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800khz的模擬pwm調節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護(ocp)、欠壓鎖定保護(uvlo),以及可以擴展功率設計的可編程預置死區(qū)時間等。 數字音頻mosfet技術資料 該ic還備有豐富的數字音頻mosfet,可滿足從50w到500w的輸出功率。作為ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,這些mosfet都對音頻性能的關鍵參數進行了優(yōu)化,例如效率、總諧波失真(thd)和電磁干擾(emi)。 iraudamp5 參考設計 iraudamp5 參考設計可加速開發(fā)和評估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基礎上,雙通道設計采用120w半橋功率放大器,可以適用于不同功率和通道數,在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120w的mosfet 級可實現96%的效率,在1khz、60w、4ω的條件下thd+n為0.005%(均為典型值) 。 ic 規(guī)格 產品編號 偏置電壓 流入/流出電流 vccran
irs2092的主要功能包括:頻率可達800khz的模擬pwm調節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護(ocp)、欠壓鎖定保護(uvlo),以及可以擴展功率設計的可編程預置死區(qū)時間等。 數字音頻mosfet技術資料 該ic還備有豐富的數字音頻mosfet,可滿足從50w到500w的輸出功率。作為ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,這些mosfet都對音頻性能的關鍵參數進行了優(yōu)化,例如效率、總諧波失真(thd)和電磁干擾(emi)。 iraudamp5 參考設計 iraudamp5 參考設計可加速開發(fā)和評估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基礎上,雙通道設計采用120w半橋功率放大器,可以適用于不同功率和通道數,在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120w的mosfet 級可實現96%的效率,在1khz、60w、4ω的條件下thd+n為0.005%(均為典型值) 。 來源:零八我的愛
能的預期,在一些相對中、高端的應用,如中、高價位的家庭影院、家庭立體聲音響、有源揚聲器、樂器和專業(yè)音頻等領域,受d類的音頻質量差于ab類的看法的影響,加上設計人員對系統(tǒng)功耗和體積的不重視,d類音頻放大器目前還沒有得到廣泛的采用。ir最近推出的新型d類音頻放大器打破了這一瓶頸。 “通常情況下,的確是ab類放大器的音頻質量高于d類,然而事實正在改變,”國際整流器公司全球市場資訊副總裁graham robertson表示,“采用ir的irs2092s d類放大器和irf6645 mosfet的iraudamp5音頻參考設計方案,在輸入1khz、接4ω負載時我們可以看到,在80w以下區(qū)域,thd+n實際上是低于傳統(tǒng)的ab類放大器,而在60w附近,d類布局的thd+n更是達到了0.005%的水平。只有在80w到140w區(qū)域,ab類的性能才稍稍高過d類,即使在120w,該d類布局的thd仍不超過1%?!睂τ趥鹘y(tǒng)的家庭音響設備,消費者在日常使用時每個聲道的功耗經常是在幾十瓦的范圍,因此在音響功放設備中采用該d類架構很好的滿足了需求且達到了超過ab類的音效質量。 由于音頻質量上的長足進步,d類音頻放大器
而又昂貴的設計工作。 irs2092的主要功能包括:頻率可達800khz的模擬pwm調節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護(ocp)、欠壓鎖定保護(uvlo),以及可以擴展功率設計的可編程預置死區(qū)時間等。 該ic還備有豐富的數字音頻mosfet,可滿足從50w到500w的輸出功率。作為ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,這些mosfet都對音頻性能的關鍵參數進行了優(yōu)化,例如效率、總諧波失真(thd)和電磁干擾(emi)。 iraudamp5參考設計可加速開發(fā)和評估。在irs2092 ic和irf6645 directfet功率mosfet基礎上,雙通道設計采用120w半橋功率放大器,可以適用于不同功率和通道數,在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120w的mosfet 級可實現96%的效率,在1khz、60w、4ω的條件下thd+n為0.005%(均為典型值)。
又昂貴的設計工作。 irs2092的主要功能包括:頻率可達800khz的模擬pwm調節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護(ocp)、欠壓鎖定保護(uvlo),以及可以擴展功率設計的可編程預置死區(qū)時間等。 該ic還備有豐富的數字音頻mosfet,可滿足從50w到500w的輸出功率。作為ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,這些mosfet都對音頻性能的關鍵參數進行了優(yōu)化,例如效率、總諧波失真(thd)和電磁干擾(emi)。 iraudamp5 參考設計可加速開發(fā)和評估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基礎上,雙通道設計采用120w半橋功率放大器,可以適用于不同功率和通道數,在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120w的mosfet 級可實現96%的效率,在1khz、60w、4ω的條件下thd+n為0.005%(均為典型值) 。