增益。 ic1e與ic1f級分別通過電容c5和c3交流耦合。電容從ic1c和ic1d的步進(jìn)輸出，為ic1e與ic1f的輸入端提供一個(gè)脈沖。有損積分器ic1e和ic1f延長了輸出端的反相脈沖。在這些事件后，ic1e和ic1f的輸出端最終返回到自己的均衡狀態(tài)，這有助于防止繼電器線圈內(nèi)形成一個(gè)反向場，并且轉(zhuǎn)換回去。圖2顯示了脈沖的形狀與時(shí)序。 r3/c3和r4/c4建立時(shí)間常數(shù)，并粗略地將這些脈沖尾部的總長度設(shè)為500ms。這個(gè)時(shí)間足以滿足繼電器線圈的保持要求，如松下tq2-l-5v是3ms或更低。如果繼電器線圈首先在一個(gè)異步位置發(fā)現(xiàn)自己，則必要時(shí)可在按一次開關(guān)后，重新調(diào)整自己。電源的串聯(lián)電阻r5用于降低ic1f的vdd，限制線性偏置級ic1e和ic1f的空閑電流。這只電阻代表著在這兩級所需耗散功率與通過運(yùn)放切換繼電器的可用電壓擺幅之間的一種折衷。電路運(yùn)行在一個(gè)9v電源下，采用圖1中的元件值時(shí)，ic1f的vdd約為5.5v。切換之間的總電流大約為8 ma。

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