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188437
SOT563/22+
原裝有現(xiàn)貨實(shí)單可談
NTZS3151PT1G
188437
SOT563/22+
原裝有現(xiàn)貨實(shí)單可談
NTZS3151PT1
7600
SOT563/22+
原裝
NTZS3151PT1
6000
SOT563/23+
專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨
NTZS3151PT1
7600
SOT563/23+
原裝
NTZS3151PT1
6000
SOT563/22+
專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨
NTZS3151PT1
6000
SOT563/22+
原裝，提供BOM配單服務(wù)
NTZS3151PT1
10000
SMD/23+
原裝，提供一站式配單服務(wù)
NTZS3151PT1
5000
SOT563/2019+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
NTZS3151PT1
7000
SOT563/08+
原裝正品/假一罰十
NTZS3151PT1
6000
SOT563/22+
專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨
NTZS3151PT1
75546
SOT563/18+
原裝現(xiàn)貨可出樣品-高價(jià)收新庫(kù)存13632853267
NTZS3151PT1G
669902
SOT563/22+
原裝可開發(fā)票
NTZS3151PT1G
2000
SOT563/2012+
進(jìn)口原裝-現(xiàn)貨
NTZS3151PT1G
68000
SOT563/21+
原裝
NTZS3151PT1G
4000
SOT563/24+
什么貨報(bào)什么貨可供更多現(xiàn)貨
NTZS3151PT1G
54973
-/25+
原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來(lái)電或QQ洽談
NTZS3151PT1G
1
SMD/2025+
全系列收丨高效率接
NTZS3151PT1G
4000
1031+/SOT563
原裝現(xiàn)貨 力挺實(shí)單
NTZS3151PT1G
300000
SOT563/23+
一級(jí)代理商可提供技術(shù)方案支持
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
NTZS3151PT1GPDF下載
rds(on)比目前同類封裝的mosfet降低60％，可導(dǎo)通更大電流。 安森美半導(dǎo)體的溝道m(xù)osfet有三種微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節(jié)約了寶貴的板空間。因mosfet極易受到靜電放電（esd）的損害，且封裝越小，受esd損害的可能性越大，安森美半導(dǎo)體所以將齊納二極管集成至溝道m(xù)osfet門，提供優(yōu)異的esd保護(hù)?？傊@些封裝、性能和集成度的改進(jìn)進(jìn)一步簡(jiǎn)化整體板設(shè)計(jì)并騰出額外的板空間。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于達(dá)850 ma高端負(fù)載開關(guān)的p溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高達(dá)915 ma低端負(fù)載開關(guān)的n溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- ntzd3155ct1：互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開關(guān)或小電流直流至直流轉(zhuǎn)換。 每個(gè)器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的sot-563和三引腳高度0.8mm的 sc-89為扁平引腳封裝
公司的trench技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度，同時(shí)降低了漏極和源極之間的電阻(rds(on))，其rds(on)范圍介于150至900mω之間，因此可以導(dǎo)通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門，以此提供良好的esd保護(hù)。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負(fù)載開關(guān)的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達(dá)915ma低端負(fù)載開關(guān)的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開關(guān)或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個(gè)器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的sc-7
h技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度，同時(shí)降低了漏極和源極之間的電阻(rds(on))，其rds(on)范圍介于150至900mω之間，因此可以導(dǎo)通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門，以此提供良好的esd保護(hù)。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負(fù)載開關(guān)的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達(dá)915ma低端負(fù)載開關(guān)的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開關(guān)或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個(gè)器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的
產(chǎn)品型號(hào):NTZS3151PT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):150
最大漏極電流Id(on)(A):0.950
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):SOT-563/-55 ~150
描述:-20 V, -950 mA 雙功率MOSFET帶ESD保護(hù)
價(jià)格/1片...
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