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IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP
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IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC
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IC DVR HIGH SIDE 600V 8-SOIC
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IRS2117STRPBF
High-Side Gate Driver IC Non-Inverti...
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ional rectifier，簡稱ir) 近日推出一系列穩(wěn)固的單通道高壓集成電路 (hvic)，可用于各種不同應(yīng)用領(lǐng)域，包括電機(jī)控制、照明、開關(guān)電源、工業(yè)和焊接，以及太陽能板電池充電器。 與光電耦合器相比，最新的irs211(7、8) 系列600v高壓單通道驅(qū)動(dòng)ic能夠提供更低的輸入電流，低至40μa；輸出信號(hào)為0至15v，可有效減少元件數(shù)目并簡化電路設(shè)計(jì)。新器件的靜態(tài)電流只有340μa，加上完善的欠壓鎖定功能和150癈的最高接點(diǎn)溫度 (tj)，有助于發(fā)揮更穩(wěn)固、更可*的性能。此外，irs2117和irs2118的共模抑制為50v/ns。 ir 亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示："與傳統(tǒng)的光電耦合器解決方案相比，新器件具有更多的優(yōu)勢(shì)，不僅更穩(wěn)固，還可以簡化設(shè)計(jì)。隨著這些單通道解決方案的推出，ir高壓驅(qū)動(dòng)ic系列也日趨完善。" 新器件獨(dú)有的閉鎖免疫cmos技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固的單片式結(jié)構(gòu)。輸出驅(qū)動(dòng)器具有標(biāo)準(zhǔn)cmos輸出的邏輯輸入兼容性，可以實(shí)現(xiàn)高脈沖電流的緩沖，適用于最低的跨導(dǎo)。其中的浮動(dòng)通道可以用來驅(qū)動(dòng)高端或低端配置中的n通道功率mosfet或igbt
al rectifier，簡稱ir) 近日推出一系列穩(wěn)固的單通道高壓集成電路 (hvic)，可用于各種不同應(yīng)用領(lǐng)域，包括電機(jī)控制、照明、開關(guān)電源、工業(yè)和焊接，以及太陽能板電池充電器。 與光電耦合器相比，最新的irs211(7、8) 系列600v高壓單通道驅(qū)動(dòng)ic能夠提供更低的輸入電流，低至40μa；輸出信號(hào)為0至15v，可有效減少元件數(shù)目并簡化電路設(shè)計(jì)。新器件的靜態(tài)電流只有340μa，加上完善的欠壓鎖定功能和150癈的最高接點(diǎn)溫度 (tj)，有助于發(fā)揮更穩(wěn)固、更可*的性能。此外，irs2117和irs2118的共模抑制為50v/ns。 ir 亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示："與傳統(tǒng)的光電耦合器解決方案相比，新器件具有更多的優(yōu)勢(shì)，不僅更穩(wěn)固，還可以簡化設(shè)計(jì)。隨著這些單通道解決方案的推出，ir高壓驅(qū)動(dòng)ic系列也日趨完善。" 新器件獨(dú)有的閉鎖免疫cmos技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固的單片式結(jié)構(gòu)。輸出驅(qū)動(dòng)器具有標(biāo)準(zhǔn)cmos輸出的邏輯輸入兼容性，可以實(shí)現(xiàn)高脈沖電流的緩沖，適用于最低的跨導(dǎo)。其中的浮動(dòng)通道可以用來驅(qū)動(dòng)高端或低端配置中的n通道功率mosfet或igb
國際整流器(international rectifier，ir)推出一系列單信道高壓集成電路(hvic)，適合多種不同的應(yīng)用領(lǐng)域，包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)式電源、工業(yè)和焊接，以及太陽能板電池充電器。 最新的irs211(7,8)系列600v高側(cè)單信道驅(qū)動(dòng)器ic，較光耦合器提供更低的輸入電流，低至40微安；輸出訊號(hào)為0至15伏，有效減少零件數(shù)目和簡化電路設(shè)計(jì)。這些組件的靜態(tài)電流也更低，只有340微安；再加上完善的欠壓閉鎖功能和150℃的最大接點(diǎn)溫度(tj)，有助發(fā)揮更穩(wěn)健和可靠的效能。此外，irs2117和irs2118的共態(tài)抑制為50v/ns。 新組件以專有的無鎖存cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固的單片式結(jié)構(gòu)。輸出驅(qū)動(dòng)器具有針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)cmos輸出的邏輯輸入兼容性，可實(shí)現(xiàn)高脈沖電流緩沖級(jí)，體現(xiàn)最低跨導(dǎo)。當(dāng)中的浮動(dòng)信道可用來驅(qū)動(dòng)高側(cè)或低側(cè)配置中的n信道功率mosfet或igbt，操作電壓達(dá)到600v。 此外新組件采用了ir先進(jìn)的高壓ic制程，融入了新一代高壓電平位移和終端技術(shù)，可提供超卓的電力過應(yīng)保護(hù)和更高的場(chǎng)可靠性。各款新組件現(xiàn)已接受批量訂貨，全部皆符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(rohs)。
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