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irf7313供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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irf7313價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià):¥0.5000 歷史最高報(bào)價(jià):¥9.6000 歷史平均報(bào)價(jià):¥1.5604

irf7313中文資料

  • 移動(dòng)平臺(tái)中雙路電源控制器MAX1715

    這由外部mosfet決定。 強(qiáng)制pwm模式對(duì)提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),減小音頻噪聲很有好處,還能提高動(dòng)態(tài)輸出電壓調(diào)整時(shí)所需的吸收電流能力,提高多路輸出時(shí)的調(diào)整能力。 2 max1715的參數(shù)計(jì)算 我們?cè)O(shè)計(jì)的移動(dòng)通信平臺(tái)電路參數(shù)如下: 輸入電壓vin=8~14.5v; 輸出電壓vout1=3.3v,vout2=5v; 蓄電池5×1.2v=6v,容量為2.8a·h; 紋波系數(shù)lir=0.35; 負(fù)載電流3a; 開關(guān)頻率第一路345khz,第二路255khz; mos管irf7313,導(dǎo)通電阻rds=0.032ω,最大導(dǎo)通電阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。 在確定開關(guān)頻率和電感工作點(diǎn)(紋波比率)前,先確定輸入電壓范圍和最大負(fù)載電流。尖峰負(fù)載電流會(huì)對(duì)元器件的瞬態(tài)應(yīng)力和濾波要求產(chǎn)生影響,并因此決定了輸出電容選擇,電感飽和率和限流電路的設(shè)計(jì)。連續(xù)負(fù)載電流決定了溫度應(yīng)力,并因此決定了輸入電容及mosfet的選擇和其他要考慮熱效應(yīng)的器件的選擇。一般設(shè)計(jì)連續(xù)負(fù)載電流是尖峰負(fù)載電流的80%。 電感工作點(diǎn)也是效率和體積的折中,最小的最優(yōu)電感

  • 移動(dòng)通信平臺(tái)中使用的雙路電源控制器MAX1715

    處是空載時(shí)電池電流有10ma到40ma,這由外部mosfet決定。強(qiáng)制pwm模式對(duì)提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),減小音頻噪聲很有好處,還能提高動(dòng)態(tài)輸出電壓調(diào)整時(shí)所需的吸收電流能力,提高多路輸出時(shí)的調(diào)整能力。2 max1715的參數(shù)計(jì)算我們?cè)O(shè)計(jì)的移動(dòng)通信平臺(tái)電路參數(shù)如下:輸入電壓vin=8~14.5v;輸出電壓vout1=3.3v,vout2=5v;蓄電池5×1.2v=6v,容量為2.8a·h;紋波系數(shù)lir=0.35;負(fù)載電流3a;開關(guān)頻率第一路345khz,第二路255khz;mos管irf7313,導(dǎo)通電阻rds=0.032ω,最大導(dǎo)通電阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。在確定開關(guān)頻率和電感工作點(diǎn)(紋波比率)前,先確定輸入電壓范圍和最大負(fù)載電流。尖峰負(fù)載電流會(huì)對(duì)元器件的瞬態(tài)應(yīng)力和濾波要求產(chǎn)生影響,并因此決定了輸出電容選擇,電感飽和率和限流電路的設(shè)計(jì)。連續(xù)負(fù)載電流決定了溫度應(yīng)力,并因此決定了輸入電容及mosfet的選擇和其他要考慮熱效應(yīng)的器件的選擇。一般設(shè)計(jì)連續(xù)負(fù)載電流是尖峰負(fù)載電流的80%。電感工作點(diǎn)也是效率和體積的折中,最小的最優(yōu)電感使電路工作在

  • 應(yīng)用零電壓MOSFET設(shè)計(jì)常開負(fù)載開關(guān)降低功耗

    關(guān)時(shí)間小于100納秒。如果需要的話,這個(gè)負(fù)載開關(guān)可以簡(jiǎn)單地提供大于3a的輸出電流。因?yàn)殡娐缝o態(tài)電流只是由兩個(gè)三極管的漏電流產(chǎn)生的(小于100na),因此它可以被看作是零功耗。 因?yàn)閍ld 和 international rectifier device都是“雙”的,一個(gè)常開、雙極版的電路很容易就被建立了。電路的輸入端既可以被連接在一起而提供一個(gè)dpst功能,也可以保持獨(dú)立,而組成兩個(gè)spst開關(guān)。 為了建立一個(gè)常開零功耗電路而且其負(fù)載通常處于關(guān)斷狀態(tài),需要用一個(gè)n溝道負(fù)載驅(qū)動(dòng)器(例如irf7313)取代p溝道負(fù)載驅(qū)動(dòng)器irf7325。在這種情況下,電路是通常開通狀態(tài)而且負(fù)載處于通常關(guān)閉狀態(tài),整個(gè)電路只消耗漏電流。相對(duì)于一個(gè)繼電器激活的電路,這個(gè)電路的靜態(tài)消耗被降低了幾個(gè)數(shù)量級(jí),從幾瓦到幾微瓦。 如圖2的一個(gè)單常開、高側(cè)spst開關(guān)電路,展示了一個(gè)應(yīng)用ald110900a的超低功耗開關(guān)。 圖2:一個(gè)使用了ald epd mosfets的微功耗、常開、高側(cè)負(fù)載開關(guān)實(shí)現(xiàn)了零功耗;q2是一個(gè)零閥值器件。 advanced linear devices的ald110800

irf7313替代型號(hào)

IRF7307 IRF7306 IRF730 IRF7240 IRF7233 IRF7220 IRF7210 IRF7105 IRF7104 IRF7101

IRF7314 IRF7325 IRF7380 IRF7389 IRF740 IRF7404 IRF7404TRPBF IRF7406 IRF740PBF IRF7410

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