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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>mur1100 更新時間:2025-08-30 16:59:58

mur1100供應商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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mur1100價格行情

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歷史最低報價:¥0.4500 歷史最高報價:¥2.0000 歷史平均報價:¥1.3000

mur1100中文資料

  • HL201A GTR驅(qū)動器的參數(shù)、特點、工作原理及應用

    agtr的專用厚膜可驅(qū)動器集成電路,文章中說明了hl201a的引腳排列、用法和功能。并且講解了該器件的主要參數(shù)和特點,剖析了它的工作原理和內(nèi)部結(jié)構(gòu),給出了它的典型應用電路和用于斬波器系統(tǒng)的實際電路。 hl201a gtr驅(qū)動器適用于小于75agtr的直接驅(qū)動。它采用厚膜工藝制造,內(nèi)置微分變壓器,可以實現(xiàn)輸入、輸出信號的隔離,具有較高的可靠性、受環(huán)境因素影響程度小、價格比較便宜及性能優(yōu)良等優(yōu)勢。hl201a gtr厚膜驅(qū)動器是我國的首創(chuàng)。它的響應速度快,并具有貝克鉗位端,外與高反壓快速二極管mur1100相接即可實現(xiàn)貝克鉗位。它的較大的輸出功率可直接驅(qū)動75a以內(nèi)的gtr模式。 1.引腳排列和功能 hl201a是采用單列直插法案標準16引腳厚膜集成電路封裝的,其引腳排列如圖1所示,各引腳的符號、名稱、功能及使用說明如表1所列。 表1 hl201的引腳說明 2.特點及參數(shù) hl201a對電源的適應范圍比較寬,而且輸出驅(qū)動電流大,同時工作頻率也比較寬,該電路采用厚膜封裝,因而提高了對環(huán)境的適應性。 hl201a的主要電參數(shù)如下: ·供電電源電壓:vcc=

  • MUR1100ERLG的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:MUR1100ERLG
    峰值反向電壓VRRM(V):1000
    最大平均正向電流IO(A):1
    最大全周期正向壓降VF(V):1.750
    最大非重復浪涌電流IFSM(A):35
    最大反向電流IR(mA):0.600
    封裝/溫度(℃):DO-41/-65~175
    價格/1片(套):¥1.80

  • MUR1100EG的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:MUR1100EG
    峰值反向電壓VRRM(V):1000
    最大平均正向電流IO(A):1
    最大全周期正向壓降VF(V):1.750
    最大非重復浪涌電流IFSM(A):35
    最大反向電流IR(mA):0.600
    封裝/溫度(℃):DO-41/-65~175
    價格/1片(套):¥1.80

    ...

  • MUR1100

    8.0A/1000V

  • GTR基極驅(qū)動厚膜集成電路HL201A

    hl201a的引腳排列、功能和用法。同時介紹了該器件的主要參數(shù)和特點,剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,給出了它的典型應用電路以及用于斬波器系統(tǒng)的實際電路。 關鍵詞:gtr 驅(qū)動器 厚膜 hl201a hl201a gtr驅(qū)動器適用于75a以內(nèi)gtr的直接驅(qū)動。它采用厚膜工藝制造,內(nèi)置微分變壓器,可實現(xiàn)輸入、輸出信號的隔離,具有可靠性高、受環(huán)境因素影響小、性能優(yōu)良及價格便宜等優(yōu)點。hl201a gtr厚膜驅(qū)動器為國內(nèi)首創(chuàng)。它響應速度快,并具有貝克鉗位端,外接高反壓快速二極管mur1100即可實現(xiàn)貝克鉗位。其較大的輸出功率可直接驅(qū)動75a以內(nèi)的gtr模式。 1 引腳排列及功能 hl201a采用單列直插法案標準16引腳厚膜集成電路封裝,其引腳排列如圖1所示,各引腳的名稱、稱號、功能及用法如表1所列。表1 hl201的引腳說明 引腳號 符 號 名 稱 或 功 能 使 用 說 明 1 vdd1 輸入級電源端 接用戶工作電源,+9~+15 2 gnd1 輸入級地端 接用戶工作電源地 3 vin 控制脈沖輸入端 接用

  • 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117

    di/dt等因素引起的電壓過沖,因此,通常應用于母線電壓不高于400v(如國內(nèi)電網(wǎng)對單交流整流后的310v)的系統(tǒng)中。 (5)可用來驅(qū)動高端或低端通道中的一個mosfet或igbt。 (6)從ir2117到被驅(qū)動的mosfet或igbt的引線應盡可能短,其往返引線長度應限于200mm以內(nèi),并應盡可能使用絞線或同軸電纜屏蔽線,最好將被驅(qū)動的mosfet或igbt與ir2117裝于同一印制板上用印刷線條直接相連。 4.2 典型應用電路 圖3給出了ir2117的典型應用電路,圖中的二極管可選用mur1100。 4.3 應用舉例 ir2117的結(jié)構(gòu)及特點決定了它可用來驅(qū)動一個高端或低端mosfet或igbt,圖4給出了應用ir2117驅(qū)動mosfet而設計的斬波器的系統(tǒng)原理圖,圖中pwm的脈沖形成由專用集成電路tl494來獲得,vb應用自舉技術獲得,圖4(a)與圖4(b)分別給出了ir2117用來驅(qū)動高端和低端mosfet的主電路原理圖。

mur1100替代型號

MUR105RLG MUR105G MUN5335DW1T1G MUN5314DW1T1G MUN5313DW1T1G MUN5311DW1T1G MUN5235DW1T1G MUN5216DW1T1G MUN5214T1G MUN5214DW1T1G

MUR1100EG MUR1100ERLG MUR110G MUR110RLG MUR115G MUR115RLG MUR120G MUR120RLG MUR130RLG MUR140G

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