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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>mbr20100 更新時(shí)間:2025-09-01 02:27:11

mbr20100供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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mbr20100價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥0.3500 歷史最高報(bào)價(jià)：￥750.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥6.6668

mbr20100中文資料

  • 肖特基二極管原理和應(yīng)用

    、肖特基產(chǎn)品應(yīng)用注意 應(yīng)小于肖特基二極管的正向額定電流if.2.應(yīng)用電路的峰值工作電壓應(yīng)小于肖特基二極管的最高反向擊穿電壓vrrm.3.應(yīng)用電路內(nèi)的肖特基二極管的實(shí)際工作溫升應(yīng)小于肖特基二極管的最高結(jié)溫tjmax.4.對(duì)于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，肖特基二極管應(yīng)降額使用。5.對(duì)于浪涌電壓或浪涌電流比較大的應(yīng)用電路應(yīng)該加抑制和吸收電路。6.肖特基二極管的代換盡量選用原型號(hào)、因?yàn)椴煌男吞?hào)的肖特基正向壓降vf和反向擊穿電壓vr、反向漏電流ir都不同。表1是mbr2040、mbr2060、mbr20100、mbr20150、mbr20200的參數(shù)比較。例如：用mbr20100代換mbr2040,雖然mbr20100的反向擊穿電壓比mbr2040高，似乎代換沒(méi)問(wèn)題。但是mbr20100的正向壓降比mbr2040高，假如應(yīng)用在電腦機(jī)箱電源電路中會(huì)造成+5v和+12v電壓偏離正常值過(guò)多，另外功耗會(huì)比原來(lái)增大。

  • 分析TOPSwitch GX關(guān)電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    0v以上的沖擊電壓時(shí)，r11同樣可使top249關(guān)斷，避免元器件受到損壞。 由vdz1和vd1構(gòu)成的漏極鉗位電路，能吸收在mosfet關(guān)斷時(shí)由高頻變壓器初級(jí)漏感產(chǎn)生的尖峰電壓，保護(hù)mosfet不受損壞。vdz1采用鉗位電壓為200v的p6ke200型瞬態(tài)電壓抑制器，vd1選用uf4006型超快恢復(fù)二極管，其反向耐壓為800v.將電容c11和vdz1并聯(lián)后，能減少鉗位損耗。選擇全頻工作方式時(shí)，開(kāi)關(guān)頻率設(shè)定為132khz.為了減小次級(jí)繞組和輸出整流管的損耗，現(xiàn)將次級(jí)繞組分成兩路，每路單獨(dú)使用一只mbr20100型20a/100v的共陰極肖特基對(duì)管（vd2、vd3），然后并聯(lián)工作。輸出濾波電路由c2、c3、l1、c4和c14構(gòu)成?？蛰d時(shí)，top249y能自動(dòng)降低開(kāi)關(guān)頻率，使得在交流230v輸入時(shí)電源損耗僅為520mw.top249y具有頻率抖動(dòng)特性，這對(duì)降低電磁干擾很有幫助。只要合理地選擇安全電容c7和emi濾波器（l2、l3、c6）的元件值，就能使開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的電磁輻射符合cispr22（fccb）/en55022b國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。將c7的一端接ui的正極，能把top249y的共模干擾減至最小。需要指出，c

  • MBR20100CTG的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):MBR20100CTG
    反向重復(fù)峰值電壓VRRM(max)(V):100
    平均整流器前向電流IO(max)(A):20
    瞬間前向電壓VF(max)@IF(V):1.0@20A
    非重復(fù)峰值浪涌電流IFSM(max)(A):150
    瞬間反轉(zhuǎn)電流IR(max)(mA):1
    封裝/溫度(℃):TO-220/150（max...

  • MBR20100CT的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):MBR20100CT
    反向重復(fù)峰值電壓VRRM(max)(V):100
    平均整流器前向電流IO(max)(A):20
    瞬間前向電壓VF(max)@IF(V):0.95@20A
    非重復(fù)峰值浪涌電流IFSM(max)(A):150
    瞬間反轉(zhuǎn)電流IR(max)(mA):6@125℃
    封裝/溫度(℃):4TO220AB/...

