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適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。 arm7tdmi是世界上廣泛使用的32位嵌入式risc低端處理器內(nèi)核,在基于arm7tdmi內(nèi)核的soc( system on chip )芯片中集成nand flash控制器將大大擴(kuò)寬芯片應(yīng)用范圍、降低芯片成本、提升產(chǎn)品性能。但是,nand型閃存的使用相對于nor型閃存在硬件設(shè)計和軟件控制上都有相當(dāng)?shù)碾y度,值得在技術(shù)上進(jìn)一步探索和研究。 2 nand flash的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)對其讀寫的限制 筆者選用的nand flash是東芝tc58512ft(見圖1) ,該款的nand flash 以528個byte 組成一個頁(page) , 32個頁組成一個塊( block) ,由4096個塊組成整個flash存儲器。在每頁中前512bytes是用于存儲數(shù)據(jù),而后16bytes則用于存放ecc數(shù)據(jù)校驗(yàn)碼,稱為oob(out of bank)區(qū)。對nand flash讀出和寫入是以頁為單位,而對其擦除則是以塊為單位,在存儲組織上和硬盤采用的方式類似。在讀出和寫入時數(shù)據(jù)量都必須是頁大小的整數(shù)倍,這一點(diǎn)上和norflash可以隨機(jī)讀寫的方式完全不同,
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和linux mtd層的框架,并基于這些研究提出了nandflash驅(qū)動的設(shè)計和實(shí)現(xiàn)。 1 nandflash的硬件特點(diǎn) nand閃存芯片nand閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4gb的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,nand正被證明極具吸引力。nand的效率較高,是因?yàn)閚and串中沒有金屬觸點(diǎn)。nand閃存單元的大小比nor要?。?f2:10f2)的原因,是nor的每一個單元都需要獨(dú)立的金屬觸點(diǎn)。以本文使用的東芝tc58512ft(64mnand)為例,分為4096塊,每塊有32頁,每頁有512b的數(shù)據(jù)區(qū)+16b的oob(out of band)區(qū)。(4096×32×512b=64mb),均通過8跟iom線串行控制,如圖l所示。 同時由于工藝限制,nand閃存中允許存在壞塊。nand閃存的每一頁有16b(頁長度512b)的oob區(qū)用來存放ecc校驗(yàn)數(shù)據(jù),ecc有效標(biāo)志,壞塊標(biāo)志等。所有這些決定了于nand的存儲系統(tǒng)設(shè)計需要處理不同于其它類型閃存特有問題。 2 mtd的nand結(jié)構(gòu) mtd(memoryt
我有一個u盤自帶的格式化程序,我有一個u盤自帶的格式化程序,提示設(shè)備錯誤,還有其它的辦法嗎? 以前有一次也是這個現(xiàn)象,我把它的兩個ic拆下來,再重新焊回去就行了,而這次卻不行。flashj是用東芝的tc58512ft,控制ic是一次邦定ic,不知道具體型號。