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新穎中功率NPN三極管ZXTN系列
e(sat) /ic 例如，在ic=6a，飽和管壓降 vce(sat) =0.2v時(shí)，rsat=33mω。由于飽和管壓降與ic大小有關(guān)，所以在rsat的數(shù)值前要注明ic值。例如，在ic=6a時(shí)，rsat=33mω。如果已知ic=6a時(shí)，rsat=33mω,則可以按pd=rsat×ic2求出管耗值，例如，ic=6a時(shí)，rsat= 33mω,則pd為：pd=rsat×ic2 = 33mω×(6a)2=1.188w 用rsat這個(gè)參數(shù)可以與mosfet的rds(on)作一個(gè)比較。例如，型號(hào)為si9426dy的n溝道功率mosfet是20世紀(jì)90年代的產(chǎn)品，在vgs=4.5v時(shí)，其rds(on) =135mω，而zxtn系列在ic=6.5a時(shí)，rsat=23～30mω。 hfe參數(shù)的表達(dá)方式在一般的雙極型三極管的參數(shù)資料中，共發(fā)射極直流放大系數(shù)hfe是一個(gè)確定的ic、一個(gè)確定的vce條件下給出的。例如，某低頻功率三極管的hfe是在ic=0.5a，vce=10v時(shí)，給出hfe=15～180。工廠常用不同顏色的色點(diǎn)給hfe分檔，如紅色點(diǎn)為15～40。實(shí)際上，同一三極管在不同ic時(shí)，其hfe有很大變化

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晶體管極性:

汲極/源極擊穿電壓:

閘/源擊穿電壓:

漏極連續(xù)電流:

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:

配置:

最大工作溫度:

安裝風(fēng)格:

封裝 / 箱體:

封裝:

下降時(shí)間:

正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:

最小工作溫度:

功率耗散:

上升時(shí)間:

工廠包裝數(shù)量:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:

SI9426DY

新穎中功率NPN三極管ZXTN系列

si9426dy替代型號(hào)

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