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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>irf510 更新時(shí)間:2025-09-01 11:54:47

irf510供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • 供應(yīng)商
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  • 詢價(jià)

  • IRF510S

  • 嚴(yán)選現(xiàn)貨

    嚴(yán)選現(xiàn)貨= 現(xiàn)貨+好口碑+品質(zhì)承諾

    帶有此標(biāo)記的料號：

    1. 表示供應(yīng)商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經(jīng)維庫認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。

    2. 供應(yīng)商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實(shí)際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎(jiǎng)勵(lì)您500元。

  • 281

  • IR

  • TO263/18+

  • 原裝現(xiàn)貨不僅銷售也回收

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irf510價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥0.4000 歷史最高報(bào)價(jià)：￥5.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥1.7147

irf510中文資料

  • 單端A類放大器及場效應(yīng)管（3）

    屬電壓控制器件， 在柵極及源極之間接充電電容，由于柵漏電流極小，電容電壓在很長一段時(shí)間內(nèi)能基本保持不變， 當(dāng)管子工作于可調(diào)電阻區(qū)時(shí)，其漏源極電阻將受到柵源極電壓即電容的電壓所控制，這時(shí)管子相當(dāng)于壓控可變電阻，當(dāng)指觸( 依手指電阻導(dǎo)電) 開關(guān)s1 閉合，即向電容充電，當(dāng)指觸開關(guān)s2閉合，即將電容放電，從而達(dá)到以電壓控制漏源極電阻的目的，將其按入音響設(shè)備中，即可調(diào)節(jié)音量的大小。s1 和s2 可用薄銀片或薄銅片制作，間距2 mm 左右，待調(diào)試后確定，音量增減量設(shè)置在±2 db 左右。 (2) 由irf510 作源極緩沖輸出， 減低輸出內(nèi)阻，以減小場效應(yīng)管irf150 輸入電容對高頻的影響，采用irf150 雙管并聯(lián)變壓器單端輸出。 (3) 采用性能超群的全耦合變壓器， 自制采用z11 或h10 芯片，截面積取26 mm×50 mm ；初級共240 匝， 由兩個(gè)120 匝的繞組串聯(lián)；次級用120 匝，由兩個(gè)120 匝的繞組并聯(lián)， 實(shí)際制作時(shí)， 用兩根ф0.77 mm 和兩根ф1.04 mm 高強(qiáng)度漆包線四股并繞，分清四個(gè)繞組的頭和尾， 再將兩個(gè)ф0.77 mm 繞組的頭和尾串聯(lián)作為初級， 將兩

  • 大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

    放大器放大鏈采用三級場效應(yīng)管，全部選用mosfet。每級放大均采用ab類功率放大模式，且均選用推挽式，以保證功率放大器模塊可以寬帶工作。考慮到供電電源通常使用正電壓比較方便，因此選用增強(qiáng)型mos場效應(yīng)管。另外為了展寬頻帶和輸出大功率，采用傳輸線寬帶匹配技術(shù)和反饋電路，以達(dá)到設(shè)計(jì)要求。 由于本射頻功率放大器輸出要求為大功率脈沖式發(fā)射，因此要求第一、二級使用的mosfet應(yīng)具備快速開關(guān)切換，以保證脈沖調(diào)制信號的下降沿和上升沿完好，減少雜波和諧波的干擾。設(shè)計(jì)中第一、二級功率放大選用mosfet為irf510和irf530。最后一級功放要求輸出脈沖功率達(dá)到1200w，為避免使用功率合成技術(shù)，選用mosprt mrfl57作為最后的功率輸出級。所設(shè)計(jì)的射頻脈沖功率放大器電路原理圖如圖1所示。 發(fā)射通道的建立都是在信號源產(chǎn)生射頻信號后經(jīng)過幾級的中間級放大才把信號輸入到功率放大級，最后通過天線把射頻信號發(fā)射出去。 圖1中，輸入信號為20～21dbm，50ω輸入；工作電壓為15v和一48v，其中15v為第一、二級功放提供工作電壓，48v為最后一級功放提供工作電壓；6v穩(wěn)壓輸出可以使用15v或

  • IRF510

    5.6A/100V

  • 電容放電式點(diǎn)火電路原理圖

    本文介紹的電容放電式點(diǎn)火電路的產(chǎn)生是從一個(gè)點(diǎn)火線圈火花放電橫跨線圈初級電容。2uf電容器充電至約340伏，放電是由可控硅控制。施密特觸發(fā)振蕩器（74c14）和mosfet（irf510）用于驅(qū)動低小電源變壓器高壓側(cè)和電壓加倍的安排是在高壓側(cè)用于增加電容電壓約340伏。該電源門控關(guān)閉期間的放電時(shí)間，使可控硅將停止進(jìn)行，并返回到它的阻斷狀態(tài)。從3904連接到引腳74c14導(dǎo)致電源振蕩器停止放電時(shí)間在9二極管。該電路吸引了來自12伏源只有200毫安，并提供幾乎兩倍于傳統(tǒng)的點(diǎn)火電路的正常能量。從線圈高電壓10kv級左右使用一個(gè)3/8英寸火花正?？諝獾臏囟群蛪毫Φ牟罹唷Ｐ腔鹇士商岣叩?0赫茲可能沒有損失太多的火花強(qiáng)度，而是由低頻電源變壓器和職責(zé)，把有限的振蕩周期。為了更快地火花率，更高的頻率和更低的阻抗供應(yīng)將是必需的。 來源:朦煙

irf510替代型號

IRF4905S IRF4905 IRF460LC IRF460 IRF450 irf440 IRF4104 IRF4000 IRF3805 IRF3803

IRF520 IRF521 IRF5210 IRF522 IRF530 IRF5305 IRF530N IRF540 IRF540/N IRF540N

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IRF7314TRPBF ISL6622CRZ-T IRFP250NPBF ICL7660SCBA INA196AIDBVR IRLR3103TRPBF IRFD120 ICE3A0565Z INA211AIDCKR ISL9N312AD3ST

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