SST39VF3201-70-4I-EKE
2865
TSOP/1608+
特價(jià)特價(jià)全新原裝現(xiàn)貨
SST39VF3201-70-4C-EKE
2450
SSOP/1403+
原裝現(xiàn)貨 有貨假一賠十
SST39VF3201-70-4C-EKE
500
-/11+
全新原裝
SST39VF3201-70-4I-EKE
5000
TSOP48/23+
全新原裝現(xiàn)貨,可開專票
SST39VF3201-70-4C-EKE
82
TSSOP48/1128+
原裝現(xiàn)貨,假一賠十
SST39VF3201C-70-4I-B3KE
18005
FBGA48/23+
原裝進(jìn)口實(shí)單特價(jià)有貨 假一罰萬(wàn)
SST39VF3201-70-4C-EKE
9600
TSOP/2024+
新到大量現(xiàn)貨庫(kù)存
SST39VF3201-70-4C-EKE
16018
TSOP48/22+
市場(chǎng)價(jià)原廠原裝假一罰十
SST39VF3201-70-4C-EKE
20044
NA/23+
原裝現(xiàn)貨支持檢測(cè)
SST39VF3201-70-4C-EKE
51300
TSOP48/24+
原裝現(xiàn)貨,可提供訂貨服務(wù)
SST39VF3201-70-4I-EKE
1169
TSOP48/21+
原裝現(xiàn)貨
SST39VF3201B-70-4I-EKE
2879
TSOP/23+
原裝優(yōu)勢(shì)公司現(xiàn)貨
SST39VF3201B-70-4I-EKE
5000
TSOP48/23+
找現(xiàn)貨,找原裝,找好價(jià)格,就找寶芯創(chuàng)BOM配單
SST39VF3201-70-4C-EKE
5000
TSOP48/21+
原廠渠道團(tuán)隊(duì),終端實(shí)力商家
SST39VF3201B-70-4C-B3KE
4060
BGA/1030+
原裝特價(jià)假一賠十
SST39VF3201-70-4I-EKE
5000
TSOP/21+
原裝現(xiàn)貨 假一罰十
SST39VF3201C-70-4I-EKE
5000
SMDDIP/22+
只做原裝 MICROCHIP現(xiàn)貨服務(wù)商
SST39VF3201B-70-4C-B3KE
6000
BGA/23+
全新原裝現(xiàn)貨
SST39VF3201B-70-4I-EKE
3320
TSOP48/24+
現(xiàn)貨庫(kù)存
歷史最低報(bào)價(jià):¥10.0000 歷史最高報(bào)價(jià):¥22.0000 歷史平均報(bào)價(jià):¥14.1600
像大小設(shè)置為280×280,并經(jīng)過(guò)圖像壓縮成大小140×140,再采用高低位分開放置圖像數(shù)據(jù),整個(gè)圖像數(shù)據(jù)就不到20 kb。這樣,圖像識(shí)別過(guò)程中的程序和數(shù)據(jù)都在片內(nèi)daram上完成,可以緩解emif總線接口的壓力并提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力。 本系統(tǒng)中flash主要有2個(gè)作用:(1)用于存放程序代碼,上電以后,flash中的各段程序代碼被裝入sdram或dsp內(nèi)部daram中,系統(tǒng)開始正常工作;(2)存放指紋處理程序處理完指紋后所獲得的指紋特征以及一些相關(guān)的信息數(shù)據(jù)等。本系統(tǒng)采用flash芯片為sst39vf3201,存儲(chǔ)容量為2m字。但是,dsp片上僅有20根地址線,最多可以擴(kuò)展到1m字。設(shè)計(jì)中將gpio7直接連接到sst39vf3201的a22管腳,使用gpio7模擬地址線訪問(wèn)flash空間。高地址位存儲(chǔ)指紋模板,低地址位存儲(chǔ)引導(dǎo)程序,可以有效地利用flash空間資源。 2.3 圖像采集電路設(shè)計(jì) 系統(tǒng)采用magnachip semiconductor公司的hv7131r彩色cmos圖像傳感器作為指紋采集頭的核心器件,其支持vga模式,有效像素640×480,帶有可編程自動(dòng)曝光、增益控制及白平衡控
