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意法半導體推出了電源應用高壓低電流二極管
電流(ir)比。鉑摻雜工藝的優(yōu)勢是比金摻雜降低漏電流約100倍，從而為在給定的trr反向恢復時間內(nèi)提供了提高正向壓降vf的空間。鉑摻雜工藝使意法半導體能夠把二極管的最大工作溫度提高到175°c，而降低的漏電流還可以提高熱擊穿現(xiàn)象的溫度極限。此外，優(yōu)化新系列產(chǎn)品的正向壓降還助于降低待機模式的鉗位功能的功耗。下表列出了現(xiàn)有二極管的主要特性，其中vrrm是重復反向峰壓，而if(av)是平均正向電流：產(chǎn)品編號 vrrm if(av) 封裝 stth108 800 1 do-41, sma stth110 1000 1 do-41, sma stth112 1200 1 do-41, sma, smb stth208 800 2 do-15, smb stth310 1000 3 do201-ad, smc 這些器件特別適合電源和其它電源開關應用的續(xù)流二極管、鉗位、緩沖和去磁功能。訂購5000件的單價為0.17 到0.24美元。

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電壓 - (Vr)（最大）:

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電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:

速度:

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電流 - 在 Vr 時反向漏電:

電容@ Vr, F:

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