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塊的電路設(shè)計 由lnk500構(gòu)成2.5w恒壓/恒流式充電器模塊的內(nèi)部電路如圖1所示。fr為可自恢復(fù)熔斷電阻器,它具有限流保護(hù)作用并能限制上電時的沖擊電流。由vd1~vd4構(gòu)成橋式整流,由電感l(wèi)1、l2和電容c1、c2組成低功耗π型濾波器,能濾除電磁干擾。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500內(nèi)部功率mosfet導(dǎo)通時,輸出整流管vd6截止,此時電能就儲存在高頻變壓器中。當(dāng)功率mosfet關(guān)斷時,vd6導(dǎo)通,儲存在高頻變壓器中的能量就通過次級電路輸出。vd6采用1a/100v的肖特基二極管sb1100,r4和c7并聯(lián)在vd6兩端,能防止vd6在高頻開關(guān)狀態(tài)下產(chǎn)生自激振蕩。c6為輸出端濾波電容。r5為22kω的負(fù)載電阻。 圖1 2.5w恒壓/恒流式充電器模塊的內(nèi)部電路 由r1、c3和vd5構(gòu)成的rcd型箝位電路具有以下功能: 1)當(dāng)功率mosfet關(guān)斷時,對初級感應(yīng)電壓進(jìn)行箝位; 2)能簡化反饋電路的設(shè)計。 控制端的反饋電流由電阻r2來設(shè)定。剛啟動電源時由控制端電容c4給lnk500供電,c4還決定了自動重啟動頻率。 為了降低電磁干擾,高頻變壓器的初級設(shè)計了兩個繞組,
電器模塊的電路設(shè)計由lnk500構(gòu)成2.5w恒壓/恒流式充電器模塊的內(nèi)部電路如圖1所示。fr為可自恢復(fù)熔斷電阻器,它具有限流保護(hù)作用并能限制上電時的沖擊電流。由vd1~vd4構(gòu)成橋式整流,由電感l(wèi)1、l2和電容c1、c2組成低功耗π型濾波器,能濾除電磁干擾。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500內(nèi)部功率mosfet導(dǎo)通時,輸出整流管vd6截止,此時電能就儲存在高頻變壓器中。當(dāng)功率mosfet關(guān)斷時,vd6導(dǎo)通,儲存在高頻變壓器中的能量就通過次級電路輸出。vd6采用1a/100v的肖特基二極管sb1100,r4和c7并聯(lián)在vd6兩端,能防止vd6在高頻開關(guān)狀態(tài)下產(chǎn)生自激振蕩。c6為輸出端濾波電容。r5為22kω的負(fù)載電阻。由r1、c3和vd5構(gòu)成的rcd型箝位電路具有以下功能:1)當(dāng)功率mosfet關(guān)斷時,對初級感應(yīng)電壓進(jìn)行箝位;2)能簡化反饋電路的設(shè)計。控制端的反饋電流由電阻r2來設(shè)定。剛啟動電源時由控制端電容c4給lnk500供電,c4還決定了自動重啟動頻率。為了降低電磁干擾,高頻變壓器的初級設(shè)計了兩個繞組,分別為np1及np2。np2被稱為"抵消繞組"(cancellation windi
電流參數(shù):IF(AV)=1A/IR=0.5mA/Irr=30mA/IFSM=40A電壓參數(shù):URRM=100V/UF=850mV功 率:PD=1.25W備 注:肖特基二極管(Irr為Ta=75℃值)
1n5822的反壓才40v,其他倒?jié)M足。sb1100 電流小,其他倒?jié)M足.