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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>hewlett-packard 更新時(shí)間:2025-05-14 18:54:58

hewlett-packard供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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hewlett-packard中文資料

  • 介紹當(dāng)前利用固態(tài)存儲(chǔ)補(bǔ)充存儲(chǔ)系統(tǒng)的4種方式

    當(dāng)前利用固態(tài)存儲(chǔ)補(bǔ)充存儲(chǔ)系統(tǒng)的方式: 一、添加ssd硬盤代替硬盤驅(qū)動(dòng)器 利用光纖通道、串行ata(sata)或串行連接scsi(sas)接口添加ssd來(lái)取代硬盤驅(qū)動(dòng)器是向已有存儲(chǔ)陣列添加ssd支持的最容易的方式。雖然需要經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試和質(zhì)檢程序,但由于廠商可以利用已經(jīng)部署的技術(shù),因此這種方式只需要對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行很少的改變。 ssd與硬盤層之間缺少自動(dòng)化數(shù)據(jù)遷移以及存儲(chǔ)控制器的性能限制是兩個(gè)最大的缺點(diǎn)。然而,這種方式為大多數(shù)廠商所采用。emc corp、compellent、fujitsu、hewlett-packard (hp) co、hitachi data systems、ibm、lsi corp、pillar data systems、sun microsystems以及許多較小的存儲(chǔ)陣列廠商除了提供硬盤之外,都提供ssd硬盤。 二、使用nand閃存作為存儲(chǔ)控制器中的高速緩存 netapp和sun利用nand閃存作為高速緩存,克服了ssd和硬盤層之間自動(dòng)化數(shù)據(jù)遷移的軟件問題,但是這些廠商改變了產(chǎn)品的架構(gòu)來(lái)適應(yīng)nand閃存,以消除添加太多的ssd存儲(chǔ)令他們的存儲(chǔ)陣列無(wú)法容納的可能性。通過將nand閃存

  • CMOS圖像傳感器的最新進(jìn)展及應(yīng)用

    os-aps制備工藝的發(fā)展方向。因?yàn)椴捎迷摴に嚾菀撰@得低電壓、微功耗的cmos-aps。因此,混合體(hybrid bulk)/soi cmos-aps技術(shù)是很有吸引力的。使用soi cmos工藝是未來(lái)制作cmos圖像傳感器的理想工藝。 6、cmos數(shù)字像素傳感器 cmos圖像傳感器的發(fā)展至今有三大類,即cmos-pps、cmos-aps、和cmos-dps(digital pixel sensor),而cmos-dps是最近兩年才開發(fā)出來(lái)的。2001年12月kodak、cadak、hewlett-packard、agilent technolgies和stanford大學(xué)和california大學(xué)等采用標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式0.18 m cmos工藝開發(fā)成功了高幀速(10000幀/秒)cmos數(shù)字像素傳感器。其性能參數(shù)為:像素?cái)?shù)為352 288;芯片尺寸為5mm 5mm;晶體管數(shù)為380萬(wàn)個(gè);讀出結(jié)構(gòu)為64bit(167mhz);最大輸出數(shù)據(jù)速率大于1.33gb/s;最大連續(xù)幀速大于10000幀/秒;最大連續(xù)像素速率大于1gpixels/s;像素尺寸為9.4 m(h) 9.4 m(v);光電探測(cè)器類型為n mos

  • PMC-Sierra發(fā)布業(yè)界首款6Gbit/s RoC控制器PM8010

    案相比存儲(chǔ)數(shù)據(jù)率性能提高了一倍以上?!?當(dāng)前的數(shù)據(jù)中心要求更高計(jì)算能力、網(wǎng)絡(luò)帶寬以及對(duì)虛擬化應(yīng)用程式的支持,這些都使得系統(tǒng)需要改善主機(jī)總線接口、輸入-輸出以及raid性能。pmc-sierra公司的roc器件符合sas 2.0規(guī)范,使存儲(chǔ)數(shù)據(jù)傳輸率提高兩倍達(dá)到6gbit/s,可使系統(tǒng)可靠性、可用性以及擴(kuò)展性能都達(dá)到一個(gè)新的高度。src 8x6g也符合pci express 2.0標(biāo)準(zhǔn),使主機(jī)總線接口帶寬提高兩倍達(dá)到5gbit/s,并提高了電源管理、診斷以及虛擬化能力。 惠普公司(hewlett-packard)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器副總裁mike gill先生表示:“用戶越來(lái)越依賴惠普的proliant和bladesystem平臺(tái),利用其無(wú)與倫比的性能和可靠性滿足他們重要業(yè)務(wù)應(yīng)用需求。作為第一個(gè)提供全系列sas服務(wù)器的供應(yīng)商,惠普非常高興與pmc-sierra公司在下一代sas片上raid的設(shè)計(jì)上進(jìn)行合作,我們期待向我們的客戶提供基于這些器件的穩(wěn)定先進(jìn)的服務(wù)器存儲(chǔ)方案?!?該器件突破性rocstar架構(gòu)可以有效連接所有設(shè)備子系統(tǒng),消除對(duì)當(dāng)前共享總線方案造成影響的內(nèi)部瓶頸和資源沖突。由于可同時(shí)訪問所有

