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  • 滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路

    德州儀器(ti)推出的tps79918低壓差(ldo)線性調(diào)節(jié)器為新的intel strataflash嵌入式存儲器(p30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm strataflash嵌入式存儲器(j30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm strataflash嵌入式存儲器(p30)。這個從j3 到 p30存儲器的轉(zhuǎn)變可以使系統(tǒng)在運行中消耗更小的總電流，因為p30 vcc電壓需求降低到了1.8伏。英特爾也推薦用一個ldo線性調(diào)節(jié)器來提供1.8伏的電壓基準。 tps79918的特性 tps79918 ldo在一個小的封裝內(nèi)提供了外部電氣特性。它具有高(大于66db)電源電壓抑制比(psrr)、低噪聲、快起動和極好的線荷載瞬態(tài)響應。在全負載時，它只消耗40μa的地電流。運行中不需要輸入電容。tps79918是用一個很小的陶瓷輸出電容保持穩(wěn)定的，用一個高級的bicmos制造過程在200ma全輸出負載的情況下得到一個110mv的壓差。 對于所有負載、線、過程和溫度變化，它的精密電壓參考和反饋回路達到2%的全精確度?？蛇x降噪電容的增加，提供了一個極低噪聲輸出電壓。它要求tj從－ 4

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TPS799195 TPS79930 TPS851 tpsd107m016r0100 TPSMP13 TPSMP43A tpv63 TPW4671 TQ2-24V TQ2-5

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