根據(jù)“成電之芯”的要求,芯片需要外部提供136 k 32bit的存儲(chǔ)空間為其提供脈壓系數(shù)和濾波系數(shù),同時(shí)需要其它的一些存儲(chǔ)空間為芯片存儲(chǔ)片外的dsp核程序和控制寄存器。 由于做mtd濾波時(shí),每個(gè)相參處理間隔的數(shù)據(jù)量最大為2m深度,所以片外必須準(zhǔn)備兩片深度為2m,數(shù)據(jù)寬度為48位的sram作為芯片的片外緩存。 除此之外,芯片需要外界輸入數(shù)據(jù)和控制信號(hào),并且需要接收芯片的輸出數(shù)據(jù)。這部分的功能可通過(guò)可編程邏輯器件來(lái)完成。 通過(guò)以上分析,ccomp芯片功能測(cè)試平臺(tái)選用了兩片sst39vf3201來(lái)做它的片外初始化存儲(chǔ)器、6片gs832018來(lái)做它的片外緩存、一片xc3s5000來(lái)產(chǎn)生它的時(shí)序控制信號(hào)以及和外部接口的控制邏輯、兩片mt48lc4m32用做它的輸出緩存、兩片sst39vf3201來(lái)做它的輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,另外還選用了一個(gè)ad和一個(gè)da芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)與外界的數(shù)據(jù)通信。實(shí)現(xiàn)框圖如圖4所示。 4 測(cè)試平臺(tái)的實(shí)現(xiàn) 4.1軟件的實(shí)現(xiàn) 根據(jù)“成電之芯”輸入激勵(lì)和輸出響應(yīng)的數(shù)據(jù)對(duì)比要求,編寫了可綜合的verilog代碼。代碼的設(shè)計(jì)完全按照“成電之芯”的時(shí)序要求實(shí)現(xiàn)。 4
處理器,片上有豐富的資源:256+16k 片上 flash,64k 片內(nèi) ram,4 路12 位ad,4 路硬件串行收發(fā)接口, 5 個(gè)16 位定時(shí)器,1 個(gè)硬件can 接口,1 個(gè)rtc 時(shí)鐘,1 個(gè)wdt 看門狗。片上和外部擴(kuò)展資源共同占據(jù)4gb 地址空間,可方便實(shí)現(xiàn)外部存儲(chǔ)器和其它資源的擴(kuò)充。 為了構(gòu)建一個(gè)通用的硬件平臺(tái),對(duì)flash 和ram 作適當(dāng)擴(kuò)展,保證rtu 模塊將來(lái)的功能升級(jí)不受限制。flash 程序空間擴(kuò)展為4mb,ram 擴(kuò)展為512kb。flash 選用sst 公司的sst39vf3201,容量為32mb/16 位、低功耗模式典型3μa。ram 選用issi 公司的is61wv51216,容量為4mb/16 位、低功耗待機(jī)工作9μw。由此構(gòu)成一個(gè)非常緊湊的微控制器核,如圖1 所示。整個(gè)處理機(jī)核的待機(jī)功耗小于50μa。 對(duì)于低功耗處理機(jī)核,還有一個(gè)重要的考慮是對(duì)外圍接口和接口設(shè)備的電源控制,在待機(jī)時(shí)切斷它們的供電,保證按需啟動(dòng)設(shè)備,為此設(shè)計(jì)擴(kuò)展了一些控制接口。 1.3 rtu 微控制核電源 微控制器核的電源設(shè)計(jì)也是關(guān)鍵的一步。rtu 模塊主控cpu 供電部分有
samsung k9f1g08uom samsung k9f2g08uom samsung n0r-flash芯片 型號(hào) 廠家 封裝 說(shuō)明 資料下載 am29lv400 amd am29lv800 amd am29lv160 amd sst39vf1601 sst sst39vf3201 sst sst39vf800 sst sdram芯片 型號(hào) 廠家 封裝 說(shuō)明 資料下載 hy57v161610 hynix hy57v641620 hynix hy57v281620 hynix hy57v561620 hynix k4s161622 samsun
組織結(jié)構(gòu)為2M×16;讀、寫操作電壓2.7~3.6V;高可靠性,保證100000次讀/寫,數(shù)據(jù)保持100年;低功耗操作,動(dòng)態(tài)電流:9mA(典型值),待機(jī)電流:3μA(典型值),自動(dòng)低功耗模式:3μA(典型值); 128位唯一ID;ID安全特點(diǎn):一次性可編程,256字; 硬件啟動(dòng)塊保護(hù)輸入/WP#引腳,底部塊保護(hù)(底部32K字); 扇區(qū)擦除操作功能:均勻的2K字扇區(qū);塊擦除操作功能:均勻的32K字塊;芯片擦除操作功能;擦除操作有暫停/恢復(fù)功能;硬件復(fù)位引腳(RST#);ID安全特性:SST:128位,用戶:128位; 