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原狀現(xiàn)貨
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原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一罰十
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原裝正品,亞太區(qū)混合型電子元器件分銷
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原裝正品熱賣,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
片和mosfet芯片,而單芯片式僅有一個(gè)芯片,一般采用bcdmos工藝制造。采用bcdmos工藝制造高壓功率mosfet器件,它的局限性多于采用優(yōu)化mosfet工藝制造的器件。通常,采用bcdmos工藝制造的芯片的單位面積rds(on)值會(huì)高出許多。 然而,單芯片解決方案的成本較低,在低功率應(yīng)用領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)。因此,一般是為高功率應(yīng)用選擇雙芯片方案,而為低功率應(yīng)用選擇單芯片方案,高低功率的分界點(diǎn)在15至20w左右,飛兆半導(dǎo)體有提供兩種類型的功率開關(guān)。 3 應(yīng)用實(shí)例 圖4所示為采用ka5m0365r的通用開關(guān)模式電源的電路圖,ka5m0365r是雙芯片器件。電源的輸入電壓為85~265vac,開關(guān)頻率為66khz,輸出為3.3v、1.2a,5v、1.5a,9v、0.5a和33v、0.1a。 圖4 內(nèi)部mosfet的額定值為3a和650v,但不是簡(jiǎn)單的mosfet,而是sensefet,其源極面積約有1%被隔離出來,形成次感應(yīng)源極。漏極電流的1%來自感應(yīng)源極,它流經(jīng)集成電阻器,便于準(zhǔn)確地測(cè)量電流值,不存在與外部電流采樣電阻器相關(guān)的損耗。 自線路輸入端開始,首先是一個(gè)用于抑制