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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
Si7135DPPDF下載
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI7135DP-T1-GE3PDF下載
日前，vishay intertechnology, inc. 日前宣布推出新型20v和30v p通道trenchfet功率mosfetsi7633dp和si7135dp。這次推出的器件采用so-8封裝，具有±20v柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同類so-8封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至24mω ，而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v時)及5.5mω(在4.5v時)的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類30v器件低27%(在10v時)和28%(在4.5v時)，比最接近的同類25v so-8器件分別低28%和15%。30-v si7135dp的導(dǎo)通電阻為 3.9mω(在10v時)和6.2mω(在4.5v時)，比最接近的同類器件分別低13%(在10v時)和19.5%(在4.5v 時)。 這次推出的兩款mosfet均采用powerpak so-8封裝，可容許比其它so-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間
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