  • Reva Systems成功推出TAP331新型標(biāo)簽處理器

    通運(yùn)輸、物流檢查處、供貨商付運(yùn)港、分公司、衛(wèi)星處理中心及臨時(shí)業(yè)務(wù)等。本程序早已廣為全球數(shù)以百名的客戶安裝使用。metro group更已在全德國(guó)的零售店鋪使用tap 331 ,作為全球發(fā)展策略中的第一步,為rfid供應(yīng)鏈程序奠下基礎(chǔ)。 tap 701于2005年首次推出并在生產(chǎn)環(huán)境內(nèi)使用,多年來(lái)一直廣受環(huán)球客戶歡迎。每個(gè)tap 701器材都能支持多達(dá)128 讀取點(diǎn) (相等于三十二個(gè)傳統(tǒng)四天線讀取器及無(wú)線射頻器材),以及打印機(jī)、gpio 器材和其它感應(yīng)器等。tap 701目前正為hewlett-packard、 sony europe、 metro group、 dow corning、 lemmi fashion 等公司使用,協(xié)助生產(chǎn)、物流及分銷程序。 所有型號(hào)的 reva tap都能執(zhí)行自動(dòng)故障復(fù)原,假如在同一地點(diǎn)有多于一個(gè)系統(tǒng)運(yùn)作的話,更能自動(dòng)分?jǐn)偣ぷ髁髁俊H縯ap 型號(hào)都能與reva management console 共同使用,提供設(shè)定rfid器具位置、執(zhí)行rfid數(shù)據(jù)處理服務(wù)及挑選活動(dòng)參數(shù)的圖像工具。不但如此,rmc 更能支持tap及相關(guān)器材的遠(yuǎn)程網(wǎng)絡(luò)管理,能整合中

  • 關(guān)于閥控密封鉛蓄電池容量與電導(dǎo)的相關(guān)性

    用壽命了.造成這一結(jié)果的根本原因就在于本文前面所說(shuō)的, 電池荷電態(tài)在80%以上時(shí),其內(nèi)阻(電導(dǎo))幾乎是不變的,當(dāng)然不會(huì)有什么相關(guān)性了.其次,由于蓄電池的內(nèi)阻很小,只有幾個(gè)mω,測(cè)量夾的接觸電阻也是mω級(jí),因而測(cè)量誤差會(huì)嚴(yán) 重干擾測(cè)試結(jié)果;再者,不同廠家生產(chǎn)的蓄電池電導(dǎo)測(cè)試儀,由于它們使用的信號(hào)頻率不同,測(cè)定的參數(shù)不一樣(見表1),并且測(cè)定的是含有不同成分的內(nèi)阻,因此即使測(cè)試同一塊電池,其結(jié)果也會(huì)理所當(dāng)然不同.表1. 某些電池內(nèi)阻測(cè)定儀的特性儀器型號(hào)和生產(chǎn)廠家 信號(hào)頻率(hz) 測(cè)定的參數(shù)hewlett-packard 4328a 1000 阻抗實(shí)部bite of biddle instrument 60 阻抗模數(shù)celltron 10 midtron of midtronics 25 阻抗實(shí)部的倒數(shù) 但現(xiàn)在仍然有人堅(jiān)持以新電池的電導(dǎo)值(或最大電導(dǎo)值)的80%作為門限值;也有人認(rèn)為以電池容量達(dá)到額定值的80%時(shí)的電導(dǎo)值作為門限值,低于該值的電池就是落后電池.生產(chǎn)和維護(hù)實(shí)踐證明,即使是同一型號(hào)同一批的新電池,測(cè)得的電導(dǎo)(內(nèi)阻)值也不相同.顯然,上述兩個(gè)門限值既是不同的數(shù)值,又是很難定下來(lái)的數(shù)值,那么怎么能用它

  • 東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資逆風(fēng)飛揚(yáng)

