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當(dāng)前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>m24512 更新時間:2025-08-26 18:38:39

m24512供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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m24512價格行情

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歷史最低報價:¥6.5000 歷史最高報價:¥6.5000 歷史平均報價:¥6.5000

m24512中文資料

  • ST推出2x3mm封裝512-Kbit串口EEPROM

    3 x 0.6mm 8-引腳微型引線框架封裝(mlp)的512-kbit器件,再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲器,讓設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片,產(chǎn)品升級更快速、高效。 串口eeprom器件具有非易失性存儲功能,采用引腳數(shù)量很少的封裝,適合眾多的消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級變得更加容易,128字節(jié)頁寫模式結(jié)合5ms的寫入時間,可在生產(chǎn)線上對組裝好的電路板進行快速編程。 這兩款新產(chǎn)品分別是m95512和m24512,前者內(nèi)置一個20mhz spi接口,因此數(shù)據(jù)傳輸速率達到了當(dāng)前最快的串口eeprom的水平。后者內(nèi)置一個i2c接口的,支持400khz fast-mode或1mhz fast-mode plus。 此外,m95512和m24512的讀取電流最低為2ma,待機電流小于5μa,新存儲器能夠為電能敏感設(shè)備節(jié)省電能,例如電池供電的個人媒體設(shè)備或?qū)I(yè)便攜儀器。從1.8v到5.5v的寬工作電壓范圍,使同一器件可用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和不同的產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品均可提供2.5v到5.5v的工作電壓范圍。 兩

  • ST超小封裝512KB EEPROM適合I2C和SPI總線應(yīng)用

    意法半導(dǎo)體(st)近日推出兩款工作電壓為1.8v的512kb eeprom器件——m95512和m24512。這些eeprom存儲器將用于動態(tài)變化的大容量參數(shù)數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用,例如,視頻游戲系統(tǒng)和電子玩具、汽車收音機、導(dǎo)航、尋呼機、機頂盒、數(shù)碼相機、pda、mp3播放機/錄音機,及其它便攜消費應(yīng)用。 這兩款器件均采用tssop8封裝,用于i2c (智能接口控制器)和spi (串行外設(shè)接口)總線應(yīng)用。新器件也提供s08窄封裝(150mm),采用st的ecopack無鉛技術(shù),符合rohs規(guī)定。 兼容spi數(shù)據(jù)總線接口的m95512,其工作頻率達10mhz或更高,寫入時間為5ms。而m24512提供一個i2c串口,時鐘頻率400khz。為兩款器件都有兩個工作電壓范圍:1.8v~5.5v和2.5v~5.5v。工作溫度范圍為-40℃~+85℃。數(shù)據(jù)保存時間最短40年,可寫100,000次。 m95512和m24512采用先進的1.65v電壓0.18μm eeprom工藝制造,這項先進技術(shù)使st能在一個又小又薄的封裝(4.5×3.1mm)內(nèi)組裝一個密度高達512kb的大

  • ST新推出兩款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8接腳微導(dǎo)線架封裝的串行EEPROM

    意法半導(dǎo)體(stmicroelectronics,st)新推出兩款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2 x 3 x 0.6mm 8接腳微導(dǎo)線架封裝(micro leadframe package;mlp)的串行eeprom──m95512和m24512,容量為512kbit,由于接腳兼容,設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片,實現(xiàn)更快速、高效的產(chǎn)品升級。 m95512內(nèi)建20mhz spi接口,數(shù)據(jù)傳輸速率與目前市場上最快的串行eeprom相當(dāng)。m24512則內(nèi)建i2c接口,可支持400khz高速模式或1mhz高速模式plus。 此外,m95512和m24512的讀電流最低為2ma,待機電流小于5μa,新款內(nèi)存能夠為對功率敏感的設(shè)備實現(xiàn)節(jié)能,例如以電池供電的個人媒體裝置或?qū)I(yè)可攜式儀器。從1.8v到5.5v的寬作業(yè)電壓范圍,使同一組件可用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和不同的產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品均可提供2.5v到5.5v的作業(yè)電壓范圍。 新的串行eeprom組件具有非揮發(fā)性內(nèi)存(nvm)功能,采用接腳數(shù)量很少的封裝,適合各種不同的消費性電子、工業(yè)控制、醫(yī)療以及通訊產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)建位模式(byte

  • 意法半導(dǎo)體突破存儲器制造技術(shù)推出2x3mm封裝512-Kbit串口EEPROM

    3 x 0.6mm 8-引腳微型引線框架封裝(mlp)的512-kbit器件,再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲器,讓設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片,產(chǎn)品升級更快速、高效。 串口eeprom器件具有非易失性存儲功能,采用引腳數(shù)量很少的封裝,適合眾多的消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級變得更加容易,128字節(jié)頁寫模式結(jié)合5ms的寫入時間,可在生產(chǎn)線上對組裝好的電路板進行快速編程。 這兩款新產(chǎn)品分別是m95512和m24512,前者內(nèi)置一個20mhz spi接口,因此數(shù)據(jù)傳輸速率達到了當(dāng)前最快的串口eeprom的水平。后者內(nèi)置一個i2c接口的,支持400khz fast-mode或1mhz fast-mode plus。 此外,m95512和m24512的讀取電流最低為2ma,待機電流小于5μa,新存儲器能夠為電能敏感設(shè)備節(jié)省電能,例如電池供電的個人媒體設(shè)備或?qū)I(yè)便攜儀器。從1.8v到5.5v的寬工作電壓范圍,使同一器件可用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和不同的產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品均可提供2.5v到5.5v的工作電壓范圍。 兩

