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  • 從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理

    討論了短路持續(xù)時間tsc和柵壓vg、集電極—發(fā)射極導通電壓vce(on)及短路電流isc的關系。 1、 引言 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(safe operating area簡稱soa)使用引起的。因此全面了解soa,并在使用中將igbt的最大直流電流ic和集電極—發(fā)射極電壓vce控制在soa之內是十分重要的。soa分為正偏安全工作區(qū)(fbsoa)、反偏安全工作區(qū)(rbsoa)、開關安全工作區(qū)(ssoa)和短路安全工作區(qū)(scsoa)。 2、 各安全工作區(qū)的物理概念 igbt的soa表明其承受高壓大電流的能力,是可靠性的重要標志。 2.1正偏安全工作區(qū)(fbsoa) fbso是處于vge>閾值電壓vth的輸出特性曲線的有源區(qū)之內,如圖1所示。圖1中abcdo所包圍的區(qū)域為直流安全工作區(qū)。ab段為tc=80℃限制的最大直流電流ic。b點對應的ic和vce的乘積等于最大耗散功率pcm。bc段為等功耗線。cd段為二次擊穿限制的安全工作區(qū)的邊界,此段不是等功耗。隨著vc

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SSM2603 SSM2315 SSM2304 SSM2301 SSM2250 SSM2167-1RM-REEL SSM2167 SSM2166 SSM2143S SSM2142S

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