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                        摘要:介紹了一個基于自激式半橋驅(qū)動器ir2135的熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路,著重介紹了燈絲預(yù)熱和啟動保護(hù)等單元電路的構(gòu)成和的特點(diǎn),并給出了詳細(xì)電原理圖。 關(guān)鍵詞:電子鎮(zhèn)流器;功率因數(shù)校正;燈絲預(yù)熱;重啟動 引言 熒光燈的發(fā)光效率優(yōu)于白熾燈已成為不爭的事實(shí),為此,近20年來,電子鎮(zhèn)流器在世界范圍內(nèi)得到了迅速的普及和發(fā)展,各半導(dǎo)體廠家推出了眾多的用于電子鎮(zhèn)流器的驅(qū)動電路,本文介紹的電子鎮(zhèn)流器基于ir公司開發(fā)的ir2153驅(qū)動器和摩托羅拉公司的mc33262功率因數(shù)控制器,是一種結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,可靠性高的解決方案。 1 自激式半橋驅(qū)動器ir2153介紹 ir2153是在ir2155和ir2151基礎(chǔ)上推出的改進(jìn)型的vmos和igbt柵極驅(qū)動器,它將高壓半橋驅(qū)動器和一個類似于555時基電路的前端振蕩器集成在一個8腳芯片上,使其成為一款功能更多,更易于使用的功率驅(qū)動ic芯片。如圖1所示,腳ct兼有保護(hù)關(guān)斷功能,可以用一個低電壓信號使驅(qū)動器停止輸出。另外,輸出脈沖的寬度保持相等,一旦vcc上升到欠壓閉鎖閾值,驅(qū)動器能以更加穩(wěn)定的頻率開始起振。通過降低
600v隔離,見圖1黃色粗線所示。這是因?yàn)楫?dāng)今不少照明技術(shù)均與高電壓功率mosfet技術(shù)相聯(lián)在一起的,其分離產(chǎn)品系列包括大量不同型號的器件,范圍從橋式整流器和肖特基二極管到功率mosfet和igbt。 圖1 高壓隔離結(jié)ic技術(shù)示意圖(灰色粗線所示為高壓隔離井) 高壓隔離結(jié)ic技術(shù)的特征是,使高端及低端的驅(qū)動功能融合于單一芯片內(nèi),以控制多種開關(guān)轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一是廣泛應(yīng)用在電子鎮(zhèn)流器中的半橋結(jié)構(gòu)。這使得該技術(shù)非常適合于電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)業(yè)。 2.1.2 熒光燈照明的 ir2153與ir2166控制 ic *ic ir2153把標(biāo)準(zhǔn)555時基電路與高端和低端半橋驅(qū)動器結(jié)合在一起。這個ic與高壓mosfet一起,很快就被照明技術(shù)采用,并成為了電子鎮(zhèn)流器的一個標(biāo)準(zhǔn)控制器,可以作為未來照明設(shè)備控制ic發(fā)展的基礎(chǔ)。由于ir2153被廣泛應(yīng)用并作改進(jìn)成為irs2153d,其頂部更加堅實(shí)耐用,且集成了必要的自舉二極管。 *ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基礎(chǔ)上改進(jìn)的鎮(zhèn)流器技術(shù),它集成了另外的功能到ir2153中,這是更加完善控制熒光燈的要求。它們包括最大
放置在隔離的“井”里面,這個“井”到低壓電路可以有600v隔離。 圖1 高壓隔離結(jié)ic技術(shù)示意圖 這是因?yàn)楫?dāng)今不少照明技術(shù)均與高電壓功率mosfet技術(shù)相聯(lián)在一起的,其分離產(chǎn)品系列包括大量不同型號的器件,范圍從橋式整流器和肖特基二極管到功率mosfet和igbt。 高壓隔離結(jié)ic技術(shù)的特征是,使高端及低端的驅(qū)動功能融合于單一芯片內(nèi),以控制多種開關(guān)轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一是廣泛應(yīng)用在電子鎮(zhèn)流器中的半橋結(jié)構(gòu)。這使得該技術(shù)非常適合于電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)業(yè)。 熒光燈照明的 ir2153與ir2166控制 ic ic ir2153把標(biāo)準(zhǔn)555時基電路與高端和低端半橋驅(qū)動器結(jié)合在一起。這個ic與高壓mosfet一起,很快就被照明技術(shù)采用,并成為了電子鎮(zhèn)流器的一個標(biāo)準(zhǔn)控制器,可以作為未來照明設(shè)備控制ic發(fā)展的基礎(chǔ)。由于ir2153被廣泛應(yīng)用并作改進(jìn)成為irs2153d,其頂部更加堅實(shí)耐用,且集成了必要的自舉二極管。 ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基礎(chǔ)上改進(jìn)的鎮(zhèn)流器技術(shù),它集成了另外的功能到ir2153中,這是更加完善控制熒光燈的要求。它們包括最大化燈
