SG2002-1.8XN5/TR
3005
19+/SOT235
原裝現(xiàn)貨，可做市場價
SG2002
5000
SOT235/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務
SG2002
12260
SOT235/23+
高品質 優(yōu)選好芯
SG2002
48000
SOT235/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務
SG2002
60701
SOT235/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照
SG2002
526
SOT235/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
SG2002
3000
SOT235/2010
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
SG2002
8000
SOT235/22+
原裝現(xiàn)貨，配單能手
SG2002
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
SG2002
60000
SOT235/25+
現(xiàn)貨原裝
SG2002
5000
SOT235/23+
原裝庫存，提供優(yōu)質服務
SG2002
7300
SOT235/23+
原裝現(xiàn)貨
SG2002
7300
SOT235/23+
原裝現(xiàn)貨
SG2002
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
SG2002
41000
SOT235/24+
大量現(xiàn)貨 提供一站式配單服務
SG2002
21403
SOT235/23+
原裝現(xiàn)貨，長期供應
SG2002
3180
23+/SOT235
特價原裝現(xiàn)貨，一站配齊
SG2002
80000
-/2024+
原裝現(xiàn)貨
SG2002
9000
-/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
SG2002
28800
SOT235/22+
原裝現(xiàn)貨，提供配單服務
SG2002
HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER A...
MICROSEMI
SG2002PDF下載
SG2002
HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER A...
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
SG2002PDF下載
SG2002-1.8
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
SGMICRO
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SG2002J/DESC
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5...
MICROSEMI
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SG2002-1.5XN5/TR
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
SGMICRO
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SG2002-1.8XN5/TR
300mA, Low Power, Low Noise Low Drop...
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SG2002-2.8XN5/TR
300mA, Low Power, Low Noise Low Drop...
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SG2002-3.0XN5/TR
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
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能的供電系統(tǒng)如圖3-1(d)所示。 圖3-1低壓差線性穩(wěn)壓器(ldo)典型應用 四．國內ldo發(fā)展概況 中國集成電路(ic)產業(yè)經過40余年的發(fā)展，已經形成了一個良好的產業(yè)基礎，并已經進入了一個加速發(fā)展的新階段[2]。借鑒國外先進技術，充分利用國內優(yōu)惠政策，是當前國內各個ic公司發(fā)展的立足點。 作為被廣泛應用于手機、dvd、數(shù)碼相機以及mp3等多種消費類電子產品中的穩(wěn)壓芯片，ldo已引起人們的高度重視。國內早期從事ldo生產的圣邦微電子有限公司生產的sg2001、sg2002及sg2003系列l(wèi)do，足以滿足當前市場上主流電壓、電流的需要；它的sg2004、sg2011以及sg2012系列產品，非常適合于大電流負載應用；而它的sgm2007/2006/2005系列rfldo更適用于手機電源的應用。盡管是國產芯片，但這些芯片的性能絲毫不遜色于國外同類產品，而價格更適合于當前國內市場。 由此看來，國內與國外ic發(fā)展的差距將不會越來越大，每個國人都可以相信，中國不僅可以成為ic產業(yè)的新興地區(qū)，更能成為世界ic強國。 參考文獻 [1]. sg2001 data
如圖3-1(d)所示。 圖3-1 低壓差線性穩(wěn)壓器(ldo)典型應用 四．國內ldo發(fā)展概況 中國集成電路(ic)產業(yè)經過40余年的發(fā)展，已經形成了一個良好的產業(yè)基礎，并已經進入了一個加速發(fā)展的新階段[2]。借鑒國外先進技術，充分利用國內優(yōu)惠政策，是當前國內各個ic公司發(fā)展的立足點。 作為被廣泛應用于手機、dvd、數(shù)碼相機以及mp3等多種消費類電子產品中的穩(wěn)壓芯片，ldo已引起人們的高度重視。國內早期從事ldo生產的圣邦微電子有限公司生產的sg2001、sg2002及sg2003系列l(wèi)do，足以滿足當前市場上主流電壓、電流的需要；它的sg2004、sg2011以及sg2012系列產品，非常適合于大電流負載應用；而它的sgm2007/2006/2005系列rf ldo更適用于手機電源的應用。盡管是國產芯片，但這些芯片的性能絲毫不遜色于國外同類產品，而價格更適合于當前國內市場。 由此看來，國內與國外ic發(fā)展的差距將不會越來越大，每個國人都可以相信，中國不僅可以成為ic產業(yè)的新興地區(qū)，更能成為世界ic強國。 參考文獻 1．王國華，王鴻麟，羊彥等.便攜
之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)會影響其穩(wěn)定性，陶瓷電容器具有較低的esr，大概為10 mω量級，而鉭電容器esr在100 mω量級。另外，許多鉭電容器的esr隨溫度變化很大，會對ldo性能產生不利影響。電容的具體應用需要咨詢ldo廠商以確保正確實施。 6. 封裝 選擇ldo產品時應考慮ldo的散熱，負載大的ldo應盡可能選擇大封裝，這樣有利于ldo性能穩(wěn)定。 ldo應用于開關電源設計 遵循以上原則，本文選擇哈爾濱圣邦微電子有限公司生產的sg2002和sg2012系列l(wèi)do。 應用ldo于開關電源的電路如圖2所示，圖中虛線部分是開關電源通常采用的電路，它可以給ldo提供+6v/1.5a的輸出電壓/電流。該電源應用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分別生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a電壓/電流。圖中l(wèi)do芯片的輸入端和輸出端接有1uf的瓷片電容，以此提高ldo的穩(wěn)定性。在每個ldo
昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)會影響其穩(wěn)定性，陶瓷電容器具有較低的esr，大概為10 mω量級，而鉭電容器esr在100 mω量級。另外，許多鉭電容器的esr隨溫度變化很大，會對ldo性能產生不利影響。電容的具體應用需要咨詢ldo廠商以確保正確實施。 6. 封裝 選擇ldo產品時應考慮ldo的散熱，負載大的ldo應盡可能選擇大封裝，這樣有利于ldo性能穩(wěn)定。 ldo應用于開關電源設計 遵循以上原則，本文選擇哈爾濱圣邦微電子有限公司生產的sg2002和sg2012系列l(wèi)do。 應用ldo于開關電源的電路如圖2所示，圖中虛線部分是開關電源通常采用的電路，它可以給ldo提供+6v/1.5a的輸出電壓/電流。該電源應用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分別生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a電壓/電流。圖中l(wèi)do芯片的輸入端和輸出端接有1uf的瓷片電容，以此提高ldo的穩(wěn)定性。在每個l
鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)會影響其穩(wěn)定性，陶瓷電容器具有較低的esr，大概為10 mω量級，而鉭電容器esr在100 mω量級。另外，許多鉭電容器的esr隨溫度變化很大，會對ldo性能產生不利影響。電容的具體應用需要咨詢ldo廠商以確保正確實施。 6. 封裝 選擇ldo產品時應考慮ldo的散熱，負載大的ldo應盡可能選擇大封裝，這樣有利于ldo性能穩(wěn)定。 ldo應用于開關電源設計 遵循以上原則，本文選擇哈爾濱圣邦微電子有限公司生產的sg2002和sg2012系列l(wèi)do。 應用ldo于開關電源的電路如圖2所示，圖中虛線部分是開關電源通常采用的電路，它可以給ldo提供+6v/1.5a的輸出電壓/電流。該電源應用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分別生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a電壓/電流。圖中l(wèi)do芯片的輸入端和輸出端接有1uf的瓷片電容，以此提高ldo的穩(wěn)定性。在每個
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