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3個繞組分別為:np原邊繞組(65匝);ns副邊繞組(即輸出繞組,13匝);nf反饋繞組(8匝);各繞組同名端在圖2中已標(biāo)出。變壓器中能量傳遞過程為:當(dāng)topswitch中的功率mosfet導(dǎo)通時,變壓器原邊繞組儲存能量;當(dāng)功率mosfet關(guān)斷時,原邊繞組中儲存的能量傳遞給副邊繞組和反饋繞組,經(jīng)高頻整流濾波后即可提供直流輸出電壓和反饋電壓。圖3、4、5 dz1,d1和r1,c2組成了漏極箝位電路和能量吸收回路,用以限制topswitch漏極因高頻變壓器的漏感而可能產(chǎn)生的尖峰電壓。dz1選用p6ke200a型瞬態(tài)電壓抑制器(tvs),其反向擊穿電壓為200v。d1選用mur160型超快恢復(fù)二極管,其最大反向耐壓值為600v。由于topswitch的漏—源極最小擊穿電壓為700v,而當(dāng)其功率mosfet關(guān)斷時,變壓器原邊的直流輸入電壓、原邊繞組的感應(yīng)電壓以及由變壓器的漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,三者疊加在一起,其值可能超過700v,故必須在topswitch的漏極增加箝位電路和吸收電路,用以保護功率mosfet不被損壞。c3為topswitch控制端的旁路電容,其作用是對控制電路進行補償,并能設(shè)定自動重啟
,進一步提高電源效率。多路輸出的開關(guān)電源設(shè)計由top247y構(gòu)成的多路開關(guān)電源原理圖見圖2,其中輸出三路200ma、15v的直流電,一路400ma、15v的直流電,以及1a、5v的直流電。多路電源用高頻變壓器獲得多組電壓輸出,經(jīng)快速恢復(fù)二極管、電容濾波后得到多路直流電源。當(dāng)電源輸入交流85~265v時,交流電壓u依次經(jīng)過電磁干擾(emi)濾波器(c1,l1)、輸入整流濾波器(kbl406g,c2)獲得直流高壓ui。ui經(jīng)過r1接l端,能使極限電流隨ui升高而降低。它使用c3,vd型漏極鉗位二極管p6ke200a和阻斷二極管d1,以替代價格較高的tvs(瞬態(tài)電壓抑制器),用于吸收在top247y關(guān)斷時由高頻變壓器漏感產(chǎn)生的尖峰電壓,對漏極起到保護作用。次級電壓經(jīng)過整流、濾波后獲得多路輸出。其中15v電源輸出所用的是快速恢復(fù)二極管,其他輸出用的二極管是肖特基二極管,其目的是減少整流管的損耗。 該電源采用3枚芯片,包括top247y(u1)、光耦合器ltv817a,以及可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓管lm431。為減小高頻變壓器體積和增強磁場耦合程度,次級繞組采用了堆疊式繞法。其穩(wěn)壓原理為,u=ur4+uz+ul
器t2的初級繞組上會產(chǎn)生尖峰電壓和反射電壓,其中尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感而形成,直流高壓和反射電壓疊加后很容易損壞mosfet管。因此,必須設(shè)計箝位保護電路,對尖峰電壓進行箝位和吸收。 圖2中vd1和vd2構(gòu)成的箝位電路可防止高壓對top256y的損壞,vd1與vd2的選擇由反射電壓vor決定。vor一般取135 v,vd1箝位電壓 vclo可取1.5倍vor,vd2的耐壓值應(yīng)大于最大直流輸入電壓vdcmax。 本設(shè)計中vd1采用反向擊穿電壓為200 v的tvs(瞬態(tài)電壓抑制器)p6ke200a,vd2采用反向耐壓為600 v的超快恢復(fù)二極管fr107。 2.4 欠壓過壓保護電路設(shè)計 通過在v引腳與直流電壓間連接一個4 mω的阻抗來實現(xiàn)線電壓檢測。如果直流輸入電壓升至400 v以上,在電壓恢復(fù)正常值前top256y將停止工作,以防止器件的損壞。如果直流輸入電壓低于100 v, 在輸入電壓達到欠壓閾值前top256y保持關(guān)斷;在斷電時,防止它在輸出失調(diào)后自動重啟動。 2.5 外部流限保護電路 電阻r1、r2和r3用來限制輸出功率,這樣可以在輸入電壓波動時維持相對恒定的過載
產(chǎn)品型號:P6KE200ARLG
峰值反向工作電壓VRWM(V):171
雪崩電壓VBRMin(V):200
IT(mA):1
最大反向電壓(鉗位電壓)VC(V):274
最大反向浪涌電流Ipp(A):2.200
最大反向漏電流IR(uA):5
芯片標(biāo)識(MARK):-
封裝/溫度(℃):軸芯線/-...
產(chǎn)品型號:P6KE200AG
峰值反向工作電壓VRWM(V):171
雪崩電壓VBRmin(V):200
IT(mA):1
最大反向電壓(鉗位電壓)Vc(V):274
最大反向浪涌電流Ipp(A):2.200
最大反向漏電流IR(uA):5
芯片標(biāo)識(MARK):-
封裝/溫度(℃):軸芯線/-55...
