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pvi1050n供應商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • 對浪涌電流導致的MOSFET發(fā)熱的仿真分析

    時，mosfet的狀態(tài)。若vds大于100mv，則為該信道增加一個1μω阻抗。若vds小于100mv，則假定mosfet處在導通態(tài)，并加上依賴溫度的drds(on)。*bient是殼的環(huán)境溫度。在該模型中，使殼溫等于*bient；但，可容易地擴展該熱網(wǎng)絡以包括系統(tǒng)的散熱效應。 建模實例：高端開關 為解讀動態(tài)電熱建模方法在功率開關應用中如何在選取、驅(qū)動并散熱mosfet中發(fā)揮積極效用，驅(qū)動容性負載的高端開關是個好例子。在該例中，負載是一個有大容量輸入電容的電源。 圖7顯示的是pvi1050n光伏隔離器的行為模型，它由一個等效的集電極/漏級開路晶體管控制。state1、state2和trans1觸發(fā)并控制開關s1。c1和r2模擬pcb負載。r2得到10.8a的穩(wěn)態(tài)負載，而c1代表電源的大電容。igate、vgs和pwr_fet分別是電流、電壓和功率探針。irfp4232是準動態(tài)mosfet模型，它是采用前述方法建構的。圖中顯示的連接mosfet的散熱片是一片to-247，其建模后的熱阻抗是4.7℃/w。通過散熱片的殼體到環(huán)境熱通路的熱容抗忽略不計，因它比封裝的熱容抗大。這樣，它不會對

pvi1050n替代型號

PVG612AS PVG612A PVG612 PVCA PVC75-16 PV350 PURE PUNCH PUMX1 PULSE

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