圖1 采用pfc+非穩(wěn)壓隔離變換器組合的原理框圖 這樣就能將非穩(wěn)壓隔離變換器看成pfc的一部分,而pfc則變成隔離型pfc。由于隔離型pfc具有隔離功能、電壓關(guān)閉功能和穩(wěn)壓功能,就使其成為真正意義上的隔離型開關(guān)穩(wěn)壓電源。 采用非pwm工作方式所得到的最大占空比可以使全橋電路中的開關(guān)管在“零電壓”下導(dǎo)通,即實(shí)現(xiàn)“零電壓開關(guān)”。這樣能提高電路工作的可靠性,進(jìn)一步減小損耗,提高效率。 irs2453功能簡介 irs2453自振全橋變換器是美國國際整流器公司在自振高壓橋式驅(qū)動器ir2153的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。 irs2453自振全橋驅(qū)動器具有較高的工作電壓(600v),內(nèi)部有一個類似于555定時器的頻率可設(shè)置的振蕩器,全橋柵極驅(qū)動可保證其精確的死區(qū)時間。在此芯片內(nèi)部,包含mosfet組成的全橋電路。這樣的構(gòu)造,一方面節(jié)省了外部器件,降低了成本;另一方面,節(jié)省了空間,使整個電源的體積縮小。更重要的是,在芯片內(nèi)部,開關(guān)管工作的占空比固定。在該全橋電路前端結(jié)構(gòu)中,各開關(guān)管的占空比可接近50%,這使得全橋電路中開關(guān)管的占空比可達(dá)到95%,甚至更高。而通常情況下,開關(guān)管的最大占空比小
摘要:介紹了一個基于自激式半橋驅(qū)動器IR2135的熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路,著重介紹了燈絲預(yù)熱和啟動保護(hù)等單元電路的構(gòu)成和的特點(diǎn),并給出了詳細(xì)電原理圖。
關(guān)鍵詞:電子鎮(zhèn)流器;功率因數(shù)校正...
可以有600v隔離,見圖1黃色粗線所示。這是因?yàn)楫?dāng)今不少照明技術(shù)均與高電壓功率mosfet技術(shù)相聯(lián)在一起的,其分離產(chǎn)品系列包括大量不同型號的器件,范圍從橋式整流器和肖特基二極管到功率mosfet和igbt。隨著高壓隔離結(jié)ic技術(shù)的加入,從而為功率電子產(chǎn)業(yè)的無限設(shè)計打開了大門。 高壓隔離結(jié)ic技術(shù)的特征是,使高端及低端的驅(qū)動功能融合于單一芯片內(nèi),以控制多種開關(guān)轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一是廣泛應(yīng)用在電子鎮(zhèn)流器中的半橋結(jié)構(gòu)。這使得該技術(shù)非常適合于電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)業(yè)。 2.12螢光燈照明的 ir2153與ir2166控制ic *ic ir2153把標(biāo)準(zhǔn)555時基電路與高端和低端半橋驅(qū)動器結(jié)合在一起。這個ic與高壓mosfet一起,很快就被照明技術(shù)采用,并成為了電子鎮(zhèn)流器的一個標(biāo)準(zhǔn)控制器,可以作為未來照明設(shè)備控制ic發(fā)展的基礎(chǔ)。由于ir2153被廣泛應(yīng)用并作改進(jìn)成為irs2153d,其頂部更加堅實(shí)耐用,且集成了必要的自舉二極管。 *ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基礎(chǔ)上改進(jìn)的鎮(zhèn)流器技術(shù).它集成了另外的功能到ir2153中,這是更加完善控制螢光燈的要求。它們包括最大化燈壽命和
鎮(zhèn)流器單一集成電路,具有各種主要的鎮(zhèn)流器和安全功能,如觸發(fā)故障保護(hù)和燈絲損毀保護(hù)。該器件還可用外部關(guān)斷信號自動復(fù)位,或在受控狀態(tài)下關(guān)掉鎮(zhèn)流器。 ir2156器件的內(nèi)置安全和操作功能,有助于節(jié)省額外的電路,并降低系統(tǒng)的整體成本。其預(yù)熱頻率、死區(qū)和預(yù)熱時間可根據(jù)不同電燈類型和操作電壓的需要,通過r-c網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行編程,大幅提高可制造性。舉例說,采用了ir2156的緊湊型螢光燈,可通過電阻器和電容器進(jìn)行編程,設(shè)定預(yù)熱和運(yùn)行效率。 ir公司全球銷售高級副總裁曾海邦表示:?r2156集成電路秉承了ir2153的成功技術(shù),大大簡化螢光燈鎮(zhèn)流器的設(shè)計。該產(chǎn)品把精簡設(shè)計的概念進(jìn)一步發(fā)揚(yáng)光大,減少外部元件數(shù)量達(dá)25%?!?ir2156集成電路有14引腳dip和扁平soic兩種封裝。
mosfet管ir2153應(yīng)用電路,本電路為半橋式電路的驅(qū)動控制部份。 金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。mosfet依照其"通道"的極性不同,可分為n-type與p-type的mosfet,通常又稱為nmosfet與pmosfet,其他簡稱尚包括nmos fet、pmos fet、nmosfet、pmosfet等。 來源:bill
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