ST PowerMESH IGBT新系列產(chǎn)品

損耗，使得其適合高達(dá)50khz高頻應(yīng)用。v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分別以to-220、to-247封裝，均是30a、600v n通道產(chǎn)品。為了避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)環(huán)境，優(yōu)化了反饋電容－輸入電容比。其中，關(guān)斷損耗還包括了遺留電流以及二極管恢復(fù)能損。stgw20nc60vd以to－247封裝，組合打包了處于集電極與發(fā)射極之間的續(xù)流二極管。stgw40nc60v和stgw40nc60vd則以50a、600v的to－247封裝，同時(shí)，stgw40nc60vd與一個(gè)反平行二極管組合封裝在max247中。在額定電流下，這些產(chǎn)品都能工作于150°c，并能提供少于2.5v的集電極－發(fā)射極飽和壓降。其價(jià)格從每10,000數(shù)量單元$1.25到$4.50不等。 來源:零八我的愛

意法推出通態(tài)電阻最低僅650V的全新功率MOSFET

監(jiān)maurizio giudice表示：“mdmesh v 系列產(chǎn)品整合了意法半導(dǎo)體專屬的第五代超結(jié)技術(shù)，和經(jīng)過應(yīng)用驗(yàn)證的 powermesh 水平布局設(shè)計(jì)，產(chǎn)品性能優(yōu)于同類競爭產(chǎn)品。無論采用何種封裝，業(yè)界最低的單位芯片面積rds(on)都能提供能效優(yōu)勢。設(shè)計(jì)人員使用很少數(shù)量的mdmesh v器件即可替代多路并聯(lián)的普通mosfet網(wǎng)絡(luò)，提高設(shè)計(jì)性能，降低總體尺寸?！?這款新器件是stw77n65m5，通態(tài)電阻rds(on)為38mω，采用to-247封裝。意法半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年推出采用max247封裝的22mωrds(on)的sty112n65m5。在今年初的mdmesh v超結(jié)mosfet技術(shù)發(fā)布會(huì)上，意法半導(dǎo)體公布開發(fā)藍(lán)圖時(shí)曾介紹過這兩款產(chǎn)品。stw77n65m5的最大輸出電流額定69a，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。 與常規(guī)mosfet產(chǎn)品和競爭的超結(jié)器件相比，意法半導(dǎo)體的mdmesh v技術(shù)的單位芯片面積通態(tài)電阻最低。更低的損耗給設(shè)計(jì)帶來很多好處，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度，最終可提高目標(biāo)應(yīng)用的可靠性，如個(gè)人電腦和服務(wù)器的電源、太陽能轉(zhuǎn)換器、電焊電源和不間斷電

驅(qū)動(dòng)器和通信電路引腳及主要特性MAX247 多通道RS-232收發(fā)器

• ST最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低單位芯片面積導(dǎo)通電阻

  42n65m5是意法半導(dǎo)體的首款mdmesh v產(chǎn)品，采用to-220封裝，導(dǎo)通電阻0.079ω。降低的導(dǎo)通電阻有助于提高能效，在大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，可實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低的rds(on)。stx42n65m5全系列產(chǎn)品還提供其它的封裝選擇，包括d2pak貼裝以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量產(chǎn)的stx16n65m5系列也是650v產(chǎn)品，額定rds(on) 為0.299 ω，額定電流為12a。意法半導(dǎo)體的mdmesh v 650v mosfet技術(shù)藍(lán)圖還包括電流更大的產(chǎn)品，采用max247封裝的產(chǎn)品rds(on)低至0.022ω，to-247封裝低至0.038ω。這些產(chǎn)品計(jì)劃在2009年3月上市。 “mdmesh v產(chǎn)品在rds(on)上的改進(jìn)將會(huì)大幅度降低pfc電路和電源的電能損耗，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品，”意法半導(dǎo)體功率mosfet產(chǎn)品部市場總監(jiān)maurizio giudice表示，“這項(xiàng)新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設(shè)計(jì)法規(guī)的能效目標(biāo)，同時(shí)再生能源市場也是此項(xiàng)技術(shù)的受益者，因?yàn)樗梢怨?jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能?！?/p>

• ST最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻

  42n65m5是意法半導(dǎo)體的首款mdmesh v產(chǎn)品，采用to-220封裝，導(dǎo)通電阻0.079ω。降低的導(dǎo)通電阻有助于提高能效，在大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，可實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低的rds(on)。stx42n65m5全系列產(chǎn)品還提供其它的封裝選擇，包括d2pak貼裝以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量產(chǎn)的stx16n65m5系列也是650v產(chǎn)品，額定rds(on) 為0.299 ω，額定電流為12a。意法半導(dǎo)體的mdmesh v 650v mosfet技術(shù)藍(lán)圖還包括電流更大的產(chǎn)品，采用max247封裝的產(chǎn)品rds(on)低至0.022ω，to-247封裝低至0.038ω。這些產(chǎn)品計(jì)劃在2009年3月上市。 “mdmesh v產(chǎn)品在rds(on)上的改進(jìn)將會(huì)大幅度降低pfc電路和電源的電能損耗，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品，”意法半導(dǎo)體功率mosfet產(chǎn)品部市場總監(jiān)maurizio giudice表示，“這項(xiàng)新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設(shè)計(jì)法規(guī)的能效目標(biāo)，同時(shí)再生能源市場也是此項(xiàng)技術(shù)的受益者，因?yàn)樗梢怨?jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能?！?/p>

• ST絕緣柵雙極晶體管能降低開關(guān)電源損耗

  c60v和stgw20nc60v均為30a、600v n溝道器件，采用to-220或to-247封裝。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)現(xiàn)象，降低柵電荷，這兩個(gè)產(chǎn)品優(yōu)化了crss/ciss比例。它們的開關(guān)損耗包括尾電流和二極管恢復(fù)能量。stgw20nc60vd是一個(gè)to-247封裝的stgw20nc60v器件，區(qū)別是在同一個(gè)封裝內(nèi)的集電極與發(fā)射極之間增加一個(gè)續(xù)流二極管。而stgw40nc60v是一個(gè)to-247封裝的50a、600v的器件，stgy40nc60vd是一個(gè)與stgw40nc60v類似的產(chǎn)品，不同點(diǎn)是在max247封裝內(nèi)增加一個(gè)反并聯(lián)二極管。 所有器件的最大工作溫度都是150℃，集電極-發(fā)射極飽和電壓都很低，在額定電流時(shí)低于2.5v。訂貨10,000件的單價(jià)在1.25到4.50美元之間