5000
TO247/25+
原廠渠道商,可支持60天賬期及180天承兌
IRF150
50000
TO3/2025+
固電半導(dǎo)體,33年國產(chǎn)工廠,可替代進口
IRF150NPBF
48000
IR/24+
原裝現(xiàn)貨,可開專票,提供賬期服務(wù)
IRF150P220
4839
TO247/21+
-
IRF150P220
15609
-/22+
誠信合作 一站配件
IRF1503STRLPBF
1600
TO263/22+
優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存,支持實單
IRF1503PBF
6000
IRF1503/22+
原裝現(xiàn)貨實單可談
IRF150
31
TO/28723
自己現(xiàn)貨,深圳交易
IRF150
500000
TO/22+
全新原裝全市場價
IRF150M
2756
-/1937
真實原裝現(xiàn)貨,軍工優(yōu)勢庫位北京
IRF150P221
22000
-/2230
4000
IRF150P221
32400
TO2473/2022+2023+
奧詩達電子,原裝現(xiàn)貨
IRF150
52701
-/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
IRF150
3000
N/A/12+N/A
原裝正品熱賣,價格優(yōu)勢
IRF150
880
-/23+
假一罰萬,原廠原裝有COC,長期有訂貨
IRF150
5000
TO3/2025+
國產(chǎn)品牌isc,替代進口
IRF150
25850
-/16+
原裝現(xiàn)貨長期供應(yīng)
IRF150
65230
-/21+
一級代理/放心采購
IRF150
8000
TO204AA/2023+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
IRF150
9000
TO3/23+
-
                            IRF150
                            50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RE...
                            ETC 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/...
                            FAIRCHILD 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            N-CHANNEL POWER MOSFET
                            SEME-LAB 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Powe...
                            INTERSIL 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            N-CHANNEL POWER MOSFETS
                            SAMSUNG 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds...
                            IRF 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
                            IXYS 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RE...
                            ETC [ETC] 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Powe...
                            INTERSIL [Intersil Corporation] 
                            IRF150PDF下載
                        
                            IRF150
                            HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
                            IXYS [IXYS Corporation] 
                            IRF150PDF下載
                        只不過檢測的變量是輸出電壓,這一輸出電壓是經(jīng)過分壓器ra/rb衰減的,所以電子負載的工作電壓比運放電源電壓高。檢測出的電壓被反饋到 ic1b 的非反相輸入端,mosfet 再次工作在線性區(qū)。負載電壓vload=vvref×(ra+rb)/rb。 ca3240型雙運放ic1可以在輸入電壓低于負電源電壓的情況下工作,這對單電源供電非常有用,然而,如果你有對稱電源,那就可以采用任何運放。繼電器 k1通過一根驅(qū)動q1 的數(shù)字控制線來切換工作模式。mosfet 是至關(guān)重要的;你可以增加這個并聯(lián)使用的irf150器件,以提高電流承受能力,因為irf150具有正的溫度系數(shù),從而可均衡流過兩只并聯(lián) mosfet的電流。由于電路中使用兩只 mosfet,電子負載可承受10a 電流,功耗大于 100w,所以使用一只散熱器和小風(fēng)扇是個好主意。 本電路適用于描述有兩種電源模式的光伏電池模塊的特性。采用本電路和基于pc的設(shè)置時,helios技術(shù)公司(www.heliostechnology.com)的一個光伏電池模塊的i-v特性曲線表明有一個區(qū)在vmpp(最高點的電壓)以上,在vmpp這一電壓下,陡峭的過渡與一個電
