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max7375中文資料

  • 硅振蕩器的特點(diǎn)與應(yīng)用

    的濕度和emi影響。 硅振蕩器的應(yīng)用 如果用硅振蕩器代替晶體或陶瓷諧振器,首先可以去掉和振蕩電路相關(guān)的所有元件。這通常包括一到兩個(gè)電阻和兩個(gè)電容(如果它們未被包含在諧振器封裝內(nèi))。振蕩器可以安裝在適當(dāng)?shù)奈恢?,然后將其時(shí)鐘輸出引到微控制器(?c)時(shí)鐘輸入(osc1)引腳。振蕩器的電源應(yīng)該來(lái)自于驅(qū)動(dòng)?c時(shí)鐘輸入電路的電源。 圖2和圖3給出了這種設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中顯示的是用于mc68hc908?c的振蕩電路。圖2為推薦電路,三端陶瓷諧振器。 圖3為采用硅振蕩器的電路,本例采用max7375,sc70封裝,包括引腳在內(nèi)的外形尺寸僅為2.0mmx2.1mm。 圖2.mc68hc908?c采用基于三端諧振器的振蕩器 圖3.mc68hc908?c采用max7375硅振蕩器 硅振蕩器在電路板上的布局通常沒(méi)有很高的要求,因?yàn)檫@種器件輸出的是低阻抗方波,它能夠在電路板上傳送足夠的距離,且無(wú)須顧慮其他信號(hào)對(duì)它的干擾。硅振蕩器能夠驅(qū)動(dòng)多個(gè)器件。和任何其他高速信號(hào)一樣,硅振蕩器的時(shí)鐘輸出在驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)導(dǎo)線時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁輻射??拷鼤r(shí)鐘發(fā)生器的引腳,在每路時(shí)鐘信號(hào)上串連一個(gè)電阻可以降低這種輻射

  • 硅振蕩器取代晶體和陶瓷諧振器

    硅振蕩器的應(yīng)用如果用硅振蕩器代替晶體或陶瓷諧振器,首先可以去掉和振蕩電路相關(guān)的所有元件。這通常包括一到兩個(gè)電阻和兩個(gè)電容(如果它們未被包含在諧振器封裝內(nèi))。振蕩器可以安裝在適當(dāng)?shù)奈恢?,然后將其時(shí)鐘輸出引到微控制器(µc)時(shí)鐘輸入(osc1)引腳。振蕩器的電源應(yīng)該來(lái)自于驅(qū)動(dòng)µc時(shí)鐘輸入電路的電源。 圖2和圖3給出了這種設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中顯示的是用于mc68hc908 µc的振蕩電路。圖2為推薦電路,三端陶瓷諧振器。圖3為采用硅振蕩器的電路,本例采用max7375,sc70封裝,包括引腳在內(nèi)的外形尺寸僅為2.0mm x 2.1mm。 圖2. mc68hc908 µc采用基于三端諧振器的振蕩器 圖3. mc68hc908 µc采用max7375硅振蕩器 硅振蕩器在電路板上的布局通常沒(méi)有很高的要求,因?yàn)檫@種器件輸出的是低阻抗方波,它能夠在電路板上傳送足夠的距離,且無(wú)須顧慮其他信號(hào)對(duì)它的干擾。硅振蕩器能夠驅(qū)動(dòng)多個(gè)器件。和任何其他高速信號(hào)一樣,硅振蕩器的時(shí)鐘輸出在驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)導(dǎo)線時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁輻射。靠近時(shí)鐘發(fā)生器的引腳,在每路時(shí)鐘信號(hào)

  • 微控制器時(shí)鐘—選擇晶振、諧振槽路、RC振蕩器還是硅振蕩器?

    所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時(shí),相當(dāng)于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為2.2ma。 陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。 相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10ma至60ma。 硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器,如max7375,工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。 結(jié)論 在特定的微控制器應(yīng)用中,選擇最佳的時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。下表給出了幾種常用的振蕩器類型,并分析了各自的優(yōu)缺點(diǎn)。 來(lái)源:彬彬

  • 機(jī)械式諧振器與RC振蕩器的區(qū)別介紹

    所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時(shí),相當(dāng)于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為2.2ma。 陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。 相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10ma至60ma。 硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器,如max7375,工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。 結(jié)論 在特定的微控制器應(yīng)用中,選擇最佳的時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。下表給出了幾種常用的振蕩器類型,并分析了各自的優(yōu)缺點(diǎn)。 來(lái)源:ks99

  • 硅振蕩器取代晶體和陶瓷諧振器

    硅振蕩器的應(yīng)用 如果用硅振蕩器代替晶體或陶瓷諧振器,首先可以去掉和振蕩電路相關(guān)的所有元件。這通常包括一到兩個(gè)電阻和兩個(gè)電容(如果它們未被包含在諧振器封裝內(nèi))。振蕩器可以安裝在適當(dāng)?shù)奈恢?,然后將其時(shí)鐘輸出引到微控制器(µc)時(shí)鐘輸入(osc1)引腳。振蕩器的電源應(yīng)該來(lái)自于驅(qū)動(dòng)µc時(shí)鐘輸入電路的電源。 圖2和圖3給出了這種設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中顯示的是用于mc68hc908 µc的振蕩電路。圖2為推薦電路,三端陶瓷諧振器。圖3為采用硅振蕩器的電路,本例采用max7375,sc70封裝,包括引腳在內(nèi)的外形尺寸僅為2.0mm x 2.1mm。 圖2. mc68hc908 µc采用基于三端諧振器的振蕩器 圖3. mc68hc908 µc采用max7375硅振蕩器 硅振蕩器在電路板上的布局通常沒(méi)有很高的要求,因?yàn)檫@種器件輸出的是低阻抗方波,它能夠在電路板上傳送足夠的距離,且無(wú)須顧慮其他信號(hào)對(duì)它的干擾。硅振蕩器能夠驅(qū)動(dòng)多個(gè)器件。和任何其他高速信號(hào)一樣,硅振蕩器的時(shí)鐘輸出在驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)導(dǎo)線時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁輻射。靠近時(shí)鐘發(fā)生器的引腳,在每路時(shí)鐘信號(hào)

  • 晶振具體的作用

    流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時(shí),相當(dāng)于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為2.2ma。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10ma ~60ma。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器,如max7375,工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。 在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。此帖被評(píng)獎(jiǎng)!此帖子不錯(cuò)哦 金錢:50 yfee 2007-1-13 16:46:09

  • 有人用過(guò)硅振蕩器來(lái)做時(shí)鐘嗎?

    蕩器與晶體或陶瓷諧振器的比較硅振蕩器能夠在供電電壓2.4~5.5v之間正常工作,硅振蕩器并不依賴于機(jī)械共振特性來(lái)獲得振蕩頻率,而是基于一個(gè)內(nèi)部的rc時(shí)間常數(shù)。就精度而言,晶體最高,其次是陶瓷諧振器和硅振蕩器,而且硅振蕩器也比晶體和陶瓷諧振器對(duì)溫度更敏感。然而,硅振蕩器通常占用最小的空間,而且不需要額外的定時(shí)元件。一般而言,1個(gè)供電電源的濾波電容是硅振蕩器唯一的外加元件。就功耗而言,硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾μa到可編程器件的幾ma。以一種低功率的硅振蕩器max7375為例,它工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。頻率范圍是600khz~9.99mhz,可工作在-40~125℃的溫度范圍內(nèi)。 * - 本貼最后修改時(shí)間:2006-5-9 15:46:14 修改者:rener

max7375替代型號(hào)

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