SST25VF512A-33-4I-SAE
11500
SOIC8/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
SST25VF512A-33-4I-SAE
10390
SOP/NEW
只供原裝,歡迎咨詢(xún)
SST25VF512A-33-4I-SAE
2000
SOP8/22+
原裝,市場(chǎng)價(jià),實(shí)單必成
SST25VF512-20-4C-SAE
43
-/1507+
現(xiàn)貨原裝
SST25VF512A-33-4I-SAE
425
SOP8/21+
原裝現(xiàn)貨
SST25VF512-20-4C-SAE
36078
SOP8/-
現(xiàn)貨十年以上分銷(xiāo)商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)
SST25VF512A-33-4C-SAE
200
SOIC8/15+
-
SST25VF512A-33-4I-SAE-T
30000
-/-
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
SST25VF512-20-4C-SAE
142
SOP8/08+
管裝
SST25VF512
5000
SMD/2025+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
SST25VF512
5000
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
SST25VF512
5000
sop/23+
原裝庫(kù)存,提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
SST25VF512
25000
SOP8/22+
只有原裝原裝,支持BOM配單
SST25VF512
5700
NA//23+
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
SST25VF512
6000
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
SST25VF512
7300
sop/23+
原裝現(xiàn)貨
SST25VF512
2450
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
SST25VF512
3000
sop/6
原裝正品熱賣(mài),價(jià)格優(yōu)勢(shì)
SST25VF512
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
(接上期http://www.udpf.com.cn/data/html/2011-9-8/98269.html) 并行i2c 總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te 引腳排列示意圖如圖2 所示。 圖2 并行i 2c總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te引腳排列示意圖 (2)spi 串行i 2c 總線(xiàn)存儲(chǔ)器sst25vf512 介紹 spi i2c 總線(xiàn)是摩托羅拉公司推出的串行總線(xiàn)系統(tǒng),它可以使存儲(chǔ)器與mcu 以串行方式進(jìn)行通信以交換信息。spi 串行i2c 總線(xiàn)存儲(chǔ)器(sst25vf512)引腳排列示意圖如圖3所示。 圖3 spi 串行i 2c總線(xiàn)存儲(chǔ)器引腳圖 sst25vf512是512 kbit存儲(chǔ)器,采用單3.3 v 供電。 圖3 中,ce# 引腳為芯片的片選端,當(dāng)mcu 需要對(duì)該芯片進(jìn)行讀/ 寫(xiě)操作時(shí),必須首先選中該芯片,即在ce# 端送出低電平時(shí),才能對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀/ 寫(xiě)。 so 為mcu 輸入/flash數(shù)據(jù)輸出端;wp# 為寫(xiě)保護(hù)端,低電平有效,也就是說(shuō),當(dāng)該腳為低電平時(shí),禁止向芯片寫(xiě)入數(shù)據(jù)。 si 為mcu 輸出/flash數(shù)據(jù)輸入端;sck 為串行時(shí)鐘端。
存儲(chǔ)器,應(yīng)把⑦腳接地;反之,應(yīng)把⑦腳通過(guò)一個(gè)6.8 kω左右的上拉電阻接+5 v。(欲了解更多信息,請(qǐng)登陸www.udpf.com.cn/data) 3.pdp 彩電flash rom 存儲(chǔ)器介紹 目前,pdp 彩電采用的flash rom 存儲(chǔ)器,主要有兩種形式:一種是并行總線(xiàn)形式,如康佳tm3718 pdp彩電采用的am29lv800d,海信tlm4788p/tlm5229ppdp 彩電采用的sst39vfl601;另一種是spi 串行總線(xiàn)形式,如長(zhǎng)虹lsl0 機(jī)芯pdp 彩電采用的sst25vf512。 下面以并行總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te 和spi 串行總線(xiàn)存儲(chǔ)器sst25vf512 為例簡(jiǎn)要進(jìn)行介紹。 (1)并行總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te 介紹 并行總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te 引腳排列示意圖如圖2 所示。 圖2 并行i 2c總線(xiàn)存儲(chǔ)器29lv800te引腳排列示意圖 29lv800te 是容量為8 mb 的16 bit 并行存儲(chǔ)器,采用單3.3 v 供電。圖2 中的a0~a19 為20 bit地址線(xiàn),dqo~dql5 為16 bit 數(shù)據(jù)線(xiàn)。we 引腳
tkscope實(shí)現(xiàn)spi存儲(chǔ)器啟動(dòng)的仿真步驟及設(shè)置方法與nand flash啟動(dòng)是一樣的。這里只強(qiáng)調(diào)選擇flash算法的不同之處。 用戶(hù)打開(kāi)tkscope驅(qū)動(dòng)安裝目錄下的extflash文件夾,找到lpc3000系列芯片spi存儲(chǔ)器啟動(dòng)外部flash算法文件(路徑為 tkscope\configuration\extflash),如圖8所示。spi接口的flash存儲(chǔ)器有幾種類(lèi)型,tkscope仿真器會(huì)陸續(xù)提供相應(yīng)的算法文件,存放在圖8所示的ext-flash文件夾內(nèi)。本文所用flash為sst25vf512,故選擇 lpc3000_sst25xfxxx.flm。 同樣,tkscope仿真spi存儲(chǔ)器啟動(dòng),也需要連續(xù)2次進(jìn)入到仿真狀態(tài),第2次進(jìn)入仿真狀態(tài)才可正常、正確地調(diào)試。這種操作方法同樣是由 lpc3000系列芯片spi存儲(chǔ)器啟動(dòng)原理決定的:第1次進(jìn)入仿真,主要任務(wù)是下載燒錄程序代碼到spi存儲(chǔ)器中,可以看到flash編程提示框;第2 次進(jìn)入仿真,主要任務(wù)是將lpc3000系列芯片復(fù)位,bootloader把spi存儲(chǔ)器中的程序裝載到內(nèi)部ram中。 tkscope同樣可以實(shí)現(xiàn)
讀、寫(xiě)操作電壓2.7~3.6V; 串行接口結(jié)構(gòu):SPI兼容模式0和模式3; 最大時(shí)鐘頻率:20MHz; 高可靠性,保證100000次讀/寫(xiě)(典型值),數(shù)據(jù)保持超過(guò)100年;超低功耗,動(dòng)態(tài)讀出電流:7mA(典型值),待機(jī)電流:8μA(典型值); 靈活的擦除功能,均勻的4KB扇區(qū),均勻的32KB疊加塊; 快速擦除操作和字節(jié)編程時(shí)間,芯片擦除時(shí)間:70ms(典型值),扇區(qū)/塊擦除時(shí)間:18ms(典型值),字節(jié)編程時(shí)間:14μs(典型值); 自動(dòng)地址增加(AAl)程序:字節(jié)編程操作減少整個(gè)芯片的編程時(shí)間; 寫(xiě)操作完成監(jiān)測(cè):軟件狀態(tài); 保持引腳(HOLD#):在沒(méi)有取消選擇1個(gè)裝置時(shí)掛起一個(gè)串行的序列; 寫(xiě)保護(hù)(WP#):在狀態(tài)寄存器中允許/失效鎖操作方法; 軟件寫(xiě)保護(hù):在狀態(tài)寄存器中通過(guò)塊保護(hù)位寫(xiě)保護(hù); 所有無(wú)鉛裝置遵從Rolls標(biāo)準(zhǔn); 溫度范圍:0~+70℃(商用級(jí)C)