快速讀取時(shí)間:70ns或90ns; 鎖存地址和數(shù)據(jù); 快速擦除操作時(shí)間,扇區(qū)擦除操作時(shí)間:18ms(典型值),塊擦除操作時(shí)間:18ms(典型值),芯片擦除操作時(shí)間:40ms(典型值); 字編程時(shí)間:7μs(典型值); 自動(dòng)調(diào)節(jié)寫操作時(shí)間; 寫操作完成監(jiān)測(cè):Toggle位,Data #輪詢,RY/BY#輸出; 兼容CMOS I/O; 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn); 所有無(wú)鉛裝置遵從RoHS標(biāo)準(zhǔn)
16位寬的sst39vf3201.html">sst39vf3201為什么可以用8位方式訪問(wèn)!我的系統(tǒng)是at91m40800 + sst39vf3201;因?yàn)槭褂?6位總線,所以arm的a0懸空不用,arm的a1,接sst39vf160的a0按照這種連接方法,arm是不可以用8位的數(shù)據(jù)指針來(lái)訪問(wèn)的; 但是,用下面的代碼就偏偏可以?。。。?!0x01000000 是sst39vf3201的物理地址a[] 是一個(gè)全局變量;for(i=0;i<10;i++){ a[i] = *(int8u *)(0x01000001+i);}查看編譯出來(lái)的代碼,也沒有看出有先把16位數(shù)據(jù)讀出來(lái),拆分為8位的代碼0x0000006c: e3a04000 .@.. mov r4,#0 // 判斷 i<10 0x00000070: e354000a ..t. cmp r4,#0xa
最近用lpc2214讀寫flash sst39vf3201,居然出現(xiàn)了讀寫不可靠!最近用lpc2214讀寫flash sst39vf3201,居然出現(xiàn)了讀寫不可靠!在幾十片sst39vf3201中,有幾片經(jīng)反復(fù)讀寫測(cè)試均通過(guò),而其它都出現(xiàn)了讀寫不可靠的現(xiàn)象!找不到原因,很是頭疼,有沒有tx們遇到過(guò)此類現(xiàn)象?或請(qǐng)高手指點(diǎn)!
44b0下載程序校驗(yàn)出錯(cuò)問(wèn)題各位大俠,有個(gè)問(wèn)題: 用fluted往44b0下小系統(tǒng)板(44b0+hy57v641620+sst39vf3201)里下載程序時(shí),下載完畢(100%)后,出現(xiàn)校驗(yàn)錯(cuò)誤,大約是“verifying address missing……” 其中,小系統(tǒng)是按照44b0+hy57v641620+hy29lv320布的線,后來(lái)flash換成了sst39vf3201焊上去的。下載電纜用的是龔俊的。 程序可以跑,但是校驗(yàn)不行,不知道是什么原因?是不是flash id的問(wèn)題? 請(qǐng)高手賜教
請(qǐng)教一下sst flash燒寫我們自己做了個(gè)44b0了核心板,用的norflash是 sst39vf3201,但是除了讀數(shù)據(jù)可以,其他如讀id,擦除都不行,真是郁悶,折騰好幾天了,哪位大俠給點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)???謝謝!
39vf320.new.c/*software.html">software device driversst39vf3201/sst39vf320232 mbit multi-purpose flash (mpf+)jerry deng, silicon storage technology, inc.revision 2.0, december 2003about the softwarethis is a software device driver example for sst39vf3201/320232 mbit multi-purpose flash (mpf+). the code is written in generic c language, extensive comments are included in each routine to describe its function and usage. sst39vf3201/3202 datasheet should be reviewed in conjunctionwith this code to completely