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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>hgtg30n60b3 更新時間:2025-08-24 02:07:24

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歷史最低報價:¥5.5000 歷史最高報價:¥35.0000 歷史平均報價:¥9.7187

hgtg30n60b3中文資料

  • 淺談軟開關BOOST電路的分析與仿真方案

    我們進行瞬態(tài)分析,得到下圖結果: 從圖上可以看到: 1,mos管在開通時,可以看到miller效應在驅動信號上造成的平臺。 2,當mos管開通時,在mos的漏極和二極管上產(chǎn)生很大的尖峰電流。 從仿真結果來看,的確存在我們前面分析的容性開通、反向恢復等問題。 那么軟開關就能解決這個問題嗎? 下面我們先推出今天的第一個軟開關的例子:此電路是我以前分析一華為通信電源模塊時所見。 在這個電路中,我們主要增加了一個50uh電感、一個1000pf電容、一個輔助開關管hgtg30n60b3、一個鉗位二極管mur460等功率器件。 進行瞬態(tài)分析,我們得到如下結果: 在此圖中,ga為輔助開關管驅動信號,g為主開關管驅動信號。ia為輔助開關管集電極電流信號,id為主開關管漏極電流信號。vdsa為輔助開關管vce信號,vds為主開關關vds信號?,F(xiàn)在把工作原理分析如下: t1時刻,輔管開始導通,由于輔管是雙極性器件,所以容性開通的情況并不嚴重。ia波形從零開始緩慢上升,說明輔管是零電流開通。隨著ia電流增加,當ia=iout的時候,輸入電感電流完全流入輔助開關管,諧振電感電

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HGTG30N60A4D HGTG20N60A4D HGTG18N120BND HGTG11N120CN HG505 HG504 HG140 HFV4 HFT012 HFKP

HHM1517 HHM1520 HHS04-520 HI1018 HI1-0222-9 HI2011 HI2011E HI2013 HI2015 HI2023

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