  • ST推出MLP的512-Kbit串口器件

    -引腳微型引線框架封裝(mlp)的512-kbit器件,再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲器,讓設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片,產(chǎn)品升級更快速、高效。 串口eeprom器件具有非易失性存儲功能,采用引腳數(shù)量很少的封裝,適合眾多的消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級變得更加容易,128字節(jié)頁寫模式結(jié)合5ms的寫入時間,可在生產(chǎn)線上對組裝好的電路板進行快速編程。 這兩款新產(chǎn)品分別是m95512和m24512,前者內(nèi)置一個20mhz spi接口,因此數(shù)據(jù)傳輸速率達到了當(dāng)前最快的串口eeprom的水平。后者內(nèi)置一個i2c接口的,支持400khz fast-mode或1mhz fast-mode plus。 此外,m95512和m24512的讀取電流最低為2ma,待機電流小于5μa,新存儲器能夠為電能敏感設(shè)備節(jié)省電能,例如電池供電的個人媒體設(shè)備或?qū)I(yè)便攜儀器。從1.8v到5.5v的寬工作電壓范圍,使同一器件可用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和不同的產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品均可提供2.5v到5.5v的工作電壓范圍。

  • 意法半導(dǎo)體突破存儲器制造技術(shù),推出2x3mm封裝的512-Kbit串口EEPROM

    x 0.6mm 8-引腳微型引線框架封裝(mlp)的512-kbit器件,再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲器,讓設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片,產(chǎn)品升級更快速、高效。 串口eeprom器件具有非易失性存儲功能,采用引腳數(shù)量很少的封裝,適合眾多的消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級變得更加容易,128字節(jié)頁寫模式結(jié)合5ms的寫入時間,可在生產(chǎn)線上對組裝好的電路板進行快速編程。 這兩款新產(chǎn)品分別是m95512和m24512,前者內(nèi)置一個20mhz spi接口,因此數(shù)據(jù)傳輸速率達到了當(dāng)前最快的串口eeprom的水平。后者內(nèi)置一個i2c接口的,支持400khz fast-mode或1mhz fast-mode plus。 此外,m95512和m24512的讀取電流最低為2ma,待機電流小于5μa,新存儲器能夠為電能敏感設(shè)備節(jié)省電能,例如電池供電的個人媒體設(shè)備或?qū)I(yè)便攜儀器。從1.8v到5 .5v的寬工作電壓范圍,使同一器件可用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和不同的產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品均可提供2.5v到5.5v的工作電壓范圍。

  • 關(guān)于用TWI總線(I2C)讀寫EEPROM不穩(wěn)定的問題2

    關(guān)于用twi總線(i2c)讀寫eeprom不穩(wěn)定的問題2我用的處理器:adi公司的blackfin系列的bf537i2c接口的eeprom :st公司的m24512寫eeprom方式:byte write讀eeprom方式:random address read問題現(xiàn)象: 我向eeprom指定地址寫一個數(shù)據(jù)data, 然后再從此地址中讀出來,發(fā)現(xiàn)data值不同的時候,讀出來的結(jié)果也不一樣,也就是說有時候?qū)戇M去的數(shù)據(jù)和讀出來的一致,有時候不一致.這是為什么呢?哪位大俠給個建議

  • 關(guān)于用TWI總線(I2C)讀寫EEPROM不穩(wěn)定的問題

    關(guān)于用twi總線(i2c)讀寫eeprom不穩(wěn)定的問題我用的處理器:adi公司的blackfin系列的bf537i2c接口的eeprom :st公司的m24512寫eeprom方式:byte write讀eeprom方式:random address read問題現(xiàn)象: 我向eeprom指定地址寫一個數(shù)據(jù)data, 然后再從此地址中讀出來,發(fā)現(xiàn)data值不同的時候,讀出來的結(jié)果也不一樣,也就是說有時候?qū)戇M去的數(shù)據(jù)和讀出來的一致,有時候不一致.這是為什么呢?哪位大俠給個建議

  • BF537 關(guān)于用TWI總線(I2C)讀寫EEPROM不穩(wěn)定的問題

    bf537 關(guān)于用twi總線(i2c)讀寫eeprom不穩(wěn)定的問題處理器:adi公司的blackfin系列的bf537i2c接口的eeprom :st公司的m24512寫eeprom方式:byte write讀eeprom方式:random address read問題現(xiàn)象: 我向eeprom指定地址寫一個數(shù)據(jù)data, 然后再從此地址中讀出來,發(fā)現(xiàn)data值不同的時候,讀出來的結(jié)果也不一樣,也就是說有時候?qū)戇M去的數(shù)據(jù)和讀出來的一致,有時候不一致.這是為什么呢?哪位大俠給個建議

m24512替代型號

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M24C01 M24C01-WBN6 M24C02 M24C02-WBN6 M24C02-WBN6P M24C02WMN6 M24C04 M24C04-WBN6 M24C04-WBN6P M24C08

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