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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>nand128w3a2bn6e 更新時間:2025-08-25 11:56:13

nand128w3a2bn6e供應商優(yōu)質現(xiàn)貨

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歷史最低報價:¥6.0000 歷史最高報價:¥100.0000 歷史平均報價:¥21.9125

nand128w3a2bn6e中文資料

  • ST 128兆位 NAND 閃存芯片

    意法半導體(stmicro)今天宣布128兆位nand閃存芯片nand128w3a2bn6e的生產(chǎn)轉向90納米制造工藝,這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗,這些設備包括數(shù)碼相機、語音筆、pda、機頂盒(stb)、打印機和捆綁式閃存卡。st的nand128是當今市場上僅有的一個采用90nm 制造工藝的128-mbit nand 閃存。 新產(chǎn)品證明了st繼續(xù)開發(fā)低密度“小頁”nand閃存產(chǎn)品的承諾,以支持正在使用目前已量產(chǎn)的該系列產(chǎn)品的用戶。nand128w3a2bn6e 是一個采用tsop封裝的3v產(chǎn)品,以消費電子產(chǎn)品為目標應用。另兩款產(chǎn)品256-mbit和512-mbit的nand閃存(均有3v 和1.8v兩個版本)也將在今后幾個月內(nèi)過渡到90納米制造工藝。 nand128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫能力,該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸,從而降低了芯片的引腳數(shù)量,并允許使用一個模塊化的nand接口,使設備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高(或更低)密度的改進系統(tǒng)。 st提供的軟件工具套件支持快速的產(chǎn)品開發(fā),能夠

  • 意法半導體推出采用90nm 制造工藝的128-Mbit NAND 閃存

    閃存芯片供應商意法半導體近日采用90nm制造工藝的128mbit nand閃存nand128w3a2bn6e。 nand128w3a2bn6e 是一個采用tsop封裝的3v產(chǎn)品,以消費電子產(chǎn)品為目標應用。另兩款產(chǎn)品256mbit和512mbit的nand閃存(均有3v 和1.8v兩個版本)也將在今后幾個月內(nèi)過渡到90納米制造工藝。 nand128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫能力,該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸,從而降低了芯片的引腳數(shù)量,并允許使用一個模塊化的nand接口,使設備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高(或更低)密度的改進系統(tǒng)。 新的閃存芯片由1024個標稱16字節(jié)的區(qū)塊組成,每個區(qū)塊又分成512字節(jié)的頁面,每頁還有16個備用字節(jié),同時每個頁面均可執(zhí)行讀取與編程操作。備用字節(jié)用于糾錯、軟件卷標或壞塊識別。備份編程(copy back program)模式能給儲存在某一個頁面的數(shù)據(jù)編程,然后將編程數(shù)據(jù)直接轉存到另一個頁面上,而無需額外的緩存。當頁面編程操作因一個損壞區(qū)塊而失敗時,這個功能特別有用。新器件還提供區(qū)塊擦除指令,擦除一個區(qū)塊的時間僅需

  • ST推出首個采用90納米工藝的128Mb NAND閃存

    閃存芯片供應商意法半導體(st)日前宣布128兆位nand閃存芯片nand128w3a2bn6e的生產(chǎn)轉向90納米制造工藝,這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗,這些設備包括數(shù)碼相機、語音筆、pda、機頂盒(stb)、打印機和捆綁式閃存卡。st的nand128據(jù)稱是當今市場上僅有的一個采用90nm制造工藝的128-mbit nand閃存。 新產(chǎn)品證明了st繼續(xù)開發(fā)低密度“小頁”nand閃存產(chǎn)品的承諾,以支持正在使用目前已量產(chǎn)的該系列產(chǎn)品的用戶。nand128w3a2bn6e是一個采用tsop封裝的3v產(chǎn)品,以消費電子產(chǎn)品為目標應用。另兩款產(chǎn)品256-mbit和512-mbit的nand閃存(均有3v和1.8v兩個版本)也將在今后幾個月內(nèi)過渡到90納米制造工藝。 nand128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫能力,該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸,從而降低了芯片的引腳數(shù)量,并允許使用一個模塊化的nand接口,使設備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高(或更低)密度的改進系統(tǒng)。 st提供的軟件工具套件支持快速的產(chǎn)品開發(fā),能

  • ST率先采用90nm工藝技術生產(chǎn)的128Mb NAND閃存

    意法半導體公司(st)推出采用90nm工藝技術的128mb nand閃存器件――nand128w3a2bn6e。90nm技術降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數(shù)碼相機、錄音機、pda、機頂盒(stb)、打印機和各種閃存卡等消費類電子產(chǎn)品。據(jù)介紹,nand128是目前市場上唯一采用90nm工藝技術的128mb閃存。 nand128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號在8位總線上復接,降低了引腳數(shù)量,允許使用標準組件的nand接口,使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品,而不用改變占位面積。 該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度,并延長存儲器芯片的使用時間。工具包括誤差修正碼(ecc)軟件;用來識別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(bbm)(在擦除或編程操作時,通過將數(shù)據(jù)復制到正確區(qū)塊實現(xiàn));通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(erase and program)操作的wear leveling算法,以優(yōu)化器件的使用年限;文件系統(tǒng)os參考軟件,以及硬件仿真模型。 此存儲器有1024個名義上16kb區(qū)塊,每個能分成512b的頁,每頁有1

  • ST率先采用90nm工藝技術生產(chǎn)的128Mb NAND閃存

    意法半導體公司(st)推出采用90nm工藝技術的128mb nand閃存器件——nand128w3a2bn6e。90nm技術降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數(shù)碼相機、錄音機、pda、機頂盒(stb)、打印機和各種閃存卡等消費類電子產(chǎn)品。據(jù)介紹,nand128是目前市場上唯一采用90nm工藝技術的128mb閃存。 nand128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號在8位總線上復接,降低了引腳數(shù)量,允許使用標準組件的nand接口,使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品,而不用改變占位面積。 該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度,并延長存儲器芯片的使用時間。工具包括誤差修正碼(ecc)軟件;用來識別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(bbm)(在擦除或編程操作時,通過將數(shù)據(jù)復制到正確區(qū)塊實現(xiàn));通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(erase and program)操作的wear leveling算法,以優(yōu)化器件的使用年限;文件系統(tǒng)os參考軟件,以及硬件仿真模型。 此存儲器有1024個名義上16kb區(qū)塊,每個能分成512b的頁,每頁有16個空余字節(jié)(b

nand128w3a2bn6e替代型號

NAND08GW3B2A NAME NAIS NACW215 N9926A N9340B N9340A N9310A N926 N87C196MC

NAND256 NAND256W3A NAND512W3A NANO NANTES NATIONAL NB100 NB100ELT23LDG NB100LVEP221FAG NB100LVEP222FAG

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