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IR推出全新基準(zhǔn)MOSFET，將封裝電流額定值提升了60%
的瞬態(tài)提供更多防護頻帶，而且還能讓數(shù)枚mosfet分享高電流的平行式拓撲得以減少器件數(shù)目?！?全新n信道m(xù)osfet系列提供60v至200v的電壓，并達到工業(yè)級別及濕度敏感度第一階(msl1) 標(biāo)準(zhǔn)。新器件均不含鉛及符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (rohs) 。產(chǎn)品基本規(guī)格如下：器件編號通道類型 bvdss(v) rds(on) (mω) 在25ºc 下id (a) qg (nc) 封裝 irfb3006pbf n 60 2.5 195* 200 to-220 irfs3006pbf n 60 2.5 195* 200 d2pak irfs3006-7ppbf n 60 2.1 240* 200 d2pak-7 irfs3107pbf n 75 3.0 195* 160 d2pak irfs3107-7ppbf n

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