STF7N95K3
860000
TO220F/25+
原裝現(xiàn)貨庫存，支持訂貨可開發(fā)票。
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6697
TO220FP/23+
原裝，授權代理
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10000
-/21+
原裝
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20000
SO8/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談
STF7N95K3
30000
TO220FP/22+
全新原裝假一罰十
STF7N95K3
11300
TO220F/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢庫存 自家?guī)齑?/p>
STF7N95K3
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣
STF7N95K3
10212
TO220/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品
STF7N95K3
20000
8SON8TSSOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
STF7N95K3
5000
TO2203 Full Pack/22+
原裝現(xiàn)貨，實單來談，配套服務
STF7N95K3
10000
TO2203/22+
只有原裝，原裝，假一罰十
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8735
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票
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5000
-/25+
只做原裝，價格市場
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9000
TO2203/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
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7300
2013+/23+
原裝現(xiàn)貨
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2063
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公司現(xiàn)貨只做原裝
STF7N95K3
9000
/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
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TO220F/23+
23+
STF7N95K3
10000
TO220F/22+
原裝現(xiàn)貨
現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員 可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。 來源:風中的葉子
3系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可 以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3™技術。新產品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產品。 stx7n95k3系列已投產。
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