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STK800
5000
PAK/2025+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
5000
PAK/23+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
20000
PAK/22+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
13500
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開(kāi)票
STK800
6000
PAK/23+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
8000
PolarPak/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
STK800
9800
N/A/1808+
原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷(xiāo)
STK800
10250
PAK/23+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
9400
QFN/23+
原裝現(xiàn)貨
STK800
5000
PAK/23+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
65428
QFN/22+
只做現(xiàn)貨，一站式配單
STK800
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QFN/21+
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STK800
52000
NEW/NEW
一級(jí)代理保證
STK800
2658
PolarPak/23+
原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803
STK800
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PolarPak/16+
代理直銷(xiāo)，公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
STK800
10250
PAK/2025+
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單支持
STK800
3000
PolarPak/19+/20+
100%進(jìn)口原裝長(zhǎng)期供應(yīng)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))
STK800
50000
MOSFET NCH 30V 20A POLARPAK/2020+
原裝現(xiàn)貨配單
STK800
20
-/2016+
公司現(xiàn)貨只做原裝
STK800
N-channel 30V - 0.006з - 20A - Pola...
STMICROELECTRONICS
STK800PDF下載
STK800
MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
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STK800_0609
N-channel 30V - 0.006ohm - 20A - Pol...
STMICROELECTRONICS
STK800_0609PDF下載
意法半導(dǎo)體(st)發(fā)布首款以頂部金屬polarpak封裝的功率器件：stk800、stk850，增強(qiáng)了熱量性能、提升了大電流電源使用組件的功率密度。新器件分別為20a/30a功率mosfet，以標(biāo)準(zhǔn)so-8封裝，僅需要5mm×6mm板空間，因頂部與底部的熱耗散通道其高度僅為0.8mm。 st與siliconix就使用polarpak技術(shù)達(dá)成協(xié)議。新封裝的導(dǎo)線架與塑料密封類(lèi)似于多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率mosfet封裝，確保了良好的裸片保護(hù)與制造的易處理。與標(biāo)準(zhǔn)so-8相比, polarpak的熱耗散非常有效，它能在相同的占位面積內(nèi)處理兩倍電流。 新器件以st所有的最新stripfet技術(shù)制造，該技術(shù)基于提升的單元密度與更小的單元特性，占用了更小的芯片空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)極低的片上阻抗與損耗。10v時(shí)，20a stk800典型的rds(on) 值為6.0mohm，30a stk850的rds(on)值為2.9mohm。該封裝通過(guò)提供超低的結(jié)到外殼熱量阻抗與更低的結(jié)溫確保兩個(gè)mosfet的低片上阻抗特性。 低電容與總門(mén)電荷數(shù)，使stk800成為非絕緣dc/dc壓降轉(zhuǎn)換器中控制fet的
意法半導(dǎo)體（stmicroelectronics） 今天推出了該公司第一批采用頂置金屬片的polarpak® 封裝的功率ic，這種封裝有助于大電流電源組件實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分別是20a和30a的功率場(chǎng)效應(yīng)mos晶體管，占板面積與so-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因?yàn)轫敳亢偷撞慷加猩嵬ǖ?，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。 st和siliconix公司于2005年3月簽訂一項(xiàng)使用polarpak®技術(shù)的許可協(xié)議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率場(chǎng)效應(yīng)mos晶體管使用的封裝相似，具有優(yōu)良的裸片保護(hù)功能，在制造過(guò)程中拾放芯片十分容易。然而與標(biāo)準(zhǔn)的so-8封裝相比，polarpak的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比so-8封裝處理的電流高一倍。. 新器件采用st最新優(yōu)化的stripfet™制造技術(shù)，在更小的芯片面積上取得了更低的通態(tài)電阻和功耗，這項(xiàng)技術(shù)是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎(chǔ)的。在10v時(shí)，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫歐，30a stk85
意法半導(dǎo)體推出了該公司第一批采用頂置金屬片的polarpak 封裝的功率ic，這種封裝有助于大電流電源組件實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分別是20a和30a的功率場(chǎng)效應(yīng)mos晶體管，占板面積與so-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因?yàn)轫敳亢偷撞慷加猩嵬ǖ?，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。 新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率場(chǎng)效應(yīng)mos晶體管使用的封裝相似，具有優(yōu)良的裸片保護(hù)功能，在制造過(guò)程中拾放芯片十分容易。然而與標(biāo)準(zhǔn)的so-8封裝相比，polarpak的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比so-8封裝處理的電流高一倍。 新器件采用st最新優(yōu)化的stripfet制造技術(shù)，在更小的芯片面積上取得了更低的通態(tài)電阻和功耗，這項(xiàng)技術(shù)是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎(chǔ)的。在10v時(shí)，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫歐，30a stk850是2.9毫歐。結(jié)到外殼熱阻極低和結(jié)溫較低的特性是降低兩款mosfet的通態(tài)電阻的主要因素。 電容低和柵電荷總量低使stk800成為非隔離型直流-直流降壓轉(zhuǎn)換
電流參數(shù)：ID=20A/IDM=80A電壓參數(shù)：UDS=30V/UGE=±16V功 率：Ptot=5.2W其他參數(shù)：10V/0.006Ω,4.5V/0.0075Ω,trr=32ns極 性：N
意法半導(dǎo)體(st)日前發(fā)布首款以頂部金屬polarpak封裝的功率器件：stk800、stk850，增強(qiáng)了熱量性能、提升了大電流電源使用組件的功率密度。新器件分別為20a/30a功率mosfet，以標(biāo)準(zhǔn)so-8封裝，僅需要5mm×6mm板空間，因頂部與底部的熱耗散通道其高度僅為0.8mm。 2005年3月，st與siliconix就使用polarpak技術(shù)達(dá)成協(xié)議。新封裝的導(dǎo)線架與塑料密封類(lèi)似于多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率mosfet封裝，確保了良好的裸片保護(hù)與制造的易處理。與標(biāo)準(zhǔn)so-8相比, polarpak 的熱耗散非常有效，它能在相同的占位面積內(nèi)處理兩倍電流。 新器件以st所有的最新stripfet技術(shù)制造，該技術(shù)基于提升的單元密度與更小的單元特性，占用了更小的芯片空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)極低的片上阻抗與損耗。10v時(shí)，20a stk800典型的rds(on) 值為6.0mohm，30a stk850的rds(on)值為2.9mohm。該封裝通過(guò)提供超低的結(jié)到外殼熱量阻抗與更低的結(jié)溫確保兩個(gè)mosfet的低片上阻抗特性。 低電容與總門(mén)電荷數(shù)，使stk800成為非絕緣dc/dc壓降轉(zhuǎn)
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