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20
TSSOP50/0811+
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5400
TSOP50/24+
專營ISSI進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
IS42S16100E-7TL
7000
TSOP50/21+
原裝現(xiàn)貨
IS42S16100C1-7TL
326952
TSOP50/24+
代理SDRAM 1X16，歡迎索樣詢價
IS42S16100E-7TLI
2004
TSOP/1604+
只做原裝，專為終端工廠服務(wù)
IS42S16100C1-7TL
9360
TSOP48/06+
一定原裝/國外現(xiàn)貨
IS42S16100E-7TL
66880
22/23+/50TSOP
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IS42S16100C1-7TL
42
TSOP/0718+
全新原裝，房間現(xiàn)貨
IS42S16100E-7TLI-TR
490
TSSOP/2024+
特惠現(xiàn)貨只做原廠原裝假一罰十
IS42S16100C1-7TL
10550
TSOP50/NEW+original.ROHS
原裝現(xiàn)貨.供應(yīng)樣品現(xiàn)貨支持。元器件供應(yīng)商
IS42S16100-7T
85
TSOP/22+
全新原裝現(xiàn)貨/可訂貨
IS42S16100E-7TL
7000
TSOP50/21+
原裝現(xiàn)貨
IS42S16100-7T
325
TSOP/0025+
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IS42S16100
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
IS42S16100
5000
TSOP/23+
原裝庫存，提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
IS42S16100
3000
TSOP/08+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
IS42S16100
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
IS42S16100
526
TSOP/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
IS42S16100
28800
TSOP/22+
原裝現(xiàn)貨，提供配單服務(wù)
IS42S16100
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ram接口電路 與flash存儲器相比較，動態(tài)隨機(jī)存儲器dram雖然不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于flash存儲器，在系統(tǒng)中主要用作程序的運行空間。 e1－16xs內(nèi)部的dram控制器支持dram的各種形式，例如fast－page mode、edo和sdram，都可以直接和處理器無縫連接。存儲器存取的總線時序刷新控制等可由總線控制寄存器（bcr）設(shè)定，這里以目前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中常用的sdram說明電路的具體連接。 系統(tǒng)中sdram選用is42s16100－7t。它的存儲容量為2banks×512k×16位（2mb），工作電壓為（3.3±0.3）v，16位數(shù)據(jù)寬度，如果用戶需要運行嵌入式操作系統(tǒng)以及各種相對較復(fù)雜的功能，可以考慮增加sdram的容量，e1－16xs最大支持128mb。 圖4為is42s16100－7t sdram存儲器和e1－16xs的連接框圖，將該sdram配置到系統(tǒng)存儲器的bank0，即將e1－16xs的dp0（sdram選擇信號）接至is42s16100的cs端，表1可以清晰地反應(yīng)出e1－16xs和is42s1
方式。(2)dram接口電路 與flash存儲器相比較，動態(tài)隨機(jī)存儲器dram雖然不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于flash存儲器，在系統(tǒng)中主要用作程序的運行空間。 e1-16xs內(nèi)部的dram控制器支持dram的各種形式，例如fast—page mode，、edo和sdram，都可以直接和處理器無縫連接。存儲器存取的總線時序刷新控制等可由總線控制寄存器(bcr)設(shè)定。這里以目前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中常用的sdram說明電路的具體連接。 系統(tǒng)中sdram選用is42s16100一7t。它的存儲容量為2 batlks×512 k×16位(2 mb)，工作電壓為(3．3±0．3)v，16位數(shù)據(jù)寬度。如果用戶需要運行嵌入式操作系統(tǒng)及各種相對較復(fù)雜的功能，可以考慮增加sdram的容量。e1 —16xs最大支持128 mb。 圖4為is42s16l。 0—7t sdram存儲器和el一。16xs的連接框圖。將該sdram配置到系統(tǒng)存儲器的bank0，即將e1—16xs的dp0(sdram選擇信號)接至 is42s16100的cs端。表l可以清晰地反映出
512k word×16bit×2 bank(16mbits)，采用vhdl硬件描述語言，sdram接口模塊工作在80mhz的頻率上，已經(jīng)成功地應(yīng)用到了mpeg-4的解碼器中。通過對各種碼流的測試，表明接口模塊在各種情況下都可以正確的工作。接口模塊占用了fpga的668個邏輯單元，518個片式觸發(fā)器，分別占資源的8%和3%?，F(xiàn)在我們只是使用了sdram的16位數(shù)據(jù)總線的低8位，如果升級成更高版本的解碼器，配合上數(shù)據(jù)拼接模塊，還有一半的吞吐潛力可以提升?！鰠⒖嘉墨I(xiàn)1 issi is42s16100 datasheet november 2001(收稿日期：2004-07-04) 來源:零八我的愛
選擇外部flash為16位工作方式。 （2）dram接口電路 與flash存儲器相比較，動態(tài)隨機(jī)存儲器dram雖然不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于flash存儲器，在系統(tǒng)中主要用作程序的運行空間。 e1－16xs內(nèi)部的dram控制器支持dram的各種形式，例如fast－page mode、edo和sdram，都可以直接和處理器無縫連接。存儲器存取的總線時序刷新控制等可由總線控制寄存器（bcr）設(shè)定，這里以目前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中常用的sdram說明電路的具體連接。 系統(tǒng)中sdram選用is42s16100－7t。它的存儲容量為2banks×512k×16位（2mb），工作電壓為（3.3±0.3）v，16位數(shù)據(jù)寬度，如果用戶需要運行嵌入式操作系統(tǒng)以及各種相對較復(fù)雜的功能，可以考慮增加sdram的容量，e1－16xs最大支持128mb。圖4為is42s16100－7t sdram存儲器和e1－16xs的連接框圖，將該sdram配置到系統(tǒng)存儲器的bank0，即將e1－16xs的dp0（sdram選擇信號）接至is42s16100的cs端，表1可以清晰地反應(yīng)出e1－16xs和is42s16100的連接情
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