  • MBR20100

    電流參數(shù)：IO=20A/IFSM=150A/IR=0.1mA/IFM=20A電壓參數(shù)：URWM=100V/UFM=0.84V備 注：肖特基二極管(IO為T(mén)L=135℃值)

  • MBR20100近期價(jià)格分析

    mbr20100是一款肖特基整流器件，近期的市場(chǎng)需要量一般，參考價(jià)為0.88元/pcs~1.3元/pcs. 基本參數(shù) 產(chǎn)品類(lèi)型：肖特基管 結(jié)構(gòu)：平面型 材料硅：（si） 封裝形式：to-220 封裝材料：金屬封裝 功率特性：中功率 頻率特性：高頻 瞬態(tài)保護(hù)，為保護(hù)環(huán) 低功耗高效率 高浪涌能力，高電流能力 工作溫度：-55℃to +150℃ 額定電流：if=20a 正向壓降：vf=0.7v 反向耐壓：vr=100v 反向漏電流：1ma mbr20100推薦供應(yīng)商： 凌云國(guó)際股份有限公司 倉(cāng)庫(kù)：深圳 原裝現(xiàn)貨 深圳市艾諾德電子有限公司 倉(cāng)庫(kù)：深圳 原裝現(xiàn)貨 深圳市集勝電子有限公司 倉(cāng)庫(kù)：深圳 現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 凌云國(guó)際——全球知名企業(yè)的首選合作伙伴

    nductor頒發(fā)的「最佳分銷(xiāo)商大獎(jiǎng)」和fairchild semiconductor corporation頒發(fā) 的「最佳銷(xiāo)售表現(xiàn)獎(jiǎng)」，獎(jiǎng)項(xiàng)無(wú)數(shù)，備受贊譽(yù)。 目前主要代理美國(guó)福斯特first semiconductor 和韓國(guó)kec,授權(quán)分銷(xiāo)美國(guó)安森美（onsemi）半導(dǎo)體，經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品為二極管、三極管、mos管、肖特基、快恢復(fù)、可控硅，集成電路 mos管。 熱賣(mài)型號(hào)：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200……

  • 高效率70W通用開(kāi)關(guān)電源模塊電路圖

    v以上的沖擊電壓時(shí)，r11同樣可使top249關(guān)斷，避免元器件受到損壞。 由vdz1和vd1構(gòu)成的漏極鉗位電路，能吸收在mosfet關(guān)斷時(shí)由高頻變壓器初級(jí)漏感產(chǎn)生的尖峰電壓，保護(hù)mosfet不受損壞。vdz1采用鉗位電壓為200v的p6ke200型瞬態(tài)電壓抑制器，vd1選用uf4006型超快恢復(fù)二極管，其反向耐壓為800v。將電容c11和vdz1并聯(lián)后，能減少鉗位損耗。選擇全頻工作方式時(shí)，開(kāi)關(guān)頻率設(shè)定為132khz。為了減小次級(jí)繞組和輸出整流管的損耗，現(xiàn)將次級(jí)繞組分成兩路，每路單獨(dú)使用一只mbr20100型20a／100v的共陰極肖特基對(duì)管（vd2、vd3），然后并聯(lián)工作。輸出濾波電路由c2、c3、l1、c4和c14構(gòu)成?？蛰d時(shí)，top249y能自動(dòng)降低開(kāi)關(guān)頻率，使得在交流230v輸入時(shí)電源損耗僅為520mw。top249y具有頻率抖動(dòng)特性，這對(duì)降低電磁干擾很有幫助。只要合理地選擇安全電容c7和emi濾波器（l2、l3、c6）的元件值，就能使開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的電磁輻射符合cispr22（fccb）/en55022b國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。將c7的一端接ui的正極，能把top249y的共模干擾減至最小。需要指出，c

mbr20100替代型號(hào)

MBR1645G MBR1645 MBR16100CTG MBR16100CT MBR160RLG MBR160 MBR1545CTG MBR1545CT MBR1545 MBR1535CT

MBR20100CT MBR20100CTG MBR20150 MBR20200 MBR20200CT MBR20200CTG MBR2030CTLG MBR2030PT MBR2040 MBR2045

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