    中包括imflash、techsemiconductor、charteredsemiconductor、umc、stmicroelectronics、infineon和ssmc等。 imflash(intel和microntechnology的合資公司)于2007年第二季度在新加坡開建60000片/月的閃存工廠,預(yù)計(jì)總投入約為30億美元。該工廠預(yù)計(jì)將在2008年下半年開始設(shè)備上線,并在2008年底或2009年初正式投產(chǎn)。 techsemiconductor(micron、canon和hewlett-packard的合資公司)將由200mm轉(zhuǎn)成300mm,并預(yù)計(jì)2008年底產(chǎn)能可達(dá)50000片/月。此外,65nm制程已在今年初啟用。 qimonda推遲了原本在2008年初開建的60000片/月晶圓廠項(xiàng)目,并稱將推遲至“市場(chǎng)環(huán)境開始好轉(zhuǎn)”。然而,該工廠預(yù)計(jì)將在2008年底開建。 infineon在馬來(lái)西亞kulim擁有一家前端工廠,是全球最大的非存儲(chǔ)器晶圓廠。該工廠投入10億美元,2006年8月開始量產(chǎn),全產(chǎn)能運(yùn)行可達(dá)100000片/月,生產(chǎn)汽車和工業(yè)應(yīng)用的功率和邏輯半導(dǎo)體器件。 char

  • 東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資逆市上行

    包括imflash、techsemi conductor、charteredsemiconductor、umc、stmicroelectronics、infineon和ssmc等。 imflash(intel和microntechnology的合資公司)于2007年第二季度在新加坡開建60000片/月的閃存工廠,預(yù)計(jì)總投入約為30億美元。該工廠預(yù)計(jì)將在2008年下半年開始設(shè)備上線,并在2008年底或2009年初正式投產(chǎn)。 techsemiconductor(micron、canon和hewlett-packard的合資公司)將由200mm轉(zhuǎn)成300mm,并預(yù)計(jì)2008年底產(chǎn)能可達(dá)50000片/月。此外,65nm制程已在今年初啟用。 qimonda推遲了原本在2008年初開建的60000片/月晶圓廠項(xiàng)目,并稱將推遲至“市場(chǎng)環(huán)境開始好轉(zhuǎn)”。然而,該工廠預(yù)計(jì)將在2008年底開建。 infineon在馬來(lái)西亞kulim擁有一家前端工廠,是全球最大的非存儲(chǔ)器晶圓廠。該工廠投入10億美元,2006年8月開始量產(chǎn),全產(chǎn)能運(yùn)行可達(dá)100000片/月,生產(chǎn)汽車和工業(yè)應(yīng)用的功率和邏輯半導(dǎo)體器件。 char

  • 如果IBM、Sun合并世界將會(huì)怎樣?

    互連)提供獨(dú)特的價(jià)值已然胸有成竹。 思科的這一舉動(dòng)給現(xiàn)有計(jì)算機(jī)制造商施加了更多壓力,而sun則是頂層公司中承受能力最弱的一家---因此現(xiàn)在也是合并的最佳時(shí)機(jī)。自從網(wǎng)絡(luò)泡沫爆破以來(lái),為實(shí)現(xiàn)盈利,sun已先后裁減了很多員工。 sun的問題在很大程度上源于這樣一個(gè)事實(shí):在試圖支持自家微處理器和操作系統(tǒng)架構(gòu)的垂直定向(verticallyoriented)電腦制造商中,sun只是一名小弟。在’越大越好’的大環(huán)境下,sun免不了要受制于人。 如果ibm與sun成功合并,這將是計(jì)算機(jī)行業(yè)自hewlett-packard收購(gòu)compaq以來(lái)交易額最大的一筆并購(gòu)交易----企業(yè)文化的沖突肯定在所難免,ibm作風(fēng)保守,sun更注重創(chuàng)新。 比較兩家公司ceo的作風(fēng)就可以知道。ibm的sampalmisano專注打理生意,行事低調(diào);而sun的jonathanschwartz則是高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)內(nèi)的寫博高手,倡導(dǎo)開源. 對(duì)sparc、power和java的沖擊 如果ibm/sun真的合并,那么在業(yè)務(wù)整頓和文化沖突之外還存在很多有意思的技術(shù)問題. 很容易想見ibm可能會(huì)讓sparc微處理器架構(gòu)逐漸淡出市

  • 虛擬化:Linux的關(guān)鍵,還是Linux殺手?

