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元器件：功率半導體封裝技術的發(fā)展趨勢
的單個器件中是internationalrectifier公司的專利。 fetky器件封裝包括了一個控制mosfet、同步mosfet和肖特基二極管，以圖簡化單相降壓變換器。在這種電路中，肖特基二極管用于減小同步fet中反向恢復的電荷損耗。電流密度也得到了改善，因為現(xiàn)在1個封裝取代了3個器件。共同封裝的自然發(fā)展結果就是集成化，此時可以將mosfet、二極管、ic和對電路布局來說至關重要的無源元件集成到單個器件上。internationalrectifier采用了ipowir技術的ip2001和1001就是這類器件的良好實例。ip2001封裝在11×11×3mm的bga封裝中，它只需接上一個多相控制器、輸入和輸出電容以及輸出電感，就可以實現(xiàn)一個功能完備的大電流變換器。1個ip2001每相可以取代多達11個分立元件。集成化不僅使得占用面積減少了44％，而且與分立方案相比提高了10％的效率。未來的發(fā)展隨著便攜式電子產品電流密度和尺寸的提高，共同封裝及集成化在提高系統(tǒng)性能方面越來越變得必不可少。最成功的平臺將提供最低的每安培電流成本，同時保證用戶所需的外形規(guī)格。
功率半導體封裝技術的發(fā)展趨勢
稱作fetky的單個器件中是internationalrectifier公司的專利。 fetky器件封裝包括了一個控制mosfet、同步mosfet和肖特基二極管，以圖簡化單相降壓變換器。在這種電路中，肖特基二極管用于減小同步fet中反向恢復的電荷損耗。電流密度也得到了改善，因為現(xiàn)在1個封裝取代了3個器件。共同封裝的自然發(fā)展結果就是集成化，此時可以將mosfet、二極管、ic和對電路布局來說至關重要的無源元件集成到單個器件上。internationalrectifier采用了ipowir技術的ip2001和1001就是這類器件的良好實例。ip2001封裝在11×11×3mm的bga封裝中，它只需接上一個多相控制器、輸入和輸出電容以及輸出電感，就可以實現(xiàn)一個功能完備的大電流變換器。1個ip2001每相可以取代多達11個分立元件。集成化不僅使得占用面積減少了44％，而且與分立方案相比提高了10％的效率。未來的發(fā)展隨著便攜式電子產品電流密度和尺寸的提高，共同封裝及集成化在提高系統(tǒng)性能方面越來越變得必不可少。最成功的平臺將提供最低的每安培電流成本，同時保證用戶所需的外形規(guī)格。 (end)

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