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nta4151pt1供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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nta4151pt1中文資料

  • 安森美新型低壓溝道MOSFET

    體的溝道技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度。rds(on)比目前同類(lèi)封裝的mosfet降低60％，可導(dǎo)通更大電流。 安森美半導(dǎo)體的溝道m(xù)osfet有三種微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節(jié)約了寶貴的板空間。因mosfet極易受到靜電放電（esd）的損害，且封裝越小，受esd損害的可能性越大，安森美半導(dǎo)體所以將齊納二極管集成至溝道m(xù)osfet門(mén)，提供優(yōu)異的esd保護(hù)?？傊@些封裝、性能和集成度的改進(jìn)進(jìn)一步簡(jiǎn)化整體板設(shè)計(jì)并騰出額外的板空間。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于達(dá)850 ma高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的p溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高達(dá)915 ma低端負(fù)載開(kāi)關(guān)的n溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- ntzd3155ct1：互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開(kāi)關(guān)或小電流直流至直流轉(zhuǎn)換。 每個(gè)器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的sot-563和三引腳

  • 安森美低壓Trench MOSFET導(dǎo)通電阻低至150mΩ

    。 這些新型的低壓mosfet采用安森美公司的trench技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度，同時(shí)降低了漏極和源極之間的電阻(rds(on))，其rds(on)范圍介于150至900mω之間，因此可以導(dǎo)通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門(mén)，以此提供良好的esd保護(hù)。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達(dá)915ma低端負(fù)載開(kāi)關(guān)的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開(kāi)關(guān)或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個(gè)器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc-89為

  • 安森美低壓Trench MOSFET導(dǎo)通電阻低至150mΩ 2005

    的低壓mosfet采用安森美公司的trench技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度，同時(shí)降低了漏極和源極之間的電阻(rds(on))，其rds(on)范圍介于150至900mω之間，因此可以導(dǎo)通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門(mén)，以此提供良好的esd保護(hù)。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達(dá)915ma低端負(fù)載開(kāi)關(guān)的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補(bǔ)n溝道和p溝道的組合，用于集成負(fù)載開(kāi)關(guān)或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個(gè)器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc

  • NTA4151PT1G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):NTA4151PT1G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):20(min)
    源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):360
    最大漏極電流Id(on)(A):0.760
    通道極性:P溝道
    封裝/溫度(℃):SC-75/-55 ~150
    描述:小信號(hào)p溝道-20 V, -760 mA MOSFET 帶ESD保護(hù)

nta4151pt1替代型號(hào)

NTA4151P NTA4001NT1G NTA4001N NT7534 NT73 NT68F63LG NT68F63L NT68F633LG NT6868A-0049 NT68521

NTA4151PT1G NTA4153N NTA4153NT1 NTA4153NT1G NTA7002NT1G NTB125N02RT4G NTB13N10 NTB18N06L NTB22N06L NTB23N03R

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