HS100B
24000
LQFN48/25+
一級(jí)代理商,原裝
HS10P06DA
2600
TO252/16+
原裝
HS101
150
N/A/16+
原廠
HS10470RJ
17
Original/2312
原裝現(xiàn)貨
HS102
10000
-/-
功率0.2w - 9w 持續(xù)工作電壓 2.0kv - 48kv阻值100KR -...
HS10
5000
-/24+
優(yōu)勢(shì)渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
HS10
53601
-/25+
原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來電或QQ洽談
HS10
5
-/-
最多庫存量 現(xiàn)貨代理商QQ查詢 MASTER
HS10
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
HS10
9800
N/A/1808+
原裝正品,亞太區(qū)混合型電子元器件分銷
HS10
3000
-/N/A
原裝正品熱賣,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
HS10
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
HS10
53601
-/25+
原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來電或QQ洽談
HS10
28800
-/22+
原裝現(xiàn)貨,提供配單服務(wù)
HS10
96000
SENSOR LINEAR DISPLACEMENT .5/2020+
原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)
HS10
5240
-/21+
中研正芯,只做原裝
HS10
60701
-/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
HS10
48000
-/24+
原裝現(xiàn)貨,可開專票,提供賬期服務(wù)
HS10
228000
NR/2017+
誠研翔科技,配單公司,可開增值稅發(fā)票
HS10
6608
-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原裝現(xiàn)貨
1
繼電器
配件
-
散熱片
1.1° C/W
Multiple 系列
-
×200mt條件下)。在 80℃時(shí)損耗最小,為280mw/cm3。25℃時(shí)bs為 540mt,100℃時(shí),bs為420mt。還開發(fā)出高溫高飽和磁密材料pe33,居里點(diǎn)tc>290℃,在100℃ 下,bs為450mt。在100℃,100khz×200mt條件下,pc≤1100mw/cm3,日本fdk公司,德國 epcos公司、ferrocube公司也開發(fā)出類似的高溫高飽和磁密材料。 高磁導(dǎo)率材料也有許多新品種,如tdk公司的脈沖變壓器用h5c5,μi為30000左右。抗電磁干擾電感器用hs10,同時(shí)具有良好的頻率特性和阻抗特性,在500khz仍具有較高磁導(dǎo)率,雖然初始磁導(dǎo)率不高,只有10000左右。高磁導(dǎo)率高飽和磁密材料dn50,在25℃時(shí)bs為550mt,在100℃時(shí)bs為380mt,μi為5200左右,居里溫度tc≥210℃。 在新工藝方面,自蔓延高溫合成法(shs)是近年來的研究熱點(diǎn),其原理是利用反應(yīng)物內(nèi)部的化學(xué)能來合成材料。整個(gè)工藝極為簡(jiǎn)單,能耗低,生產(chǎn)效率與產(chǎn)品純度高,對(duì)環(huán)境無污染,已經(jīng)成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn鐵氧體,正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?;鸹ǖ入x子燒結(jié)法
×200mt條件下)。在 80℃時(shí)損耗最小,為280mw/cm3。25℃時(shí)bs為 540mt,100℃時(shí),bs為420mt。還開發(fā)出高溫高飽和磁密材料pe33,居里點(diǎn)tc>290℃,在100℃ 下,bs為450mt。在100℃,100khz×200mt條件下,pc≤1100mw/cm3,日本fdk公司,德國 epcos公司、ferrocube公司也開發(fā)出類似的高溫高飽和磁密材料。 高磁導(dǎo)率材料也有許多新品種,如tdk公司的脈沖變壓器用h5c5,μi為30000左右??闺姶鸥蓴_電感器用hs10,同時(shí)具有良好的頻率特性和阻抗特性,在500khz仍具有較高磁導(dǎo)率,雖然初始磁導(dǎo)率不高,只有10000左右。高磁導(dǎo)率高飽和磁密材料dn50,在25℃時(shí)bs為550mt,在100℃時(shí)bs為380mt,μi為5200左右,居里溫度tc≥210℃。
hz×200mt條件下)。在 80℃時(shí)損耗最小,為280mw/cm3。25℃時(shí)bs為 540mt,100℃時(shí),bs為420mt。還開發(fā)出高溫高飽和磁密材料pe33,居里點(diǎn)tc>290℃,在100℃ 下,bs為450mt。在100℃,100khz×200mt條件下,pc≤1100mw/cm3,日本fdk公司,德國 epcos公司、ferrocube公司也開發(fā)出類似的高溫高飽和磁密材料。 高磁導(dǎo)率材料也有許多新品種,如tdk公司的脈沖變壓器用h5c5,μi為30000左右??闺姶鸥蓴_電感器用hs10,同時(shí)具有良好的頻率特性和阻抗特性,在500khz仍具有較高磁導(dǎo)率,雖然初始磁導(dǎo)率不高,只有10000左右。高磁導(dǎo)率高飽和磁密材料dn50,在25℃時(shí)bs為550mt,在100℃時(shí)bs為380mt,μi為5200左右,居里溫度tc≥210℃。 在新工藝方面,自蔓延高溫合成法(shs)是近年來的研究熱點(diǎn),其原理是利用反應(yīng)物內(nèi)部的化學(xué)能來合成材料。整個(gè)工藝極為簡(jiǎn)單,能耗低,生產(chǎn)效率與產(chǎn)品純度高,對(duì)環(huán)境無污染,已經(jīng)成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn鐵氧體,正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。火花等離子燒結(jié)法(s