    理程序創(chuàng)建用于該方案的vm。由于某種商業(yè)安全原因,kettler同時(shí)在自己的vm上運(yùn)行了mozilla的firefox瀏覽器。此外還在獨(dú)立的vm上運(yùn)行了一個(gè)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)程序。 kettler表示,這種多功能性是“商業(yè)客戶機(jī)計(jì)算的未來(lái)”。他補(bǔ)充道,應(yīng)用管理和安裝將必須不麻煩,必要的創(chuàng)建vm的能力也將是必需的。dell的系統(tǒng)管理程序最終將與dell服務(wù)器附帶在一起,從而為客戶提供現(xiàn)成的高性能虛擬化,盡管dell尚未對(duì)提供這種能力給出時(shí)間表。 虛擬化方面的“創(chuàng)新才剛剛開始”,hewlett-packard執(zhí)行副總裁ann livermore在大會(huì)上預(yù)計(jì)。“這是一個(gè)你將看到一整套服務(wù)和服務(wù)公司的時(shí)代。” livermore表示,虛擬化是需要針對(duì)linux進(jìn)行改進(jìn)以在數(shù)據(jù)中心取得更多進(jìn)展的幾個(gè)領(lǐng)域之一。其它領(lǐng)域包括功率和冷卻、管理、安全性和自動(dòng)化。hp正在開發(fā)和采購(gòu)技術(shù)以創(chuàng)建livermore稱為“自主管理”的數(shù)據(jù)中心。上個(gè)月,hp透露了耗資16億美元收購(gòu)數(shù)據(jù)中心自動(dòng)化專家opsware的計(jì)劃。 hp于上周宣布該公司已經(jīng)將其并行合成庫(kù)軟件用于開放源代碼群體。該軟件可在高性能計(jì)

  • 電池──筆記本電腦的軟肋

    些人假模假式地抱著臺(tái)筆記本電腦整天泡在星巴克,可卻不見他們的電腦有任何接出來(lái)的長(zhǎng)尾巴。(我懷疑他們的電腦根本就沒開機(jī)。)但對(duì)我們這些凡夫俗子來(lái)說(shuō),如何能使自己的電池發(fā)揮最大效能呢? 實(shí)情就是:沒有太多辦法。美國(guó)電池技術(shù)公司boston-power inc.的創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行長(zhǎng)克里斯蒂娜•蘭柏-歐納魯?shù)?christina lampe-onnerud)說(shuō),她發(fā)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)電池問題越來(lái)越感焦慮。她說(shuō)得倒也簡(jiǎn)單:這不是你們操心的事。當(dāng)然,這是蘭柏-歐納魯?shù)碌挠梦渲?。她的公司正與惠普(hewlett-packard co.)等龍頭企業(yè)合作,準(zhǔn)備推出一款名為sonata的新型電池,她說(shuō)這種電池的壽命能和筆記本電腦一樣長(zhǎng),待機(jī)時(shí)間至少能達(dá)到4小時(shí),而現(xiàn)有電池的待機(jī)時(shí)間只有2到3小時(shí)。(她拒絕透露這款電池何時(shí)能夠面市以及售價(jià)將是多少。 實(shí)情就是:我們得到的建議大多華而不實(shí)。雖然電腦公司給我們提供了許多使電池發(fā)揮最大效能的建議,不過最好還是別對(duì)這些建議抱太高期望。電池技術(shù)的進(jìn)步依然有賴于電池內(nèi)部化學(xué)反應(yīng)方式的改進(jìn),而據(jù)加拿大充電器生產(chǎn)商cadex electronics inc.的創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行長(zhǎng)伊西多爾

  • 請(qǐng)問常用的貼片npn三極管有何型號(hào)?

    轉(zhuǎn)貼貼片三極管/貼片二極管標(biāo)記與型號(hào)對(duì)照1 highway 發(fā)表于 2003-11-1 16:02 器件替換 ←返回版面 the manufacturer abbreviations used include: hp hewlett-packard fch fairchild phi philips sie siemens zet zetex sgs sgs-thompson sil siliconix itt itt semiconductors mot motorola nat national semiconductor roh rohm tem temic semiconductorscode devide manuf. pinout equivalent/info005 sstpad5 sil j pad-5 5pa leakage diode010 sstpad10 sil j pad

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HESTIA HERCULES HER308 HER307 HER306 HER208 HER207 HER154 HER153 HER152

HF2150 HF3223 HF3508 HF8509 HFA1100IBZ96 HFA1105 HFA1112IB HFA1113 HFA1135IB96 HFA1145

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HM62256BLFP-8T HGTG11N120CND HT24LC08 H5DU5162ETR-E3C HSMS-2810-TR1G HCNW137 HD74LVC244ATELL HVU17TRF HMC485MS8GETR H5PS1G63KFR-S5C

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