200
SOIC8_150mil/21+
原裝有現(xiàn)貨實(shí)單可談
12000
SO8/2025+520
--/專注替代/降本增效-
IRF7313TRPBF
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一部只上傳優(yōu)勢(shì)臺(tái)產(chǎn)MOSFET現(xiàn)貨或發(fā)貨
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4562
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此產(chǎn)品原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨本公司是能開17%稅票單位精專于為...
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一級(jí)代理放心采購(gòu)
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SOP8/24+
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6686
SOP8/10+
全新原裝公司現(xiàn)貨,特價(jià)大處理
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柒號(hào)芯城跟原廠的距離只有0.07公分
IRF7313TRPBF
8000
SO8/24+
-
IRF7313TRPBF
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四雄微原裝價(jià)優(yōu)實(shí)在
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SOP8/24+
原裝現(xiàn)貨,提供BOM配單服務(wù)
IRF7313TRPBF
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SOP8/22+
公司原裝現(xiàn)貨主營(yíng)品牌可含稅提供技術(shù)免費(fèi)樣品
IRF7313TRPBF
200
SOIC8_150mil/21+
原裝有現(xiàn)貨實(shí)單可談
IRF7313TRPBF
3023
19+/SOP8
優(yōu)勢(shì)供應(yīng)價(jià)格優(yōu)勢(shì),大量現(xiàn)貨
IRF7313TRPBF
38000
SOP8/2025+
原廠直銷,價(jià)格優(yōu)勢(shì),一站式配套服務(wù),可開增值稅發(fā)
IRF7313TRPBF
25000
SOP8/22+
原裝原裝,一站配齊
IRF7313TRPBF
15661
-/22+
誠(chéng)信合作 一站配件
IRF7313TRPBF
1
-/25+
回收此型號(hào)IRF7313TRPBF
IRF7313TRPBF MOS
1
SOP/23+
手機(jī)號(hào)碼198-4820-2641
IRF7313TRPBF
2746
SOP8/05+08+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
這由外部mosfet決定。 強(qiáng)制pwm模式對(duì)提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),減小音頻噪聲很有好處,還能提高動(dòng)態(tài)輸出電壓調(diào)整時(shí)所需的吸收電流能力,提高多路輸出時(shí)的調(diào)整能力。 2 max1715的參數(shù)計(jì)算 我們?cè)O(shè)計(jì)的移動(dòng)通信平臺(tái)電路參數(shù)如下: 輸入電壓vin=8~14.5v; 輸出電壓vout1=3.3v,vout2=5v; 蓄電池5×1.2v=6v,容量為2.8a·h; 紋波系數(shù)lir=0.35; 負(fù)載電流3a; 開關(guān)頻率第一路345khz,第二路255khz; mos管irf7313,導(dǎo)通電阻rds=0.032ω,最大導(dǎo)通電阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。 在確定開關(guān)頻率和電感工作點(diǎn)(紋波比率)前,先確定輸入電壓范圍和最大負(fù)載電流。尖峰負(fù)載電流會(huì)對(duì)元器件的瞬態(tài)應(yīng)力和濾波要求產(chǎn)生影響,并因此決定了輸出電容選擇,電感飽和率和限流電路的設(shè)計(jì)。連續(xù)負(fù)載電流決定了溫度應(yīng)力,并因此決定了輸入電容及mosfet的選擇和其他要考慮熱效應(yīng)的器件的選擇。一般設(shè)計(jì)連續(xù)負(fù)載電流是尖峰負(fù)載電流的80%。 電感工作點(diǎn)也是效率和體積的折中,最小的最優(yōu)電感
處是空載時(shí)電池電流有10ma到40ma,這由外部mosfet決定。強(qiáng)制pwm模式對(duì)提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),減小音頻噪聲很有好處,還能提高動(dòng)態(tài)輸出電壓調(diào)整時(shí)所需的吸收電流能力,提高多路輸出時(shí)的調(diào)整能力。2 max1715的參數(shù)計(jì)算我們?cè)O(shè)計(jì)的移動(dòng)通信平臺(tái)電路參數(shù)如下:輸入電壓vin=8~14.5v;輸出電壓vout1=3.3v,vout2=5v;蓄電池5×1.2v=6v,容量為2.8a·h;紋波系數(shù)lir=0.35;負(fù)載電流3a;開關(guān)頻率第一路345khz,第二路255khz;mos管irf7313,導(dǎo)通電阻rds=0.032ω,最大導(dǎo)通電阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。在確定開關(guān)頻率和電感工作點(diǎn)(紋波比率)前,先確定輸入電壓范圍和最大負(fù)載電流。尖峰負(fù)載電流會(huì)對(duì)元器件的瞬態(tài)應(yīng)力和濾波要求產(chǎn)生影響,并因此決定了輸出電容選擇,電感飽和率和限流電路的設(shè)計(jì)。連續(xù)負(fù)載電流決定了溫度應(yīng)力,并因此決定了輸入電容及mosfet的選擇和其他要考慮熱效應(yīng)的器件的選擇。一般設(shè)計(jì)連續(xù)負(fù)載電流是尖峰負(fù)載電流的80%。電感工作點(diǎn)也是效率和體積的折中,最小的最優(yōu)電感使電路工作在
關(guān)時(shí)間小于100納秒。如果需要的話,這個(gè)負(fù)載開關(guān)可以簡(jiǎn)單地提供大于3a的輸出電流。因?yàn)殡娐缝o態(tài)電流只是由兩個(gè)三極管的漏電流產(chǎn)生的(小于100na),因此它可以被看作是零功耗。 因?yàn)閍ld 和 international rectifier device都是“雙”的,一個(gè)常開、雙極版的電路很容易就被建立了。電路的輸入端既可以被連接在一起而提供一個(gè)dpst功能,也可以保持獨(dú)立,而組成兩個(gè)spst開關(guān)。 為了建立一個(gè)常開零功耗電路而且其負(fù)載通常處于關(guān)斷狀態(tài),需要用一個(gè)n溝道負(fù)載驅(qū)動(dòng)器(例如irf7313)取代p溝道負(fù)載驅(qū)動(dòng)器irf7325。在這種情況下,電路是通常開通狀態(tài)而且負(fù)載處于通常關(guān)閉狀態(tài),整個(gè)電路只消耗漏電流。相對(duì)于一個(gè)繼電器激活的電路,這個(gè)電路的靜態(tài)消耗被降低了幾個(gè)數(shù)量級(jí),從幾瓦到幾微瓦。 如圖2的一個(gè)單常開、高側(cè)spst開關(guān)電路,展示了一個(gè)應(yīng)用ald110900a的超低功耗開關(guān)。 圖2:一個(gè)使用了ald epd mosfets的微功耗、常開、高側(cè)負(fù)載開關(guān)實(shí)現(xiàn)了零功耗;q2是一個(gè)零閥值器件。 advanced linear devices的ald110800