電流參數(shù):IT=1mA/IPPM=2.2A/IR=5μA/IFSM=100A電壓參數(shù):URWM=171.0V/UBR=210V/UC=274V功 率:PPPM=600W備注:瞬態(tài)電壓抑制二極管
,進一步提高電源效率。多路輸出的開關(guān)電源設(shè)計由top247y構(gòu)成的多路開關(guān)電源原理圖見圖2,其中輸出三路200ma、15v的直流電,一路400ma、15v的直流電,以及1a、5v的直流電。多路電源用高頻變壓器獲得多組電壓輸出,經(jīng)快速恢復(fù)二極管、電容濾波后得到多路直流電源。當(dāng)電源輸入交流85~265v時,交流電壓u依次經(jīng)過電磁干擾(emi)濾波器(c1,l1)、輸入整流濾波器(kbl406g,c2)獲得直流高壓ui。ui經(jīng)過r1接l端,能使極限電流隨ui升高而降低。它使用c3,vd型漏極鉗位二極管p6ke200a和阻斷二極管d1,以替代價格較高的tvs(瞬態(tài)電壓抑制器),用于吸收在top247y關(guān)斷時由高頻變壓器漏感產(chǎn)生的尖峰電壓,對漏極起到保護作用。次級電壓經(jīng)過整流、濾波后獲得多路輸出。其中15v電源輸出所用的是快速恢復(fù)二極管,其他輸出用的二極管是肖特基二極管,其目的是減少整流管的損耗。 該電源采用3枚芯片,包括top247y(u1)、光耦合器ltv817a,以及可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓管lm431。為減小高頻變壓器體積和增強磁場耦合程度,次級繞組采用了堆疊式繞法。其穩(wěn)壓原理為,u=ur4+uz+ul
率開關(guān)管; 6)啟動電路; 7)欠壓鎖定電路; 8)過熱保護電路; 9)狀態(tài)控制器。 由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a、52w開關(guān)電源的電路如圖3所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍是92v~276v vd1~vd4為整流橋。初級保護電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位保護電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效抑制高頻變壓器漏感產(chǎn)生的尖 峰 電 壓 , 保 護mc33374內(nèi) 部 的 功 率 開 關(guān) 管 不 受 損 壞 。vdz采 用 p6ke200a型 瞬 態(tài) 電 壓 抑 制 器 ( tvs) , 圖 中 阻 容 元 件r1、c3的 序 號 空 缺 , 根 據(jù) 需 要 亦 可 將r2、c2的 串 聯(lián) 電 路 , 改 成 由r1(20 kω 、 2 w)和c3( 0.1 μ f、 400 v) 并 聯(lián) 后 再 串 以 超 快 恢 復(fù) 二 極 管 , 組 成r、c、vd型 保 護 電 路 。c5為ucc端 的 旁 路 電 容 。 sb為 控 制 開 關(guān) 電 源 通 、 斷 狀 態(tài) 的 按 鍵 。vd6與c6組 成 反 饋 繞 組 輸 出 端 的
相關(guān)元件pdf下載:mc33374 mbr20100ct 由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a 52w開關(guān)電源的電路如圖所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍為92~276v。整流橋vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初級保護電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效地抑制因高頻變壓器存在漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,保護mc33374內(nèi)部的功率開關(guān)管不受損壞。vdz采用p6ke200a型瞬變電壓抑制二極管(tvs),其反向擊穿電壓ub=200v。vd5選用的是murl60型超快恢復(fù)二極管(srd)。注意,該圖中阻容元器件r1、c3的序號空缺,根據(jù)需要亦可將r2、c2的串聯(lián)電路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并聯(lián)后再串以超快恢復(fù)二極管后,組成r、c、vd型保護電路。 c5為vcc端的旁路電容。s為控制開關(guān)穩(wěn)壓電源通、斷狀態(tài)的按鍵。s上串接r7后,能提高模式轉(zhuǎn)換的可靠性。vd6與c6組成反饋線圈輸出端的高頻整流濾波器。次級高頻整流管采用大電流、低壓降的肖特基二極管,型號為mbr20100c
由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a 52w開關(guān)電源的電路如圖所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍為92~276v。整流橋vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初級保護電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效地抑制因高頻變壓器存在漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,保護mc33374內(nèi)部的功率開關(guān)管不受損壞。vdz采用p6ke200a型瞬變電壓抑制二極管(tvs),其反向擊穿電壓ub=200v。vd5選用的是murl60型超快恢復(fù)二極管(srd)。注意,該圖中阻容元器件r1、c3的序號空缺,根據(jù)需要亦可將r2、c2的串聯(lián)電路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并聯(lián)后再串以超快恢復(fù)二極管后,組成r、c、vd型保護電路。 c5為vcc端的旁路電容。s為控制開關(guān)穩(wěn)壓電源通、斷狀態(tài)的按鍵。s上串接r7后,能提高模式轉(zhuǎn)換的可靠性。vd6與c6組成反饋線圈輸出端的高頻整流濾波器。次級高頻整流管采用大電流、低壓降的肖特基二極管,型號為mbr20100ct(20a/100v)。此管屬于共陰對管,兩個負(fù)極(陰極)在內(nèi)部短接,使用時需將兩
p6ke200a的正負(fù)極?(瞬態(tài)吸收)二極管的正負(fù)極?公司外配一批元器件,其中p6ke200a瞬態(tài)吸收二極管上除了寫了個“p6ke200a”和一個可能是廠商標(biāo)志的符號外,并沒有二極管表示極性的白環(huán)???那正負(fù)極怎么區(qū)分的?是我孤陋寡聞?還是這個廠家沒有按照規(guī)范做事???
p6ke200a是必須要用的,整流的管子只要參數(shù)相近都可以替換不知道你的原因是什么,可否說清楚一點?