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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出高壓MOSFET系列
提供充沛的500 v到600 v負(fù)載開關(guān)方案選擇，更好地服務(wù)我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴(kuò)充高壓功率mosfet產(chǎn)品陣容，為消費(fèi)及工業(yè)客戶提供針對(duì)性的方案。這些新器件的推出是安森美半導(dǎo)體不斷加強(qiáng)其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實(shí)例。” 新推出的600 v mosfet器件包括： -ndd02n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元 -ndd02n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元 -ndd03n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元 -ndd03n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元 -ndd04n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元 -ndd04n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元 -ndf04n60zg，采用to-220fp封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元 -ndf06n60zg，采用to-220fp封裝，每10,000片批量的

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標(biāo)準(zhǔn)包裝:

類別:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特點(diǎn):

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

包裝:

其它名稱:

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ndd03n60z-1g替代型號(hào)

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