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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>ntb30n20 更新時間:2025-08-25 16:05:54

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ntb30n20中文資料

  • NTB30N20的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:ntb30n20源漏極間雪崩電壓vbr(v):200源漏極最大導通電阻rds(on)(mω):30最大漏極電流id(on)(a):30通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):d2pak/-55~175描述:30a,200v邏輯電平的功率mosfet價格/1片(套):¥17.90 來源:xiangxueqin

  • NTB30N20T4G的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTB30N20T4G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):200
    源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):81
    最大漏極電流Id(on)(A):30
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:30 A, 200 V功率MOSFET
    價格/1片(套):¥16.40

    <...

  • NTB30N20的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTB30N20
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):200
    源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):30
    最大漏極電流Id(on)(A):30
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):D2PAK/-55~175
    描述:30A,200V邏輯電平的功率MOSFET
    價格/1片(套):¥17.90

ntb30n20替代型號

NTB30N06L NTB30N06G NTB30N06 NTB27N06L NTB25P06T4G NTB25P06G NTB25P06 NTB23N03R NTB22N06L NTB18N06L

NTB30N20T4G NTB35N15 NTB35N15T4G NTB4302 NTB4302T4G NTB45N06 NTB45N06T4G NTB52N10 NTB52N10T4 NTB52N10T4G

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