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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>mbr20h150 更新時間:2025-08-19 06:00:30

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  • 設計更高能效、極低EMI準諧振適配器

    下降vcc(off)之前關閉環(huán)路,相應計算出的cvcc為3.9 ?f,我們實際選擇的電容是4.7 ?f。需要給cvcc充電的電流ivcc為28.5 ?a。 如果選擇的是連接大電容,則啟動電阻rstartup為2.76 mω,相應的功率耗散為55 mw;如果選擇的是半波連接,則計算得啟動電阻為880 kω,相應的功率耗散為16 mw。由此觀之,半波連接大幅降低啟動電阻的功率耗散。 6) 應用同步整流 次級端的高均方根電流會導致輸出二極管損耗增加。我們以極低導通阻抗的mosfet mbr20h150來替代二極管,從而提升能效及降低輕載和待機時的能耗。 相應地,可以計算60 w準諧振轉換器的同步整流功率損耗為:體二極管損耗(pqdiode)為7 mw,mosfet損耗(pon)為1 w,總同步整流總開關損耗近似為1 w。相比較而言,使用mbr20200二極管時的總損耗為2.6 w,即采用mosfet來替代二極管時節(jié)省損耗約1.6 w。 性能測試 基于安森美半導體ncp1380b構建的19 v、60 w準諧振適配器的電路圖如圖4所示。在啟動時間方面,啟動電阻連接至大電容時,測

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