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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>irgp30b120kd-e 更新時間:2025-08-25 10:32:46

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irgp30b120kd-e中文資料

  • “單正向”柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

    而設(shè)計的典型igbt電容曲線。cres曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到v接近15v，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau) 特性，c的實際值就可以進一步減小。 這種現(xiàn)象是由igbt內(nèi)部的本征jfet引起的。如果jfet的影響可以最小化，c和c可隨著vce的提高而很快下降。這可能減小實際的cres，即減小dv/dt感生開通對igbt的影響。 圖3 需負偏置關(guān)斷的典型igbt的寄生電容與v的關(guān)系。 irgp30b120kd-e是一個備較小c和經(jīng)改良jfet的典型igbt。這是一個1200v，30a npt igbt。它是一個co-pack器件，與一個反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于to-247封裝。 設(shè)計人員可減小多晶體柵極寬度，降低本征jfet的影響，和使用元胞設(shè)計幾何圖形，從而達到以上的目標(biāo)。 對兩種1200v npt igbt進行比較：一種是其他公司的需負偏置關(guān)斷的器件，一種是ir公司的npt單正向柵驅(qū)動irgp30b120kd-e。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56Ω下驅(qū)動時

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IRGP50B60PD IRGP50B60PDPBF IRGPS40B120UDPBF IRIS4007 IRIS4011 IRIS4015 IRL2203S IRL2505 IRL3102 IRL3102S

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