只不過檢測的變量是輸出電壓,這一輸出電壓是經(jīng)過分壓器ra/rb衰減的,所以電子負載的工作電壓比運放電源電壓高。檢測出的電壓被反饋到 ic1b 的非反相輸入端,mosfet 再次工作在線性區(qū)。負載電壓vload=vvref×(ra+rb)/rb。 ca3240型雙運放ic1可以在輸入電壓低于負電源電壓的情況下工作,這對單電源供電非常有用,然而,如果你有對稱電源,那就可以采用任何運放。繼電器 k1通過一根驅(qū)動q1 的數(shù)字控制線來切換工作模式。mosfet 是至關(guān)重要的;你可以增加這個并聯(lián)使用的irf150器件,以提高電流承受能力,因為irf150具有正的溫度系數(shù),從而可均衡流過兩只并聯(lián) mosfet的電流。由于電路中使用兩只 mosfet,電子負載可承受10a 電流,功耗大于 100w,所以使用一只散熱器和小風(fēng)扇是個好主意。 本電路適用于描述有兩種電源模式的光伏電池模塊的特性。采用本電路和基于pc的設(shè)置時,helios技術(shù)公司(www.heliostechnology.com)的一個光伏電池模塊的i-v特性曲線表明有一個區(qū)在vmpp(最高點的電壓)以上,在vmpp這一電壓下,陡峭的過渡與一個電
小,電容電壓在很長一段時間內(nèi)能基本保持不變, 當管子工作于可調(diào)電阻區(qū)時,其漏源極電阻將受到柵源極電壓即電容的電壓所控制,這時管子相當于壓控可變電阻,當指觸( 依手指電阻導(dǎo)電) 開關(guān)s1 閉合,即向電容充電,當指觸開關(guān)s2閉合,即將電容放電,從而達到以電壓控制漏源極電阻的目的,將其按入音響設(shè)備中,即可調(diào)節(jié)音量的大小。s1 和s2 可用薄銀片或薄銅片制作,間距2 mm 左右,待調(diào)試后確定,音量增減量設(shè)置在±2 db 左右。 (2) 由irf510 作源極緩沖輸出, 減低輸出內(nèi)阻,以減小場效應(yīng)管irf150 輸入電容對高頻的影響,采用irf150 雙管并聯(lián)變壓器單端輸出。 (3) 采用性能超群的全耦合變壓器, 自制采用z11 或h10 芯片,截面積取26 mm×50 mm ;初級共240 匝, 由兩個120 匝的繞組串聯(lián);次級用120 匝,由兩個120 匝的繞組并聯(lián), 實際制作時, 用兩根ф0.77 mm 和兩根ф1.04 mm 高強度漆包線四股并繞,分清四個繞組的頭和尾, 再將兩個ф0.77 mm 繞組的頭和尾串聯(lián)作為初級, 將兩個ф1.04 mm 繞組頭頭和尾尾并聯(lián)作為次級,硅鋼片順插,
工頻逆變器以其線路簡單,易于初學(xué)者制作、調(diào)式,抗過載能力強,成本低,實用等優(yōu)點,深受廣大電子制作愛好者的青睞。去年我用下圖做了一個家用逆變器,把bg5換成lm7812的三端穩(wěn)壓,功率管用4對irf150變壓器是500w200、220、240、260v多抽頭輸出,一制即成,用來啟動電腦和電視機毫不費力,只是帶電風(fēng)扇稍遜一籌。聲音要大一些,轉(zhuǎn)速慢一些。當停電時,搬出來就用。大家都沒有電,唯獨我家滿屋亮堂堂的。 后來,充電時被小孩接通了逆變lm7812和4對irf150還有濾波電容一齊完蛋了,我心都痛了。都怪我沒有用繼電器用來切換逆、充啊! 圖1 簡單實用的逆變電源電路圖 在此期間又買回tl494和4對irf540又做了一個逆變驅(qū)動板,發(fā)現(xiàn)在50hz左右時(沒有頻率表,以長期做逆變器的經(jīng)驗靠耳聽音頻,哈哈~~~厲害吧!)帶小功率的變器還可以,500va的ups的變壓器時居然不穩(wěn)斷斷續(xù)續(xù)的,電流很大場管急劇發(fā)熱,帶500w的變壓器有時穩(wěn)有時不穩(wěn),說不定換一根粗一點的線,或是把板子移動個方向就不穩(wěn)了,最后棄用! 圖如下: 圖2 可以自動穩(wěn)壓的逆變電路圖 制作沒有因此而停下
感l(wèi)s、漏極引線電感l(wèi)d等。在多管并聯(lián)時一定要盡量使并聯(lián)各支路的rg及對應(yīng)的各引線長度相同。圖22 q值對并聯(lián)均流的影響在此引入q軌跡[3]把器件內(nèi)部參數(shù)同其外圍線路聯(lián)系起來,分析線路中各種寄生因素對并聯(lián)均流的影響。當n個功率mosfet并聯(lián)工作時,假設(shè)各支路的rg完全相同,柵漏源極連線長度也各自相同。定義q值如式(1)。q=iglx (1)式中:ig為工作區(qū)內(nèi)的平均柵極電流;lx=lss1+lss2+ld/n其中l(wèi)ss1及l(fā)ss2為外圍線路電感。2.1 q值對器件工作狀態(tài)的影響不同q值下irf150開通和關(guān)斷時漏電流id和漏源電壓vds曲線如圖1中實線所示。而在q=q2,ls/lx不同時,器件開關(guān)時id與vds波形如圖1中虛線所示。 從圖1中實線可以看出,q值越大,換向時間越短,開通損耗越低但關(guān)斷損耗增大;從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感,器件的開關(guān)軌跡發(fā)生很大變化,開通損耗增加而關(guān)斷損耗減小。在高頻情況下,器件的開關(guān)時間和開關(guān)損耗對整個系統(tǒng)效率的提高至關(guān)重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應(yīng)該是在相對較高的q值下。以下基于不同q值,通過仿真軟件pspice分析外圍線路中
40.0A/100V
相關(guān)元件pdf下載:irf150
改正的圖,麻煩再看看吧 1.d4為反極性保護用的2.q2 q4是在負脈沖的時候,使irf150迅速放電的3.3525片內(nèi)放大器開環(huán)工作,我是用來做比較器用的4.輸出是220v/50hz的,是不是要加橋式轉(zhuǎn)換呀http://bbs.21ic.com/upfiles/img/200612/200612219958769.pdf