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傳感器輸出電壓不僅依賴于所承載的電流，而且也依賴于承載電流的pcb引線相對于傳感器的物理位置。因此，為了達到良好的精度，通?；魻柡蚲mr傳感器需要定標，定標會增加復雜性和成本。這類傳感器對來自相鄰電路的磁干擾是敏感的。 電流鏡為測量電流提供了另一種方法。它由兩個不同大小連接成電流鏡配置的匹配晶體管組成(圖2)。副分支鏡主分支電流例如，以10:1的比值鏡像。因此，可以用副分支中的比例電流測量主分支中的電流。電流鏡檢測技術具有寬動態(tài)范圍高達60)，但一般限于小電流應用。 圖2. max4006高端鏡像測量超過60動態(tài)范圍的電流，但電流限制值最大為10ma。 對于電流鏡，mosfet必須工作在飽和區(qū)?？缃釉诼O和源極上的電壓一般大于1v。與其他技術中電壓降不大于0.1v相比，1v壓降過大。因此，主電流應限制到不大于10ma，如實例中測量光電二極管的情況。 電流鏡技術對于小電流應用很適合，但它對于大電流、低電壓(包括電池供電)應用不具有競爭力。 對于dc應用(如電池)，最簡單的方法是根據歐姆定律v = ir監(jiān)視電流。即跨接在檢測電阻上的電壓與通過的電流是線性比例關系?；陔娮?/p>
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