PSD813F2在FPGA配置中的應(yīng)用

關(guān)鍵詞：可編程外圍器件（psd） 在應(yīng)用可編程（iap） 可編程門陣列（fpga) 隨著單片機的廣泛應(yīng)用，其性能不斷提高，集成度也日益提高。然而，傳統(tǒng)的單片機系統(tǒng)設(shè)計需要眾多分離器件（如地址鎖存器、譯碼器、ram、eprom、pld等），使得系統(tǒng)復(fù)雜、可靠性低，并且調(diào)試繁瑣、效率較低?？删幊涕T陣列（fpga）需要外置存儲器，且配置存儲器多為otp型，價格較高；加之，利用fpga的jtag口配置fpga距離有限，調(diào)試不甚方便。 本文主要介紹一種基于閃爍存儲器的在線可編程微處理器外圍器件psd813f2組成的單片機系統(tǒng)，同時利用該系統(tǒng)配置fpga。即通過計算機串口將fpga（本文以altera公司10k系列為例）設(shè)計在線下載到單片機系統(tǒng)，由psd813f2配置fpga，實現(xiàn)iap（in application programming）的功能。1 psd813f2性能特點 psd813f2是psd（programmable system devices）家庭的新成員，是基于閃爍存儲器的在線可編程外圍器件。它將單片機系統(tǒng)所需的外圍器件集成在一起，并能與單片機進行無縫連接，因而簡化了調(diào)度，提高了可

PSD813F2在FPGA配置中的應(yīng)用

摘要：可編程外圍器件PSD應(yīng)用于單片機系統(tǒng)后，簡化了單片機外圍電路的設(shè)計，增加了系統(tǒng)的可靠性；利用PSD與單片機組成的系統(tǒng)，通過計算機串口對FPGA進行實時在線編程、仿真和配置。

PSD813F2A-90MI的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:PSD813F2A-90MI
速度(ns):90
電壓(v):5
I/O:27
FLASH(位):1M
EEPRPM(位):－
第二個FLASH(位):256k
SRAM(位):16k
PLD輸入:73
宏單元輸入/輸出:24/16
JTAG/ISP:√
加密特性:√
Turbo方式:－
封裝/...

PSD813F2V-A-15JI的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:PSD813F2V-A-15JI
速度(ns):150
電壓(v):3.300
I/O:27
FLASH(位):1M
EEPRPM(位):－
第二個FLASH(位):256k
SRAM(位):16k
PLD輸入:73
宏單元輸入/輸出:24/16
JTAG/ISP:√
加密特性:√
Turbo方式:√

PSD813F2VA-15J的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:PSD813F2VA-15J
速度(ns):150
電壓(v):3.300
I/O:27
FLASH(位):1M
EEPRPM(位):－
第二個FLASH(位):256k
SRAM(位):16k
PLD輸入:73
宏單元輸入/輸出:24/16
JTAG/ISP:√
加密特性:√
Turbo方式:√
...

PSD813F2V-A-15J的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:PSD813F2V-A-15J
速度(ns):150
電壓(v):3.300
I/O:27
FLASH(位):1M
EEPRPM(位):－
第二個FLASH(位):256k
SRAM(位):16k
PLD輸入:73
宏單元輸入/輸出:24/16
JTAG/ISP:√
加密特性:√
Turbo方式:－

PSD813F2

Flash系統(tǒng)內(nèi)可編程(ISP)外設(shè)作為8位MCU；雙組合Flash存儲器：高達2M位主要的Flash存儲器(8個均勻扇區(qū))，高達256K位次級Flash存儲器具有4個扇區(qū)，并發(fā)操作：READ從1個存儲器讀取，當(dāng)擦除和寫入其他時；高達256K位SRAM(電池備份)；27個重構(gòu)I/O：27個單獨配置的I/O端口引腳可用于下列功能：MCU I/O和PLD I/O，鎖存MCU地址輸出，特殊功能的I/O，16個I/O端口可以作為開漏輸出配置；系統(tǒng)內(nèi)編程(ISP)具有JTAG：內(nèi)置JTAG兼谷的串行端口允許全片系統(tǒng)內(nèi)可編程：高效率的制造，允許簡單產(chǎn)品測試和編程，使用具有PC的低成本電纜；頁寄存器：內(nèi)部頁寄存器，可以用來擴大微控制器地址空間，通過1個256因素；可編程電源管理；高耐力：100000次擦除/寫入周期的Flash存儲器，1000次擦除/寫周期的可編程邏輯器件，數(shù)據(jù)保存：15年；單電壓：5V±0.5V；待機電流低至50μA