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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>tn0201t 更新時(shí)間:2025-08-17 00:44:56

tn0201t供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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tn0201t中文資料

  • 簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)

    到的電流只有兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)ic測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn) 本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。 ● 在測(cè)試ic過充、過放和過流的延遲時(shí)利用開關(guān)將電阻短路或開路來實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和oc、od跳變波形圖來測(cè)量延遲時(shí)間。 ● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試oc、od高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用mosfet做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的mosfet型號(hào)為tn0201t，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μa，基本可以滿足測(cè)試的需要。 ● 測(cè)試過流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使od引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腸s引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，od輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。ic對(duì)過電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來近似測(cè)試短流保

  • 簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)(圖)

    到的電流只有兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)ic測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn) 本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。 ● 在測(cè)試ic過充、過放和過流的延遲時(shí)利用開關(guān)將電阻短路或開路來實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和oc、od跳變波形圖來測(cè)量延遲時(shí)間。 ● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試oc、od高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用mosfet做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的mosfet型號(hào)為tn0201t，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μa，基本可以滿足測(cè)試的需要。 ● 測(cè)試過流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使od引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腸s引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，od輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。ic對(duì)過電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來近似測(cè)試短流保

  • 便攜式設(shè)備的電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)

    到的電流只有兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)ic測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn) 本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。 ● 在測(cè)試ic過充、過放和過流的延遲時(shí)利用開關(guān)將電阻短路或開路來實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和oc、od跳變波形圖來測(cè)量延遲時(shí)間。 ● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試oc、od高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用mosfet做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的mosfet型號(hào)為tn0201t，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μa，基本可以滿足測(cè)試的需要。 ● 測(cè)試過流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使od引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腸s引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，od輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。ic對(duì)過電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來近似測(cè)試短流保

  • TN0201T

    電流參數(shù)：ID=0.39A/IDM=0.75A電壓參數(shù)：UDG=20V/UGS=±20V功 率：PD=0.35W其他參數(shù)：10V/0.75Ω，4.5V/1Ω極 性：N

  • TN0201T

    0.39A/20V

  • 簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)

    要用到的電流只有兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)ic測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn) 本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。 ● 在測(cè)試ic過充、過放和過流的延遲時(shí)利用開關(guān)將電阻短路或開路來實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和oc、od跳變波形圖來測(cè)量延遲時(shí)間。 ● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試oc、od高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用mosfet做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的mosfet型號(hào)為tn0201t，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μa，基本可以滿足測(cè)試的需要。 ● 測(cè)試過流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使od引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腸s引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，od輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。ic對(duì)過電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來近似測(cè)試短流保護(hù)

  • 如何延長(zhǎng)基于微控制器設(shè)計(jì)的電池壽命

    兩個(gè)級(jí)別，一個(gè)是零點(diǎn)幾個(gè)微安，一個(gè)是幾十微安，因此一般要求能提供微安級(jí)以下的電流。另外，電源的穩(wěn)定度對(duì)整個(gè)ic測(cè)試參數(shù)的影響很大，因此，在測(cè)試時(shí)盡量使用穩(wěn)定性好的電源。 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn) 本設(shè)計(jì)有以下三個(gè)特點(diǎn)。 ● 在測(cè)試ic過充、過放和過流的延遲時(shí)利用開關(guān)將電阻短路或開路來實(shí)現(xiàn)電路電源的突變，并且利用示波器同時(shí)抓電源和oc、od跳變波形圖來測(cè)量延遲時(shí)間。 ● 為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試oc、od高、低電平時(shí)向引腳吸、灌電流，本電路用mosfet做了兩個(gè)簡(jiǎn)單的微電流源，選用的mosfet型號(hào)為tn0201t，利用柵級(jí)電壓控制漏、源級(jí)電流，以漏、源級(jí)電流為電流源，精度可以達(dá)到0.1μa，基本可以滿足測(cè)試的需要。 ● 測(cè)試過流保護(hù)電壓時(shí)，即測(cè)試使od引腳從高電平跳變?yōu)榈碗娖降腸s引腳電壓。短流保護(hù)電壓遠(yuǎn)高于過流保護(hù)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到過流保護(hù)電壓時(shí)電路已經(jīng)發(fā)生跳變，od輸出一直為低電平，因此常規(guī)方法無法測(cè)試出短流保護(hù)電壓，于是，本文采用了一種間接的近似測(cè)試方法。ic對(duì)過電流保護(hù)的延遲時(shí)間大概為幾個(gè)到十幾個(gè)毫秒，而短流延遲時(shí)間則大概為十幾個(gè)微秒，因此可以根據(jù)過流延遲時(shí)間與短流延遲時(shí)間的不同來近似測(cè)試短流保

tn0201t替代型號(hào)

TMX320F28027PTA TMX320F28023DAA TMX320DM355ZCE216 TMS9914A TMS9914 TMS73C45TKY2 TMS470R1B768 TMS470R1B1M TMS470R1A64 TMS470R1A288

TN4033A TN8001 TN80C196KB TN87C196CA TN87C196CB TNETW1350 TNETW1350A TNETW1450 TNETW3422 TNT2

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