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。 將s置于"1"位置時(shí),vd3和vd4組成全波整流電路,此時(shí)直流穩(wěn)壓電源為低電壓輸出;將s置于 "2"位置時(shí),vdl-vd4組成橋式整流電路,直流穩(wěn)壓電源為高電壓輸出。 元器件選擇 r選用1/2w金屬膜電阻器。 rp選用優(yōu)質(zhì)合成膜電位器。 cl和c2選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器;c3選用耐壓值為loov的鋁電解電容器。 vdl-vd4選用1n5404或1n5406、1n5408型硅整流二極管。 v選用db3或2cts系列的雙向觸發(fā)二極管。 vt選用3a、600v的雙向晶閘管,例如tlc336a型或3cts等型號(hào)。 s選用觸頭電流大于5a的單極雙位或雙極雙位撥動(dòng)開關(guān)。 t選用10-2ow、二次電壓為雙l2v的電源變壓器。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
l、c3-c5均選用耐壓值為400v以上的滌綸電容器或cbb電容器;c2選用耐壓值為25v的鋁電解電容器;c6-c8均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl選用1n4007型硅整流二極管;vd2-vd7均選用1n4148型硅開關(guān)二極管。 vsl選用ln4742(1w、l2v)型硅穩(wěn)壓二極管;vsz選用1n4734(1w、5.6v)型硅穩(wěn)壓二極管。 vl選用φ5mm的紅色高亮度發(fā)光二極管。 vl-v3均選用2scl815或s9013、3dcl2型硅npn晶體管。 vtl-vt3均選用tlc336a型 (3a、600v)雙向晶閘管。 icl選用cd4017或cc4017型十進(jìn)制計(jì)數(shù)/脈沖分配器集成電路;ic2選用tsop1238或sfh506-38型一體化紅外接收頭。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
狀態(tài),電路均會(huì)恢復(fù)到ic的yo端為高電平,a組燈點(diǎn)亮狀態(tài)。 元器件選擇 rl-rl2選用1/4w或1/8w碳膜電阻器;r13選用1/2w碳膜電阻器。 cl-c5均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器;c6選用耐壓值大于400v的滌綸電容器或cbb電容器。 vd1、vd3和vd6-vdl8均選用1n4148硅開關(guān)二極管;vd2和vd4、vd5均選用1n4007硅整流二極管。 vs選用lw、l2v的硅穩(wěn)壓二極管。 vl-v5均選用s9013或3dgl2型硅npn晶體管。 vti-vw均選用tlc336a型雙向晶閘管。 ic選用cd4017型十進(jìn)制計(jì)數(shù)/脈沖分配器集成電路。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
該電路還具有保持 (斷電記憶)功能,若在某一輸出電壓下關(guān)斷電風(fēng)扇,則下次開啟電風(fēng)扇后仍處于該輸出電壓值,即再次通電后電風(fēng)扇仍會(huì)按關(guān)斷前的風(fēng)速繼續(xù)工作。 元器件選擇 rl和r3選用1/4w碳膜電阻器或金屬膜電阻器;r2和r4均選用1-2w的金屬膜電阻器。 cl選用高頻瓷介電容器;c2和c3選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器;c4選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl選用1n4007型畦整流二極管;vd2選用1n4148型硅開關(guān)二極管。 vs選用1w、5.lv的硅穩(wěn)壓二極管。 vt選用tlc336a或mac97a6型雙向晶刊管。 ic選用c57232或5m7232型調(diào)速集成電路。 s選用動(dòng)合 (常開)型微動(dòng)按鈕。
控制,斷開s后,電風(fēng)扇的磚速將被鎖定。 rv是壓敏電阻器,用來(lái)保護(hù)晶閘管vt,防止其因過(guò)電壓而擊穿。 調(diào)節(jié)r3的阻值,可以改變觸摸靈敏度。 元器件選擇 rl-r5均選用1/4w碳膜電阻器;r6選用lw金屬膜電阻器。 rv選用耐壓值為470v的壓敏電阻器。 cl-c4均選用瓷介電容器;c5選用耐壓值為16v以上的鋁電解電容器。 vd1選用ln4148型開關(guān)二極管;vd2選用1n4007型整流二極管。 vs選用5.1v、1/2w穩(wěn)壓二極管。 vt選用3a、600v的雙向晶閘管,例如tlc336a等型號(hào)。 ic選用無(wú)級(jí)調(diào)光、調(diào)速用5g7232或c57232、l57232、5m7232、ba2103、5567等型號(hào)集成電路。 s選用小型按鍵開關(guān)。 電極片可用薄銅片自制。
降,3腳輸出方波脈沖的占空比降低,vt的導(dǎo)通角變小,m在單位時(shí)司內(nèi)通電時(shí)司變短,運(yùn)行時(shí)間縮短,轉(zhuǎn)速下降,從而減小風(fēng)量使室內(nèi)溫度回升。 元器件選擇 rl-r3和r5選用1/4w碳膜電阻器或金屬膜電阻器;r4選用1/2w金屬膜電阻器。 rt選用負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻器 (在25℃常溫下阻值為lokω,加熱至5o℃時(shí)阻值降至lkω)。 cl選用耐壓值為25v的鋁電解電容器;c2和c3選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器。 vs選用lw、9.lv的硅穩(wěn)壓二極管。 vt選用3a、600v的雙向晶閘管,例如tlc336a等型號(hào)。 ic選用ne555或pa555、tlc555型時(shí)基集成電路。
r8選用1/4w碳膜電阻器或金屬膜電阻器;r9選用1/2w金屬膜電阻器。 cl、c4和c6均選用高頻瓷介電容器;c2、c3和c5選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器;c7選用耐壓值為16v的鋁電解電容器;c8選用耐壓值為400v的滌綸電容器或cbb電容器。 vdl和vd2均選用ln4148型硅開關(guān)二極管;vd3選用1n4007型硅整流二極管。 vs選用1w、6.2v硅穩(wěn)壓二極管。 vl選用φ3mm高亮度發(fā)光二極管。 vl和vz均選用59013或59014、58050型硅npn晶體管。 vt選用tlc336a型3a、600v的雙向晶閘管。 l選用tdk色碼電感器。 icl選用cd4069型六非門集成電路;ic2選用lm567型鎖相環(huán)譯碼器集成電路;ic3選用sm7232型cmos觸摸調(diào)光集成電路。 b1選用ucm-40t型超聲波發(fā)射器;b2選用ucm-40r型超聲波接收器。
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