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Cost-Effective A/D Flash Type 8-Bit ...
HOLTEK
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holtek半導(dǎo)體繼ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)可重復(fù)10萬次之讀/寫，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom可重復(fù)100萬次之讀/寫。搭配holtekisp (in-system programming)技術(shù)方案，可輕易實(shí)現(xiàn)成品韌體更新，全系列搭載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(eeprom)，可于生產(chǎn)過程或成品運(yùn)作中儲(chǔ)存相關(guān)調(diào)校參數(shù)與數(shù)據(jù)，并且不因電源關(guān)閉而消失，可有效提高生產(chǎn)效能與產(chǎn)品彈性。 a/d型快閃微控制器ht46f4xe系列共計(jì)四個(gè)型號(hào)---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快閃程序內(nèi) 存(flash program rom)由1k~4k words，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom為128或256 bytes，i/o由13~23個(gè)，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作為監(jiān)測(cè)外部模擬信號(hào)之用途，諸如電池電
holtek半導(dǎo)體繼ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu － ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)可重復(fù)10萬次之讀/寫，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom可重復(fù)100萬次之讀/寫。搭配holtekisp (in-system programming)技術(shù)方案，可輕易實(shí)現(xiàn)成品韌體更新，全系列搭載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(eeprom)，可于生產(chǎn)過程或成品運(yùn)作中儲(chǔ)存相關(guān)調(diào)校參數(shù)與數(shù)據(jù)，并且不因電源關(guān)閉而消失，可有效提高生產(chǎn)效能與產(chǎn)品彈性。 a/d型快閃微控制器ht46f4xe系列共計(jì)四個(gè)型號(hào)---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)由1k~4k words，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom為128或256 bytes，i/o由13~23個(gè)，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作為監(jiān)測(cè)外部模擬信號(hào)之用途，諸如電池電壓、電
holtek半導(dǎo)體繼ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)可重復(fù)10萬次之讀/寫，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom可重復(fù)100萬次之讀/寫。搭配holtekisp (in-system programming)技術(shù)方案，可輕易實(shí)現(xiàn)成品韌體更新，全系列搭載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(eeprom)，可于生產(chǎn)過程或成品運(yùn)作中儲(chǔ)存相關(guān)調(diào)校參數(shù)與數(shù)據(jù)，并且不因電源關(guān)閉而消失，可有效提高生產(chǎn)效能與產(chǎn)品彈性。 a/d型快閃微控制器ht46f4xe系列共計(jì)四個(gè)型號(hào)---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)由1k~4k words，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom為128或256 bytes，i/o由13~23個(gè)，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作為監(jiān)測(cè)外部模擬信號(hào)之用途，諸如電池電壓、電流、
繼ht46f47e之后，holtek半導(dǎo)體再增添a/d型flash mcu－h(huán)t46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工業(yè)上-40℃－85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，快閃程序內(nèi)存(flash program rom)可重復(fù)進(jìn)行10萬次讀/寫，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom可重復(fù)100萬次的讀/寫。 搭配holtek isp(in-system programming)技術(shù)方案，可輕易實(shí)現(xiàn)成品韌體更新，全系列搭載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(eeprom)，可在生產(chǎn)過程或成品運(yùn)作中儲(chǔ)存相關(guān)調(diào)校參數(shù)與數(shù)據(jù)，并且不會(huì)因電源關(guān)閉而消失，可有效提高生產(chǎn)效能與產(chǎn)品彈性。 a/d型快閃微控制器ht46f4xe系列共計(jì)四個(gè)型號(hào)：ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e?？扉W程序內(nèi)存(flash program rom)有1k-4k words，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器eeprom為128或256 bytes，i/o有13-23個(gè)，sram有64-128 bytes，全系列提供4信道9 bit或8 bit adc、8bit pwm adc，可作為監(jiān)測(cè)外部模擬信號(hào)之用途，諸如電池電壓、電流
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